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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
1137 条 记 录,以下是121-130 订阅
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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
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技术 2003年 第3期26卷 212-216页
作者: 林青 刘相华 朱鸣 谢欣云 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室 上海200050
将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息
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糖尿病呼出气体检测与分析研究进展
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化学进展 2024年 第4期36卷 601-611页
作者: 吴昊坪 李磊 曾睿 祝雨晨 赵斌 冯飞 成都中医药大学智能医学学院 成都610036 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
近年来,呼出气检测在糖尿病领域的研究引起了广泛关注。糖尿病作为一种代谢性疾病,利用现代检测分析方法,如气相色谱、质谱、光谱和传感器检测等,实现了对糖尿病患者呼出气体的检测和监测。本综述概述了糖尿病患者呼出气体中一些挥发性... 详细信息
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应用于MOEMS集成的TSV技术研究
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传感技术学报 2019年 第5期32卷 649-653页
作者: 胡正高 盖蔚 徐高卫 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表... 详细信息
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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理
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物理学报 2016年 第3期65卷 214-220页
作者: 平云霞 王曼乐 孟骁然 侯春雷 俞文杰 薛忠营 魏星 张苗 狄增峰 张波 上海工程技术大学基础学院 上海201600 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部... 详细信息
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超导纳米线单光子探测器的光耦合结构
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光学精密工程 2013年 第6期21卷 1496-1502页
作者: 刘登宽 陈思井 尤立星 何宇昊 张玲 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100039
为了提高超导纳米线单光子探测系统(SNSPD)的探测效率,搭建了超导纳米线单光子探测系统,研究了该系统的光耦合结构及该结构随温度降低而发生的变化。首先,测量了SNSPD在不同电流下的量子效率,确定了器件的性能。然后,提出了两种不同的... 详细信息
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芯片级原子钟的气密性能分析
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真空科学技术学报 2012年 第2期32卷 132-139页
作者: 张志强 徐静 李绍良 吴亚明 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室、微系统技术重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
基于相干布居囚禁(CPT)原理芯片级原子钟(CSAC)原子腔体积小、采用微电子机械系统硅-玻璃键合工艺制造,其气密性是决定CSAC寿命的关键因素。本文提出了"多层缓冲原子腔"方案大幅度提高原子腔的气密性能,从而提高CPT CSAC的稳... 详细信息
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非制冷微测辐射热计的热学设计与分析
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红外与激光工程 2007年 第6期36卷 920-923页
作者: 马铁英 李铁 王跃林 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
电压灵敏度和热时间常数为表征微测辐射热计热性能的两个重要参数,热绝缘结构尺寸是决定性能参数的首要因素。首先采用解析法计算,并分析了这两个性能参数随结构尺寸改变的规律,确定一组能兼顾电压灵敏度及热时间常数的结构尺寸优化值,... 详细信息
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航天先进红外探测器组件技术及应用
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红外与激光工程 2012年 第12期41卷 3129-3140页
作者: 龚海梅 邵秀梅 李向阳 李言谨 张永刚 张燕 刘大福 王小坤 李雪 方家熊 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 详细信息
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一种基于相变存储器的高速读出电路设计
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上海交通大学学报 2019年 第8期53卷 936-942页
作者: 李晓云 陈后鹏 雷宇 李喜 王倩 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导... 详细信息
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基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导
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固体电子学研究与进展 2012年 第5期32卷 456-462页
作者: 刘米丰 熊斌 徐德辉 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
在低阻硅(1-10Ω.cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波... 详细信息
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