检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2007年第2期56卷 1027-1031页

作者：曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室武汉邮电科学研究院武汉430074

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.

关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱损伤

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InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计

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半导体光电 2004年第5期25卷 376-379页

作者：唐田张永刚郑燕兰李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果... 详细信息

　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。

关键词：量子阱激光器子带跃迁锑化物

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SOIM新结构的制备及其性能的研究

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物理学报 2003年第1期52卷 207-210页

作者：谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果... 详细信息

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：制备氮化硅薄膜二氧化硅薄膜 SOIM新结构多孔硅外延转移电绝缘隔离性能

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基于Android的便携式水质检测仪器的研制

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环境工程学报 2016年第7期10卷 3973-3976页

作者：李宫郭慧赵辉赵建龙贾春平金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(... 详细信息

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(-1)和4.5~13 mg·L^(-1),且重复性良好,CV值分别为2.20%和1.73%。仪器被成功应用于实际水样的检测中,检测结果基本准确,满足水质检测的技术要求,有一定的参考价值。

关键词：水质检测 Android COD DO 便携

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用于心脏电活动成像的空间滤波器输出噪声抑制方法

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物理学报 2018年第15期67卷 360-368页

作者：周大方张树林蒋式勤同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的... 详细信息

利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的是通过构造一种新的滤波器权矩阵,约束空间滤波器的输出噪声功率增益,提高重建分布电流源偶极矩强度的分辨率,即分布电流源空间谱估计的源分辨能力,从而增强心脏电活动磁成像的分辨率.文中给出了电流源重建的理论分析和仿真结果;比较了该方法与MVB方法的差别;并给出了两个健康人36通道心脏磁场数据的电活动成像.结果表明,SONG方法分辨电流源的能力较强,能够观察到心脏电磁场信号R峰时刻健康人的心室电活动较强,心房电活动较弱等特征.

关键词：心脏电活动成像心磁图逆问题波束成形

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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

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物理学报 2013年第22期62卷 345-350页

作者：陈茜王海龙汪辉龚谦宋志棠山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

关键词：费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y GaAs量子阱 LO声子散射率

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基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器

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光电子．激光 2004年第9期15卷 1031-1034,1041页

作者：杨建义江晓清贾科淼李锡华王明华吴亚明王跃林浙江大学信息与电子工程学系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范... 详细信息

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范围特性的设计,使其具有二维光波分分布特性,从而可以在输入和/或输出端设计二维输入/输出通道,大大增加波分复用与解复用的通道数的设计能力。对器件的特性与应用进行了讨论。

关键词：解复用器阵列波导光栅光波分复用器衍射光栅波长变化色散值平面波导二维矢量合成通道

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中红外半导体光源和探测器件及其应用

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红外与激光工程 2011年第10期40卷 1846-1850页

作者：张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 详细信息

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。

关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延

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气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列

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半导体光电 2006年第5期27卷 519-521,542页

作者：田招兵张永刚李爱珍顾溢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×***1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%。

关键词：光伏探测器焦平面阵列 InGaAs 近红外

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波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化

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半导体光电 2008年第6期29卷 851-854,972页

作者：田招兵顾溢张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提... 详细信息

通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。

关键词： InGaAs 波长扩展光伏探测器量子效率

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