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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
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物理学报 2007年 第2期56卷 1027-1031页
作者: 曹萌 吴惠桢 刘成 劳燕锋 黄占超 谢正生 张军 江山 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 武汉邮电科学研究院 武汉430074
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息
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InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计
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半导体光电 2004年 第5期25卷 376-379页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
 采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果... 详细信息
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SOIM新结构的制备及其性能的研究
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物理学报 2003年 第1期52卷 207-210页
作者: 谢欣云 林青 门传玲 刘卫丽 徐安怀 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果... 详细信息
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基于Android的便携式水质检测仪器的研制
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环境工程学报 2016年 第7期10卷 3973-3976页
作者: 李宫 郭慧 赵辉 赵建龙 贾春平 金庆辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(... 详细信息
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用于心脏电活动成像的空间滤波器输出噪声抑制方法
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物理学报 2018年 第15期67卷 360-368页
作者: 周大方 张树林 蒋式勤 同济大学电子与信息工程学院 上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的... 详细信息
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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率
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物理学报 2013年 第22期62卷 345-350页
作者: 陈茜 王海龙 汪辉 龚谦 宋志棠 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院 上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息
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基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器
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光电子.激光 2004年 第9期15卷 1031-1034,1041页
作者: 杨建义 江晓清 贾科淼 李锡华 王明华 吴亚明 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050
基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范... 详细信息
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中红外半导体光源和探测器件及其应用
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红外与激光工程 2011年 第10期40卷 1846-1850页
作者: 张永刚 顾溢 李耀耀 李爱珍 王凯 李成 李好斯白音 张晓钧 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
中红外波段(2~25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 详细信息
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气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列
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半导体光电 2006年 第5期27卷 519-521,542页
作者: 田招兵 张永刚 李爱珍 顾溢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下... 详细信息
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波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化
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半导体光电 2008年 第6期29卷 851-854,972页
作者: 田招兵 顾溢 张晓钧 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提... 详细信息
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