检索结果-内蒙古大学图书馆

激光技术 2018年第5期42卷 659-665页

作者：胡永倩王海龙张书玉密术超龚谦曲阜师范大学物理系山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放... 详细信息

为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放大器马赫-曾德尔干涉仪结构的全光逻辑异或门;研究了有源区长度、最大模式增益、输入抽运光功率以及输入抽运光脉冲宽度对通过干涉仪两臂探测光相位差的影响,同时讨论了探测光的相位差与输出光功率的关系。结果表明,增大有源区长度、最大模式增益以及输入抽运光功率,均能使探测光相位差增大;随着抽运光脉冲宽度增大,探测光相位差先增大而后趋于平缓,之后不断减小;有源区长度为2.0mm、最大模式增益为3000m-1、输入抽运光功率为5d Bm、抽运光脉冲宽度为1.0ps时,最大相位差增加至0.3277π;随着探测光相位差增大,输出光功率增大;通过优化参量可以增大探测光的相位差,而输出光功率会随着探测光相位差的增大而增大。该研究为提高转换信号质量提供了参考。

关键词：光通信量子点半导体光放大器异或门相位差输出光功率

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超导纳米线单光子探测系统数字化监控平台研究

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信息技术与网络安全 2019年第6期38卷 69-75页

作者：汪旭尤立星成明蒋燕阳王永良中国科学技术大学微电子学院安徽合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海赋同科技有限公司上海200000 浙江赋同科技有限公司浙江嘉兴314000

超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于... 详细信息

超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于传输/网际协议和RS-232串口协议通信的数字化监控平台。该平台能有效提升探测系统的可操作性,有效提高测量实验的工作效率,推进单光子探测技术产业化进程的发展和相关领域的应用。平台能实时采集与分析探测系统中的温度、真空度等参数,同时包括对系统安保监控信息呈动态展示,并自动控制系统从液氦温区到室温(4~300K)的升降温过程。

关键词：超导纳米线单光子探测数字化自动控制量子通信

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p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀

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半导体技术 2018年第6期43卷 449-455页

作者：钱茹程新红郑理沈玲燕张栋梁顾子悦俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海200120 中国科学院大学北京100049

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... 详细信息

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜（AFM）对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高（约30）,并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。

关键词： GaN 选择性刻蚀电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 AlGaN/GaN HEMT 刻蚀形貌

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带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计

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上海交通大学学报 2017年第6期51卷 657-664页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩李喜苗杰雷宇宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-D... 详细信息

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度变频模式电感电流取样电源转换效率

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SOI材料和器件抗辐射加固技术

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科学通报 2017年第10期62卷 1004-1017页

作者：张正选邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转... 详细信息

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转截面较体硅CMOS技术小了1~2个数量级,抗瞬时剂量率的能力也提高了2个数量级以上.这些固有优势使得SOI技术在军事和空间应用中具有举足轻重的地位.然而,在空间和核爆等电离辐射环境下,辐射将会在BOX层中引入大量的陷阱电荷.这些辐射感生的陷阱电荷会导致SOI器件和电路性能的退化,从而严重阻碍和制约了SOI技术在抗辐射加固中的应用.另一方面,SOI器件的寄生三极管放大效应会削弱SOI技术在抗单粒子辐射和瞬态辐射方面的优势,这使得抗辐射SOI器件与电路的加固设计面临着严峻的挑战.本文介绍了SOI器件中3种主要的电离辐射效应并对比了体硅器件和SOI器件辐射效应的差异.针对寄生双极晶体管导致SOI器件单粒子效应和剂量率效应敏感性增强的问题,提出了相应地减弱寄生双极晶体管效应的加固方法.针对SOI器件抗总剂量效应差的问题,分别从材料工艺和器件结构两个层次介绍了SOI器件的总剂量加固技术.

关键词：绝缘体上硅总剂量效应单粒子效应瞬时剂量率效应辐射加固技术

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基于微机电系统的法布里珀罗可调光滤波器

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中国激光 2017年第6期44卷 224-232页

作者：郭智慧李拥华杨恒钟少龙上海大学理学院上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔... 详细信息

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔长以调整滤波器的输出光波长,分析了可调光学滤波器的波长调谐原理和静电驱动原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑。利用体硅加工工艺成功制作了可调光学滤波器样品,并进行了实验测试。实验结果表明,通过改变准直扩束光纤的初始位置,3dB带宽与自由谱域之间具有可调性。该可调光学滤波器兼备了MEMS技术与光纤技术的优点,并且结构紧凑、工艺简单、驱动电压低,可用于光通信等场合。

关键词：光纤光学微机电系统法布里-珀罗腔可调光滤波器静电驱动

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基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压进样系统

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电子设计工程 2018年第18期26卷 54-58,63页

作者：李路齐同郜晩蕾王晓冬贾春平赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

基于目前的压力控制和微小体积控制系统不能满足微流控芯片自动化进样的需求,本文提出一种新型的基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压控制系统,通过精确控制压力实现精确控制进样体积。MATLAB仿真和实际测量表明,该系统的阶跃响应时间提... 详细信息

基于目前的压力控制和微小体积控制系统不能满足微流控芯片自动化进样的需求,本文提出一种新型的基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压控制系统,通过精确控制压力实现精确控制进样体积。MATLAB仿真和实际测量表明,该系统的阶跃响应时间提高了50%,时间为10 s,无超调,压力控制精度为±30 Pa。通过高精度电子天平称重表明进样体积控制在±10 ul以内,最后采用mega2560作为主控制器搭建自动化检测平台实现微流控芯片的自动进样,该系统已应用到仪器中并产生良好的实验结果。

关键词：专家PID控制卡尔曼滤波恒压系统微流控芯片 MATLAB仿真

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应用于变电站接地网的空间磁场检测装置

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功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 60-63页

作者：姜海波黄俊澄赵世钦马天驰李伟贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 详细信息

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。

关键词：变电站接地网宽带天线液晶聚合物

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相变存储器失效机理的研究进展

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物理 2018年第3期47卷 153-161页

作者：高丹刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 苏州科技大学化学生物与材料工程学院苏州215009

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的... 详细信息

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的提升至关重要。文章综述了相变存储器失效机理的研究进展，主要讨论和归纳了电性操作和工艺制程所导致的相变存储器失效模型和失效机理，包括电迁移、热动力学效应、相变应力和热应力、电压极性、结晶引发的偏析、浓度梯度、电极材料以及制造工艺引起的失效。

关键词：相变存储器失效机理电迁移应力制造工艺

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比色法研究二硫苏糖醇诱导12 nm粒径纳米金的聚集作用

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分析试验室 2018年第5期37卷 509-513页

作者：陈俊俊费佳钰娄新徽赵建龙袁敏上海理工大学医疗器械与食品学院上海200093 首都师范大学化学系北京100048 传感技术联合国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

利用纳米金的比色效应研究了二硫苏糖醇(DTT)对12 nm粒径的纳米金溶液诱导产生的聚集作用。结果表明:DTT诱导聚集纳米金的作用与大分子溶液对胶体溶液的絮凝作用和稳定作用相似;当DTT分子与纳米金粒子的比值达到(1500±500):1时,DT... 详细信息

利用纳米金的比色效应研究了二硫苏糖醇(DTT)对12 nm粒径的纳米金溶液诱导产生的聚集作用。结果表明:DTT诱导聚集纳米金的作用与大分子溶液对胶体溶液的絮凝作用和稳定作用相似;当DTT分子与纳米金粒子的比值达到(1500±500):1时,DTT可迅速桥联纳米金粒子使其聚集,致使溶液发生明显的颜色变化;降低纳米金溶液浓度可有效缓解DTT的聚集作用。为基于纳米金比色反应的检测方法研究提供了一定的理论基础,也对纳米金粒子和DTT在生物化学和分析化学领域的进一步应用具有指导意义。

关键词：纳米金二硫苏糖醇比色法生物传感器

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