检索结果-内蒙古大学图书馆

材料科学与工程学报 2017年第3期35卷 352-357页

作者：崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系瑞典哥德堡41296

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 详细信息

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。

关键词： GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度

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非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计

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微电子学与计算机 2017年第11期34卷 1-5页

作者：叶勇亢勇景蔚亮杜源宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新储集成电路有限公司上海200122

传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元... 详细信息

传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.

关键词：神经元突触非易失性相变存储器人工神经网络

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0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证

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半导体技术 2017年第6期42卷 469-474页

作者：卢仕龙刘汝萍林敏俞跃辉董业民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的... 详细信息

基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作。试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试。测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10%以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平。

关键词：绝缘体上硅(SOI) 标准单元库测试芯片总剂量辐射现场可编程门阵列(FPGA)

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基于光纤微电流传感技术的劣化绝缘子检测

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 185-190页

作者：何冰靳鹏飞王宗洋裴蕴智李伟国网上海市电力公司检修公司上海200000 江苏大学机械工程学院镇江212000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

针对目前高压输电线路上绝缘子发生劣化不易检测的问题,提出一种基于MEMS光纤微电流传感技术的绝缘子劣化检测方法。首先建立带电绝缘子串仿真模型,得到绝缘子串微电流与其周围弱磁场关系,又研究了绝缘子劣化时微电流变化规律,最后利用M... 详细信息

针对目前高压输电线路上绝缘子发生劣化不易检测的问题,提出一种基于MEMS光纤微电流传感技术的绝缘子劣化检测方法。首先建立带电绝缘子串仿真模型,得到绝缘子串微电流与其周围弱磁场关系,又研究了绝缘子劣化时微电流变化规律,最后利用MEMS光纤传感器检测绝缘子串周围磁场,可实现对绝劣化绝缘子的无接触式检测,通过实验分析与计算,验证了该方法具有很好的精度,为劣化绝缘子检测提供了一种新的和安全的方式。

关键词：绝缘子串微电流 MEMS光纤微电流传感器劣化绝缘子检测

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本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_(2)S气体的敏感性

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仪表技术与传感器 2017年第11期 21-24页

作者：丁培黄海云徐涛郑丹许鹏程陈莹上海应用技术大学化学与环境工程学院上海201418 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室上海200050

文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H... 详细信息

文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。

关键词： ZnO纳米线 H_(2)S气体检测纳米尺寸效应气体传感器

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外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响

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量子电子学报 2017年第1期34卷 117-122页

作者：陈丽王海龙陈莎李正李士玲龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,... 详细信息

在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。

关键词：光电子学激子结合能变分法 InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱电场磁场

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2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器

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红外与毫米波学报 2016年第3期35卷 275-280页

作者：张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、... 详细信息

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．

关键词：半导体激光器光电探测器磷化铟基无锑气态源分子束外延

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运动电偶极矩的类A-C效应

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大学物理 2017年第12期36卷 70-72,81页

作者：王康李炜上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

近些年来量子力学中的相位问题在凝聚态物理学中扮演着至关重要的角色,比如Aharonov-Bohm效应,Aharonov-Caser效应和Berry相位.这里我们根据电磁的对偶性,提出一个运动电偶极矩在磁场中也能产生类Aharonov-Caser效应.同时,我们还从数学... 详细信息

近些年来量子力学中的相位问题在凝聚态物理学中扮演着至关重要的角色,比如Aharonov-Bohm效应,Aharonov-Caser效应和Berry相位.这里我们根据电磁的对偶性,提出一个运动电偶极矩在磁场中也能产生类Aharonov-Caser效应.同时,我们还从数学角度指出产生这些量子力学的相位效应的根源是来自于运动系统中的势能不仅是位置的函数,而且还是速度的函数.因此,根据我们的结论可以设计全新的物理模型来实现新型的量子力学相位效应.

关键词：量子力学的相位运动电偶极矩类Aharonov-Caser效应

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微加工技术在细胞形状和排列控制中的应用

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中国组织工程研究 2017年第14期21卷 2291-2296页

作者：刘晓艺李珊赵峰何静雯孙艳北京航空航天大学生物与医学工程学院生物力学与力生物学教育部重点实验室北京市100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海市200050

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造... 详细信息

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造技术加工制备细胞生长基底的方法,以及实现细胞形状和排列控制的可行性和最新进展。方法:作者检索1995至2017年百链云数据库和Pub Med数据库中与微加工方法对细胞形状和体外排列影响相关的文献,并进行系统整理、归纳总结和分析。结果与结论:随着微纳米加工技术的发展和对细胞生物学行为的深入研究,表面化学修饰、表面拓扑学改造、纤维支架等方法逐步被建立,以实现细胞形状的精确控制和体外排列。表面微图案化、微柱、微孔阵列等拓扑结构能够精确控制细胞几何形状,而基底表面拓扑形貌对细胞排列占据更重要的支配作用,可将基底表面化学修饰作用和拓扑形貌作用相结合更好地实现细胞体外排列。合适的基底结构可用于精确控制细胞的形状、调控干细胞的分化抑或诱导细胞的定向排列、促进细胞融合和分化等。

关键词：细胞生物学细胞形状组织工程生物材料细胞排列微接触印刷技术干剥离技术沟槽阵列微柱阵列微孔阵列微波阵列纤维支架国家自然科学基金

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基于连续小波变换的OPGW雷击定位研究

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 191-195页

目前,离散小波变换在基于OPGW偏振态突变信息的输电线路雷击定位中已实际运用,基于小波变换的偏振态突变信号处理算法精度还可以提高。针对这个问题,提出对偏振态波形使用连续小波变换并采取小波联合去噪的的方法。该方法用阈值与小波... 详细信息

目前,离散小波变换在基于OPGW偏振态突变信息的输电线路雷击定位中已实际运用,基于小波变换的偏振态突变信号处理算法精度还可以提高。针对这个问题,提出对偏振态波形使用连续小波变换并采取小波联合去噪的的方法。该方法用阈值与小波分解重构联合去噪,并利用最小二乘法从连续小波变换后的时频信号中选取合适的尺度因子,然后在该尺度因子的时频图中得到偏振态突变信号的对应时刻信息,最后计算出雷击点位置。仿真结果证明了此方法的准确性,可将雷击定位误差控制在20m以内。

关键词： OPGW光偏振态连续小波变换小波联合去噪雷击定位

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