检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2016年第8期65卷 60-67页

作者：吴春艳杜晓薇周麟蔡奇金妍唐琳张菡阁胡国辉金庆辉上海大学上海市应用数学和力学研究所上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

传统的液栅型石墨烯场效应管虽然灵敏度高,但是石墨烯沟道极易被污染,致使器件的稳定性减小,不能被重复利用.为此,我们设计制造了一种顶栅石墨烯离子敏场效应管,以化学气相沉积生长的石墨烯为沟道,通过原子层沉积在石墨烯表面沉积绝缘层... 详细信息

传统的液栅型石墨烯场效应管虽然灵敏度高,但是石墨烯沟道极易被污染,致使器件的稳定性减小,不能被重复利用.为此,我们设计制造了一种顶栅石墨烯离子敏场效应管,以化学气相沉积生长的石墨烯为沟道,通过原子层沉积在石墨烯表面沉积绝缘层Hf O_2/Al_2O_3,其中Al_2O_3作为敏感膜,Hf O_2/Al_2O_3作为石墨烯及电极的保护膜.经过一系列的电学表征和测试发现,相较于液栅型石墨烯场效应管,顶栅石墨烯场效应管具有更高的信噪比、更好的稳定性.为了利用顶栅石墨烯进行生物分子的检测,我们将单链DNA修饰在Al_2O_3表面,成功检测到了修饰DNA前后的信号差异,并结合荧光修饰的表征验证了顶栅石墨烯场效应管用于生物传感器的可行性.

关键词：石墨烯场效应管 HfO2/Al2O3 水基-原子层沉积

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锗基石墨烯研制进展

锗基石墨烯研制进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：狄增峰张苗谢晓明王曦信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集... 详细信息

大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集成电路,金属基底石墨烯难以与微电子工艺兼容,因此迫切需要将石墨烯材料与半导体衬底集成.通过研究发现，在半导体锗衬底上能够通过CVD方法生长出大面积连续石墨烯薄膜，石墨烯薄膜生长行为与锗衬底晶向具有紧密相关性。锗（100）和锗（111）两种衬底上易于获得随机取向的石墨烯晶畴，从而相互合并形成多晶石墨烯。锗（110）衬底台阶处晶格匹配效应，能够导致石墨烯晶畴取向排列，从而能够无缝拼接，形成单晶石墨烯晶圆。目前，已经成功4英寸单晶石墨烯晶圆演示，有望真正将石墨烯材料应用于集成电路制造。

关键词：锗基石墨烯化学气相沉积晶格匹配电学性能

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InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控

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第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰杜奔张见中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海

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石墨烯三维微电极生物传感器研究

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传感器与微系统 2017年第2期36卷 4-7页

作者：唐琳吴蕾周麟杜晓薇吴春艳赵建龙传感技术联合国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 上海科技大学上海200120

基于石墨烯优良的导电性和透明性,为改善生物传感器存在透明性不足的缺陷,提出了石墨烯三维微电极传感器的研究。利用SEM,Raman对其形貌进行表征,以及采用电化学测试电极电化学性能,结果表明:研究的石墨烯三维电极生物传感器在透明性和... 详细信息

基于石墨烯优良的导电性和透明性,为改善生物传感器存在透明性不足的缺陷,提出了石墨烯三维微电极传感器的研究。利用SEM,Raman对其形貌进行表征,以及采用电化学测试电极电化学性能,结果表明:研究的石墨烯三维电极生物传感器在透明性和电化学性能方面优于传统微电极生物传感器,为透明生物传感器的制作提供了新思路。

关键词：微电极阵列石墨烯三维电极平面电极电化学

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相变存储器材料研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 119-127页

作者：吴良才宋志棠周夕淋饶峰封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的... 详细信息

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

关键词：相变存储器 GeSbTe 相变机理 C掺杂

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Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电... 详细信息

本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电压温度系数，高线性增益系数和高增益稳定性及阵列增益均匀性等优良特性，适合于进一步发展APD焦平面应用。波长延伸型器件在InP衬底上采用In0.75Ga0.25As赝配吸收层和In0.52Al0.48As晶格匹配倍增层，获得了截止波长为2.25μm的APD器件，77K下增益系数达22。证实了在赝配架构下延伸APD响应波长至中红外波段的可行性。倍增增强型器件则演示了采用InAs量子点倍增区实现对载流子雪崩几率的增强。报告中还将对APD器件的发展和应用趋势做出总结。

关键词：雪崩光电探测器电压控制波长延伸量子倍增

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InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰奚苏萍杜奔纪婉嫣师艳辉张见朱怡李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-... 详细信息

在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变、组分阶跃-连续递变缓冲层的弛豫过程以及缓冲层性能，研究了缓冲层掺杂对弛豫过程的影响;利用铋在融入III-V族材料晶格后产生大带隙收缩的效应，生长并分析了与InP衬底具有不同晶格失配度的InGaAsBi材料，基于与InP衬底接近晶格匹配的InGaAsBi材料研制了截止波长2.1微米的探测器，还通过适当增加In组分获得了截止波长达2.6微米的InGaAsBi探测器。在激光器方面，发展了梯形量子阱和InAlGaAs四元材料波导新结构，在生长InP基大失配高应变量子阱时采用铋作为表面剂提高了材料和器件的质量;在InP基In0.83Al0.17As异变衬底上生长了具有不同铋组分的InAsBi量子阱，室温下光致发光波长最长达到3.1微米。在材料和器件研究的基础上，所研制的InGaAs探测材料进一步在航天遥感载荷中获得了应用。

关键词：短波红外探测器激光器晶格结构性能表征

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InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：张见陈星佑顾溢马英杰奚苏萍杜奔张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,... 详细信息

InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,需要对各层材料分子束外延生长温度进行严格的控制以防止组分分凝和结晶退化带来的影响.

关键词：半导体材料铟砷化镓分子束外延生长磷化铟基衬底温度短波红外探测器

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含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,... 详细信息

在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,对于响应速度则并没有苛刻的要求.在具有相同器件结构的赝配In0.83Ga0.17As/InP探测器的吸收层中插入In0.66Ga0.34As/InAs超晶格电子势垒，并调控势垒的插入位置，分别位于吸收层的正中间(PD-1)和吸收层内靠近PN结耗尽区的位置(PD-2)。测试结果表明PD-2在室温时拥有更强的光响应度.77K下，PD2的暗电流比PD-1降低了1个数量级。

关键词：短波红外探测器光电二极管铟砷化镓磷化铟基超晶格电子势垒结构设计光响应度暗电流

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面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究

面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：杜奔陈星佑顾溢马英杰奚苏萍张见张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器... 详细信息

通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器具有较低暗电流,这就要求作为有源层的InGaAsBi具有较高结晶质量.尝试在生长温度280℃，AsH3压力350Torr下通过调节Bi炉温度外延不同Bi组分的InGaAsBi。

关键词：半导体材料铟镓砷铋外延生长温度参数结晶质量

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