检索结果-内蒙古大学图书馆

电化学 2015年第2期21卷 167-171页

作者：杜晓薇成霁郭慧金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

本文使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)石墨烯制作了高灵敏度、低噪声的液栅型石墨烯场效应管(Solution-Gated Graphene Field Effect Transistors,SGFETs),并测试了该器件对磷酸盐缓冲液(Phosphate Buffered Saline,PBS)浓度和p H的响应特性.随缓冲液浓度的增大,SGFETs转移特性曲线的最小电导点向左偏移,偏移量与溶液浓度的自然对数呈线性关系.随p H的增大,其最小电导点向右偏移,偏移量与溶液p H呈线性关系.该响应特性对石墨烯生化传感器排除外界影响因素有一定的指导作用.

关键词：化学气相沉积石墨烯液栅型石墨烯场效应管缓冲液浓度和pH

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化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

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中国化学会第30届学术年会

作者：王丽丽庄新港陈琦吴雪原方家熊山东大学光学高等研究中心山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 山东大学光学高等研究中心山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 国家茶叶及农产品检测重点实验室(黄山) 安徽黄山245000

基于化学计量学方法和新型探测器的快速发展，近红外光谱分析技术被广泛的应用工农业生产、环境保护及安全等领域，为物体成分的快速无损检测提供了基础。

关键词：化学计量学近红外光谱

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基于(111)硅单片集成三轴加速度计的工艺研究

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微纳电子技术 2015年第6期52卷 390-395页

作者：赵忆王家畴陈方李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

介绍了一种新型单片集成电容式三轴微加速度计的加工方法,该方法采用非绝缘体上硅(SOI)的单硅片单面加工技术,易于与IC工艺兼容,而且成本低廉,成品率高,适用于批量生产,可替代传统的SOI工艺。该方法主要利用硅深度反应离子刻蚀(DRIE)技... 详细信息

介绍了一种新型单片集成电容式三轴微加速度计的加工方法,该方法采用非绝缘体上硅(SOI)的单硅片单面加工技术,易于与IC工艺兼容,而且成本低廉,成品率高,适用于批量生产,可替代传统的SOI工艺。该方法主要利用硅深度反应离子刻蚀(DRIE)技术结合普通(111)单晶硅片内部可选择性横向自停止腐蚀技术制作并释放得到悬浮可动的敏感结构。此外,创新的锚点设计不仅使检测电极之间相互电学隔离,而且便于引线键合与封装。最后基于开环接口电路对加工制造的三轴加速度计进行了测试,验证了该工艺的可行性。

关键词：微机电系统(MEMS) (111)硅单硅片单面加工三轴加速度计单片集成

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NbN在超导电子学的应用前景

NbN在超导电子学的应用前景

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王镇尤立星谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学

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基于相变存储器的SD卡系统设计

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半导体光电 2015年第4期36卷 661-666页

作者：王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,... 详细信息

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理。该SD卡系统容量为256kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s。

关键词：相变存储器 SD卡多接口SoC芯片坏块管理地址映射表

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具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究

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功能材料与器件学报 2016年第4期22卷 74-78页

作者：李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室长沙410082 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对... 详细信息

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。

关键词：双层硒化铌石墨烯六角氮化硼超导异质结电学特性

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InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子

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发光学报 2015年第5期36卷 567-571页

作者：许海鑫王海龙严进一汪洋曹春芳龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不... 详细信息

利用气源分子束外延技术生长In As/Ga As量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用。对最大模式增益求导数,当电流为50 m A时,差分增益最大值为1.33 cm-1/m A,然后迅速减小到0.34 cm-1/m A,此时电流为57m A（≈0.99Ith）。第一次使用加权波长来计算中心波长的移动,发现Δλ慢慢减小直至接近于0。整个计算方法避免了在直接选取数据点时造成的误差,线宽展宽因子计算值为0.12~2.75。

关键词：激光器增益差分增益波长移动线宽展宽因子

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基于LabVIEW的谐振式微悬臂梁传感器智能激励与检测系统

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仪表技术与传感器 2015年第12期 11-14页

作者：任艳波于海涛赵伟刘民李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

为了解决使用模拟锁相环设计传感器接口电路带来的精度低、测量过程繁琐等问题,采用软件锁相环设计了基于LabVIEW的谐振式微悬臂梁传感器智能激励与检测系统。将开环检测与闭环检测相结合,通过开环扫频获取待测传感器的参数信息,并通过... 详细信息

为了解决使用模拟锁相环设计传感器接口电路带来的精度低、测量过程繁琐等问题,采用软件锁相环设计了基于LabVIEW的谐振式微悬臂梁传感器智能激励与检测系统。将开环检测与闭环检测相结合,通过开环扫频获取待测传感器的参数信息,并通过在软件部分设计的锁相跟踪算法,使锁相更具针对性,锁相过程更快更准。采用该系统制作了便携式气体传感器样机,并对二氧化碳气体进行了实测,验证了该系统具有快速的频率跟踪能力和良好的频率稳定性。

关键词：谐振式微悬臂梁传感器接口电路 LabVIEW 自适应软件锁相环扫频锁相跟踪

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微型热电能量采集器的研究进展

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半导体技术 2015年第10期40卷 721-729页

作者：吴利青徐德辉熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200233

热电能量采集器是一种基于塞贝克效应,利用温差将热能直接转化成电能的温差发电装置。由于其体积小、重量轻、寿命长、无机械运动部件、绿色环保等优点,微型热电能量采集器(MTEG)已经引起了国内外的广泛关注。综述了微型热电能量采集器... 详细信息

热电能量采集器是一种基于塞贝克效应,利用温差将热能直接转化成电能的温差发电装置。由于其体积小、重量轻、寿命长、无机械运动部件、绿色环保等优点,微型热电能量采集器(MTEG)已经引起了国内外的广泛关注。综述了微型热电能量采集器在国内外的研究进展,介绍了温差发电的工作原理,从热电材料和器件结构两方面重点探讨了微型热电能量采集器的研究现状。对微型热电能量采集器未来的发展方向进行了分析和预测,认为积极寻找具有高优值系数的热电材料制备易于加工和集成的高性能的微型热电能量采集器是未来研究工作的目标。微型热电能量采集器有广阔的应用前景。

关键词：温差发电热电材料塞贝克效应能量采集器微型热电能量采集器(MTEG)

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InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究

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光电子．激光 2015年第1期26卷 30-34页

作者：李世国龚谦曹春芳王新中沈晓霞周志文张卫丰范金坪深圳信息职业技术学院电子与通信技学院广东深圳518172 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器... 详细信息

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器中接触电阻的阻值。实验发现,退火时间对接触电阻的改变不大,但是提高退火温度却能极大地降低接触电阻的阻值。实验获得了Au/Ni/Au/Ge合金层与InAs/InP量子点激光器最佳欧姆接触条件,通过矩阵传输法测得相应接触电阻率为1.34×10-6Ω·cm2。在此条件下,制备激射中心波长为1.577μm的多模量子点激光器,室温下单面最大输出功率达到和超过39mW。

关键词：量子点激光器接触电阻合金化

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