检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2013年第3期19卷 109-113页

作者：陈明毕大炜黄辉祥邹世昌张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI... 详细信息

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad(Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累。

关键词： SOI MOS 退火效应总剂量辐射离子注入离子掺杂改性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

矩形微流道内三维水力聚焦效应理论计算

引用

微电子学 2013年第5期43卷 698-703页

作者：周林峰曾静彭艳刘梅上海大学机电工程与自动化学院上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

在矩形微流道内二维水力聚焦计算的基础上,对三维对称和非对称水力聚焦进行了详细的理论计算。根据质量守恒定律和泊肃叶速度剖面等式建立数学方程组,详细推导被聚焦样品流的位置和尺寸,绘制它们与各流速比之间的关系曲线,对影响聚焦的... 详细信息

在矩形微流道内二维水力聚焦计算的基础上,对三维对称和非对称水力聚焦进行了详细的理论计算。根据质量守恒定律和泊肃叶速度剖面等式建立数学方程组,详细推导被聚焦样品流的位置和尺寸,绘制它们与各流速比之间的关系曲线,对影响聚焦的各个参数进行了深入的讨论。

关键词：微流道水力聚焦泊肃叶速度剖面等式样品流鞘流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于二维长方晶格柱状光子晶体的衍射抑制

引用

功能材料与器件学报 2013年第2期19卷 73-78页

作者：李浩武爱民黄海阳李伟盛振王曦邹世昌甘甫烷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050 中国科学院大学北京100049

通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播。实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度... 详细信息

通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播。实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm。该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力。

关键词：光子晶体自准直

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一维纳米材料组装技术的研究进展

引用

材料导报 2013年第5期27卷 6-13,28页

作者：刘梅周林峰彭艳吴智政上海大学机电工程与自动化学院上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

分别分析和讨论了纳米线阵列直接有序生长法、随机组装法和不同驱动机制的组装法,展望了其下一步的研究方向。总体来说,直接有序生长法适用的材料范围受限制,对生长环境要求严格;随机组装法成功率比较低;而将纳米线合成和组装分立并加... 详细信息

分别分析和讨论了纳米线阵列直接有序生长法、随机组装法和不同驱动机制的组装法,展望了其下一步的研究方向。总体来说,直接有序生长法适用的材料范围受限制,对生长环境要求严格;随机组装法成功率比较低;而将纳米线合成和组装分立并加入驱动机制后,适用的材料范围广泛,组装效果提高。其中,液体剪切力驱动组装法、介电泳法、接触打印法和碾压法的效果最突出,都取得了很好的实验结果。未来的努力方向包括:如何更精确地控制纳米线阵列的位置、密度等参数,如何建立纳米线阵列与电路系统的电联接等。

关键词：一维纳米材料纳米线纳米管排列组装驱动机制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 449-452页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿... 详细信息

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。

关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

引用

微电子学 2013年第5期43卷 637-640,645页

作者：范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S... 详细信息

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。

关键词：相变存储器写驱动电路擦操作阶梯波

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 1-4页

作者：胡佳俊陈后鹏金荣王倩宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200005

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于... 详细信息

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。

关键词：过流保护短路电流返送

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征

引用

半导体技术 2013年第10期38卷 755-759页

作者：徐大伟程新红曹铎郑理万文艳俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当... 详细信息

采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当氧等离子体和氨等离子体的功率分别为75 W和150 W时,界面层的生长得到了有效控制,厚度为0.83 nm,X射线光电子能谱分析表明该界面层主要由具有较高介电常数的HfSiON组成。MIS电容被用来研究HfO2薄膜的电学特性,当HfO2薄膜物理厚度为3 nm时,等效栅氧厚度为1.04 nm,电容回滞大小为35.8 mV。漏电特性曲线显示,在距离平带电压为1 V的位置处,漏电流密度仅为0.64!A/cm2。

关键词：等离子体预处理等离子体增强原子层沉积（PEALD）氧化铪高介电常数材料界面优化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

外加电场对GaN/Al_xGa_(1-x)N双量子阱中性施主束缚能的影响

引用

量子电子学报 2013年第3期30卷 360-366页

作者：孟婧王海龙龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和... 详细信息

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。

关键词：光电子学束缚能中性施主变分法打靶法对称双量子阱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

原位液体透射电镜技术现状及展望简介

原位液体透射电镜技术现状及展望简介

引用

2014年全国电子显微学学术会议

作者：陈新成岩宋志棠周丽绘王宜冰王平曹红亮李唱魏非非华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海200050 华东理工大学上海200237 华东理工大学生物医药纳米技术中心上海200237

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：