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机构

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作者

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  • 1,138 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
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InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
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第十届全国分子束外延学术会议
作者: 周书星 滕腾 艾立鹍 徐安怀 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“epi-ready”掺Fe一InP (100)衬底。固态源Ga、In的纯度为7... 详细信息
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约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用
约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 应利良 亢心洁 张国锋 王会武 彭炜 孔祥燕 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
用阳极氧化工艺在Nb/Al-A1Ox/Nb约瑟夫森结四周形成氧化绝缘层是减小结的漏电流的有效手段.本文采用程控恒流阳极氧化法在Nb膜表面形成氧化层,应用阳极氧化电压谱图来分析和监控氧化条件及界面情况.X射线反射(XRR)和透射电子显微镜(TEM...
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失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响
失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响
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第十届全国分子束外延学术会议
作者: 方祥 顾溢 陈星佑 周立 曹远迎 李好斯白音 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文中,采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 %μm-1和3.1%μm-1的线性缓冲层样品,研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样,且采... 详细信息
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有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究
有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究
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第十届全国分子束外延学术会议
作者: 李耀耀 李爱珍 顾溢 张永刚 李好斯白音 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、红外光谱成像、医学诊断、工业控制、保密通信等领域有重要的... 详细信息
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2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证
2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证
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第十届全国分子束外延学术会议
作者: 顾溢 李好斯白音 张永刚 曹远迎 陈星佑 周立 李爱珍 李耀耀 王凯 方祥 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
本文通过提高量子阱中In的组分,使发光波长扩展到2pm以上,但是受到临界厚度的限制,In组分和量子阱厚度很难持续提高。实验上获得的最长发光波长被限制在2.3pm左右。通过采用三角量子阱可以在相同的阱层应变量下获得比传统方势阱更长... 详细信息
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胎儿心磁信号测量中的环境噪声抑制方法研究
胎儿心磁信号测量中的环境噪声抑制方法研究
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 李华 张树林 张永升 张朝祥 邱阳 王永良 张国峰 孔祥燕 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
高性能的环境噪声抑制方法是顺利开展胎儿心磁测量的关键.本文研究了磁屏蔽内,基于高灵敏度的SQUID磁强计合成补偿的噪声抑制方法.SQUID磁强计芯片尺寸为10 mm×10 mm,磁通磁场转换系数(e)B/(e)Φ为0.57 nT/Φ0,磁场灵敏度为7 fT/...
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SQUID动态电阻对磁通调制电路中匹配变压器放大性能影响研究
SQUID动态电阻对磁通调制电路中匹配变压器放大性能影响研究
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 王永良 徐小峰 张国峰 邱阳 张树林 孔祥燕 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海200050
直流超导量子干涉器件(SQUID∶ Superconducting QUantum Interference Device)读出电路使用最广泛的是磁通调制式电路.其采用匹配变压器放大SQUID信号,抑制温前置放大器电压噪声,实现低噪声读出.匹配变压器放大性能决定了磁通调制电...
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超薄NbN薄膜的制备与性能研究
超薄NbN薄膜的制备与性能研究
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 张露 孙锐 尤立星 彭炜 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究
SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 刘正太 李明颖 姚岐 樊聪聪 沈大伟 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为.SrIrO3单晶呈现关联金属态...
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生物磁探测中的环境噪声抑制方法研究
生物磁探测中的环境噪声抑制方法研究
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第十二届全国超导学术研讨会
作者: 张树林 谢晓明 李华 邱阳 张永升 王永良 张国峰 张朝祥 徐晓峰 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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