检索结果-内蒙古大学图书馆

InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)

红外与毫米波学报 2012年第5期31卷 385-388,398页

作者：王凯顾溢方祥周立李成李好斯白音张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A... 详细信息

采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.

关键词：化合物半导体分子束外延 InAlGaAs X射线衍射光致发光

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基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测

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物理学报 2012年第2期61卷 158-162页

作者：张树林刘扬波曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率激励下,N100m峰出现延时,100 Hz和1000 Hz之间的延时差别达到25 ms.相比于1 kHz特定频率的声音激励,1—4 kHz随机变频下的N100m峰幅度增强,出现了数毫秒的延时.本研究为下一步利用软件梯度计进行多通道脑磁系统和听觉机理研究奠定了一定的基础.

关键词：超导量子干涉器件脑磁梯度计听觉激励

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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响

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物理学报 2012年第5期61卷 92-96页

作者：胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管

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微纳技术应用中的快速频率响应测量方法

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常熟理工学院学报 2013年第4期27卷 39-45页

作者： Tomi Roinila 刘凯席文明雷李辉俞骁张惠国 Matti Vilkko 坦佩雷理工大学自动化科学技术系芬兰坦佩雷33101 厦门大学机电系福建厦门361005 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 常熟理工学院物理与电子工程学院江苏常熟215500

频率响应测试技术作为一种有效的系统辨识技术,可用于开发新型全自动系统,如微注射等.由于缺乏快速、高效的测量方法,频率响应测试技术仍未得到广泛应用.典型的频率响应测试是采用传统的正弦扫描法,一次测量往往需要几分钟.本文提出一... 详细信息

频率响应测试技术作为一种有效的系统辨识技术,可用于开发新型全自动系统,如微注射等.由于缺乏快速、高效的测量方法,频率响应测试技术仍未得到广泛应用.典型的频率响应测试是采用传统的正弦扫描法,一次测量往往需要几分钟.本文提出一种快速测量方法,以最大长度的伪随机二进制序列作为激励信号,利用互相关技术处理输出信号,得到系统的特征频率响应.采用这种方法只需几秒钟就能获得频率响应的测试结果.对三种不同系统的实际测试结果证实了该方法的有效性.

关键词：微纳米技术频率响应激励信号设计快速分析

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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：严进一龚谦曹春芳成若海王海龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 曲阜师范大学物理工程学院山东省曲阜市273165

可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测... 详细信息

可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测量等领域有广泛的应用.与量子阱激光器相比较,量子点激光器作为外腔激光器的增益介质时可获得更宽的波长调谐范围和更低的阈值电流密度.本文中,利用InAs/GaAs量子点激光器和Littrow小型化外腔装置构建了InAs/GaAs量子点外腔激光器,并对其进行了稳定性测试,单模粗调谐测试,无跳模连续调谐测试分析.

关键词：砷化铟量子点砷化镓量子点外腔激光器制造工艺分子束外延设备稳定性分析

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基于碳膜的柔性神经微电极阵列加工

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纳米技术与精密工程 2012年第2期10卷 184-188页

作者：朱壮晖周亮张华李刚金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,... 详细信息

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,通过光刻结合转膜、键合和牺牲层腐蚀技术,实现了具有柔性特征的碳膜神经微电极阵列.实验结果显示这种碳膜电极的电荷存储能力达到6.625 mC/cm2,是金电极的12.4倍,显示了良好的电化学稳定性和电荷注入能力,有利于其长期植入和安全有效地工作,可应用于新一代人工视网膜系统的构建.

关键词：柔性微电极碳膜电化学稳定性人工视网膜

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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术

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传感技术学报 2012年第7期25卷 885-890页

作者：王家畴刘洁丹李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海交通大学微纳科技研究院上海200240

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制... 详细信息

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制作出不同结构尺寸的腔体。同时,结合不同器件结构设计的需求,缝合微型释放窗口并进行后续工艺制作及最终可动结构释放。该技术采用微创手术式单硅片单面体硅工艺替代传统的表面微机械工艺,制作工艺简单,既具有单硅片单面加工的优势又便于与IC工艺兼容。文章详细讲述了微创手术式三维微机械结构的成型机理和工艺流程,并针对其关键技术进行了系统的分析,取得了令人满意的结果。

关键词： MEMS MISSM技术单硅片单面加工微型释放窗口

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1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究

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半导体光电 2012年第5期33卷 636-640,644页

作者：柳庆博龚谦曹春芳汪洋岳丽严进一成若海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得... 详细信息

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。

关键词：镜面外腔 InAs InP量子点激光器外腔调制模式压缩

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采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究

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无机材料学报 2012年第9期27卷 956-960页

作者：张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉温州大学物理与电子信息工程学院温州325035 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3... 详细信息

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.

关键词：石墨烯原子层沉积 Al2O3薄膜

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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作

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传感器与微系统 2012年第1期31卷 133-136页

作者：王辉吴燕红杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池... 详细信息

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。

关键词：电容加速度计金硅原电池反熔丝腐蚀自停止

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