检索结果-内蒙古大学图书馆

无机材料学报 2012年第9期27卷 956-960页

作者：张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉温州大学物理与电子信息工程学院温州325035 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3... 详细信息

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.

关键词：石墨烯原子层沉积 Al2O3薄膜

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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作

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传感器与微系统 2012年第1期31卷 133-136页

作者：王辉吴燕红杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池... 详细信息

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。

关键词：电容加速度计金硅原电池反熔丝腐蚀自停止

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微米尺度温差测试结构的研究

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 47-50页

作者：霍建琴冯飞王文荣戈肖鸿李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109... 详细信息

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109 K,与ANSYS仿真结果大致吻合;此外,利用该测试结构测得硅纳米线塞贝克系数为4.24×10-4V/K,与文献中硅材料一致。测试结果表明:该结构能够提供稳定的温度场并精确测量温差,满足微米尺度温差测试的基本要求。

关键词：微米尺度温差测试结构

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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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红外与激光工程 2012年第2期41卷 279-283页

作者：邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

关键词：快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs

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蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究

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上海第二工业大学学报 2013年第3期30卷 187-196页

作者：邢星王良咏刘卫丽谢华清宋志棠蒋莉邵群程继熊世伟刘洪涛上海第二工业大学城市建设与环境工程学院上海201209 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光... 详细信息

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光前后离心液上清液的金属元素质量分数与沉淀物红外光谱图,发现在抛光过程中蓝宝石与二氧化硅颗粒表面发生固-固相反应,生成硬度较小的硅铝酸盐,促进蓝宝石表面的化学抛光。通过分析重复使用的抛光液对去除速率和表面质量的影响,进一步确认蓝宝石化学机械抛光液中氧化硅与氧化铝的固-固作用机制。

关键词：化学机械抛光（CMP）蓝宝石机制

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全方位抗过载的压阻式三轴加速度计

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 87-90页

作者：王军诚吴艳红孙科杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀... 详细信息

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀硅〈110〉补偿条形成凸角实现纵向过载保护。封装后的加速度计利用激振台和落锤法进行了测试。测试结果表明:加速度计的三轴灵敏度分别为2.56,2.54,2.05 mV/gn,分辨率分别为0.53,0.87,0.77 mgn,三轴方向均具有超过3000 gn的抗过载能力。

关键词：压阻式三轴集成加速度计绝缘体上硅抗过载

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用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作

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传感器与微系统 2012年第12期31卷 107-110,113页

作者：蔡梅妮林友玲车录锋苏荣涛周晓峰黎晓林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个... 详细信息

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。

关键词：三明治电容式MEMS加速度传感器自停止腐蚀品质因数器件级真空封装双面划片

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InAs/InP量子点激光器制备工艺研究

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光电子．激光 2012年第1期23卷 94-97页

作者：李世国龚谦王瑞春王新中陈朋曹春芳岳丽刘庆博深圳信息职业技术学院电子通信技术系深圳518029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊... 详细信息

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。

关键词：激光器量子点腐蚀溶液腐蚀方向

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铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备

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化学通报 2012年第2期75卷 172-175页

作者：刘彬张缓缓金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

金属微电极表面的纳米级处理可以大大提高电极的性能。本文基于微加工及电化学技术在铂微电极位点上制备了一致性良好的氧化铝纳米结构。通过对基片铂层表面等离子体处理,使铝膜与铂层之间粘附力明显增强。利用二次阳极氧化法,在铂微电... 详细信息

金属微电极表面的纳米级处理可以大大提高电极的性能。本文基于微加工及电化学技术在铂微电极位点上制备了一致性良好的氧化铝纳米结构。通过对基片铂层表面等离子体处理,使铝膜与铂层之间粘附力明显增强。利用二次阳极氧化法,在铂微电极位点上制备出纳米孔。结果表明,30V是该条件下比较理想的氧化电压。同时,通过对氧化过程中电流的监测,发现当铝膜完全氧化后电流大幅上升,可将此现象作为终止阳极氧化的标志。这种微电极位点处的氧化铝模板可进一步用于不同材料纳米微电极的制备。

关键词：多孔氧化铝微电极铂基氧化电压生长机理

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非晶Si-Sb-Te薄膜的光致晶化特性及其表征

非晶Si-Sb-Te薄膜的光致晶化特性及其表征

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第十九届全国半导体物理学术会议

作者：朱伟玲周东李思勉文婷宋志棠赖天树广东石油化工学院广东茂名525000 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 石家庄经济学院河北石家庄050031 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275

任一材料的各种相变存储性能不可能同时最优,因此,材料性能的优化和新材料的研发对相变存储技术的发展非常重要.近年来Si-Sb-Te薄膜作为一种新型电致相变材料已被深入研究[1,2].

关键词：

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