检索结果-内蒙古大学图书馆

光通信技术 2012年第4期36卷 22-24页

作者：刘英明徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰... 详细信息

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰峰值为50mv,响应时间为10μs的调制后波形。

关键词：体硅工艺光栅光阀光学调制器绝缘体上硅消光比

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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装

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半导体技术 2012年第10期37卷 790-794,814页

作者：蔡梅妮车录锋林友玲周晓峰黎晓林吴健中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中... 详细信息

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中常用的材料、工艺,可适用于不同尺寸或布局的MEMS芯片。利用该封装方法,对一种采用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上制作出2个对称"V"型槽的三明治式电容加速度计进行了真空封装,并对封装后的器件进行性能测试。结果表明,该加速度计在有吸气剂的情况下,品质因子(Q)可达到76,理论热机械噪声为0.026μg/槡Hz,腔体内部压强小于13 Pa,He气细漏检测漏率低于3×10-10Pa.m3/s,氟油粗漏无气泡,满足地震监测要求。

关键词：三明治式MEMS加速度计自停止腐蚀工艺吸气剂品质因子器件级真空封装

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基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器

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光电子．激光 2012年第9期23卷 1635-1643页

作者：翟雷应徐静吴亚明刘闯雷洪波陶大勇中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中石油吉林石化分公司化肥厂吉林132021 中石油吉林石化分公司炼油厂吉林132022

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器... 详细信息

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器,避免了拉伸光纤或改变折射率的困难,具有MEMS技术批量制造、低成本等优势。采用MEMS工艺成功制作出MEMS光纤相位调制器,并实现Michelson光纤干涉仪。利用ASE宽带光源对光纤相位调制器的静态调制特性进行测试,采用Michelson光纤干涉仪对光纤相位调制器的动态调制特性进行测试,结果表明,MEMS光纤相位调制器50V偏压实现了1 550nm光波的2π相位调制,当器件谐振频率为7.15kHz以及交、直流电压幅值分别为12.5V时,响应幅值可达6.8μm,可以实现多个2π的相位的正弦调制。

关键词：光纤相位调制器 MEMS 垂直梳齿微镜光纤传感器

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分子束外延生长Bi2Te3薄膜

分子束外延生长Bi2Te3薄膜

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王庶民宋禹忻信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通... 详细信息

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通过螺旋生长的方式会形成三角型岛。依据于三角型岛和螺旋的取向，两个相遇的三维岛可能会平滑接合或者互相排斥从而在相遇处产生形如沟壑的结构缺陷。

关键词：化合物半导体热电材料分子束外延生长

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表面等离子体激元微盘的优化设计及应用

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光学学报 2012年第7期32卷 148-153页

作者：卢启景吴根柱陈达如刘军刘旭安周沛浙江师范大学光学信息研究所浙江金华321004 浙江师范大学与浙江大学光学联合研究实验室浙江杭州310058 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

表面等离子体激元(SPP)微腔具有很高的品质因子和极小的模式体积,在光电子器件研究方面具有重要的应用价值。采用有限元法对表面等离子体激元的金属覆盖介质微盘谐振腔进行理论模拟,研究考虑微盘底半径、介质层厚度及金属膜厚度等参数... 详细信息

表面等离子体激元(SPP)微腔具有很高的品质因子和极小的模式体积,在光电子器件研究方面具有重要的应用价值。采用有限元法对表面等离子体激元的金属覆盖介质微盘谐振腔进行理论模拟,研究考虑微盘底半径、介质层厚度及金属膜厚度等参数对微盘表面等离子体模的品质因子及模体积的影响。研究表明,在光通信波段1550nm附近获得高品质因子(1000以上),极低模式体积的表面等离子体微盘。最后研究了利用优化设计的微盘进行折射率传感的应用,获得了高达300nm/RIU的折射率传感灵敏度。

关键词：激光技术光学微腔回音壁模式表面等离子体激元有限元法

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基于SCR的SOI ESD保护器件研究

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功能材料与器件学报 2012年第1期18卷 17-22页

作者：夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14c... 详细信息

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。

关键词： SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件

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超导纳米线单光子探测器动态电感研究

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低温与超导 2012年第11期40卷 18-21页

作者：巫君杰尤立星刘登宽陈思井信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100190

单光子探测是一种量子极限光信号的检测技术,超导纳米线单光子探测器(Superconducting NanowireSingle-Photon Detector,SNSPD)作为一种新型的单光子探测技术,在量子通信等众多领域有着广阔的应用前景。SNSPD的动态电感直接决定了SNSPD... 详细信息

单光子探测是一种量子极限光信号的检测技术,超导纳米线单光子探测器(Superconducting NanowireSingle-Photon Detector,SNSPD)作为一种新型的单光子探测技术,在量子通信等众多领域有着广阔的应用前景。SNSPD的动态电感直接决定了SNSPD的工作速度。文中对SNSPD动态电感的特性和测试方法做了详细的研究,成功实现了低温下SNSPD动态电感的测试,并对结果进行了分析处理和研究。利用BCS理论对动态电感随温度、偏置电流变化的特性进行分析计算,并与实际测量结果对比讨论,为未来如何降低SNSPD动态电感、提高其性能的研究工作提供了参考依据。

关键词：单光子探测超导纳米线单光子探测动态电感 BCS理论

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一种具有掉电数据保持功能的触发器设计

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微电子学与计算机 2012年第7期29卷 4-7页

作者：张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/... 详细信息

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.

关键词：相变存储器掉电数据保持触发器双置位

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基于相变存储器的音频存储播放系统设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 327-331页

作者：许林海陈小刚宋志棠陈一峰丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单... 详细信息

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出。板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作。由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础。

关键词：相变存储器音频存储播放系统 AD73311 FPGA Verilog硬件描述语言

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一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计

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微电子学 2012年第3期42卷 376-379页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩蔡道林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提... 详细信息

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。

关键词： LDO 瞬态响应相位裕度

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