检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 520-525页

作者：张磊汪海波张泽芳王良咏刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 详细信息

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词： PS/SiO2 复合磨料铜化学机械抛光

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基于卷积码的DFT-S-GMC系统迭代检测算法

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通信学报 2011年第3期32卷 33-39页

作者：芮赟唐斯亮李明齐罗银辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室陕西西安710071 总参通信部驻上海地区军事代表室上海200082 西南交通大学信息编码与传输四川省重点实验室四川成都610000 上海交通大学电子信息与工程学院上海200240

针对基于离散傅立叶变换扩频的广义多载波系统(DFT-S-GMC),提出一种新的迭代检测方法。该方法基于DFT-S-GMC系统的频域收发结构,并根据线性最小均方误差(LMMSE)检测所得发送符号的后验均值和方差来表征其统计概率分布,从而完成检测器和... 详细信息

针对基于离散傅立叶变换扩频的广义多载波系统(DFT-S-GMC),提出一种新的迭代检测方法。该方法基于DFT-S-GMC系统的频域收发结构,并根据线性最小均方误差(LMMSE)检测所得发送符号的后验均值和方差来表征其统计概率分布,从而完成检测器和译码器的信息传递。仿真结果表明,所提出迭代检测接收算法的性能明显优于传统的非迭代检测接收算法,并且在卷积码下的迭代检测性能超过了Turbo码下的非迭代检测性能,而其实现复杂度则有较大降低。

关键词： DFT-S-GMC 迭代检测高斯分布 MMSE

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一种1kb相变存储芯片的设计

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微电子学 2011年第6期41卷 844-847,851页

作者：丁晟宋志棠陈后鹏蔡道林陈一峰王倩陈小刚刘波谢志峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器... 详细信息

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。

关键词：存储器相变存储器相变存储芯片

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一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

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微电子学 2011年第6期41卷 840-843页

作者：陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 微芯科技公司中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电... 详细信息

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。

关键词：相变存储器非易失性存储器电流阶梯波擦驱动电路

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溶解氧的测定

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化学传感器 2011年第4期31卷 39-43页

作者：刘彬张缓缓金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院浙江杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

在环境水质监测和医学上,溶解氧都是一个非常重要的指数。因此如何准确快速地测定溶解氧的值,对于指导很多领域的工作都是很有现实意义的。从溶解氧的现行方法出发,重点介绍了以传感器为核心的溶解氧测定方法及其优越性,展望了基于MEMS... 详细信息

在环境水质监测和医学上,溶解氧都是一个非常重要的指数。因此如何准确快速地测定溶解氧的值,对于指导很多领域的工作都是很有现实意义的。从溶解氧的现行方法出发,重点介绍了以传感器为核心的溶解氧测定方法及其优越性,展望了基于MEMS工艺下溶解氧传感器的应用前景。

关键词：溶解氧碘量法光学法电化学法传感器

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硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长

硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：卞剑涛薛忠营陈达刘林杰姜海涛狄增峰张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获... 详细信息

采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在<001>Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获得高质量的Ge外延薄膜，350℃和600℃低温/高温两步生长的1.15μm锗薄膜位错密度为6×106cm-2.

关键词：锗薄膜材料外延生长位错密度减压化学气相沉积

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相变存储器研究现状及产业化关键技术开发

相变存储器研究现状及产业化关键技术开发

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第十届全国固体缺陷学术研讨会

作者：刘波宋志棠封松林吴关平中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.本文...

相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.本文系统地介绍了相变存储器的原理、研发历程、研究规划和研究现状.针对相变存储器的产业化过程中所面临的关键科学技术问题进行了深入分析,重点介绍了我国相变存储器产业化的关键技术研发现状,主要包括驱动二极管、纳米电极、器件结构设计与工艺实现、新型相变材料研制、电路设计专利布局以及试验芯片等方面的最新研究进展.

关键词：

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基于嵌入式系统的数字化超导量子干涉器件硬件模拟器

基于嵌入式系统的数字化超导量子干涉器件硬件模拟器

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：伍俊荣亮亮千永良常凯谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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