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机构

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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
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超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响
超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 陈达 刘林杰 薛忠营 魏星 狄增峰 张苗 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上,采用H离子注入,随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明,1)超薄SiGe层... 详细信息
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KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究
KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 李明颖 方爱华 谢晓明 黄富强 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 2000501 中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室上海 2000502
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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 余涛 陈静 罗杰馨 柴展 伍青青 吴雪梅 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中,Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15%、26%、33%、45%、55%。研究结果显示,Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度,并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息
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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应
NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 范峰 鲁玉明 刘志勇 应利良 蔡传兵 上海大学超导及应用技术研究中心 上海大学上海200444中国 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050中国
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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 陈达 贾晓云 高晓强 刘肃 张苗 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
硅锗作为新型微电子材料,近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源,利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征,研究... 详细信息
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一种高参数容差的SQUID自举电路
一种高参数容差的SQUID自举电路
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 张国峰 张懿 董慧 谢晓明 Hans-Joachim Krause Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425 Germany Joint Research 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele
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一种应用于SBC(SQUID Bootstrap Circuit)的大带宽、高摆率组合前置放大器
一种应用于SBC(SQUID Bootstrap Circuit)的大带宽、高摆率组合前...
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 常凯 荣亮亮 伍俊 王会武 张懿 谢晓明 Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research
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工作于准电压偏置下的SQUID自举电路(SBC)研究
工作于准电压偏置下的SQUID自举电路(SBC)研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 董慧 张国锋 王永良 Yi Zhang 谢晓明 Hans-Joachim Krause Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research
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SBC(SQUID Bootstrap Circuit)偏置反转技术研究
SBC(SQUID Bootstrap Circuit)偏置反转技术研究
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
作者: 荣亮亮 张国峰 伍俊 董慧 王永良 Yi Zhang 谢晓明 Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany
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CMOS兼容自对准微机械热电堆红外探测器
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光学学报 2010年 第10期30卷 2817-2820页
作者: 徐德辉 熊斌 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。提出了一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂... 详细信息
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