检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 471-476页

作者：李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。

关键词：分布反馈激光器全息曝光光栅制备

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

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半导体技术 2009年第6期34卷 543-545页

作者：唐道远李晓良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

关键词：应变补偿多量子阱超辐射发光管台面湿法腐蚀感应耦合等离子体

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高量程压阻加速度传感器横向响应的测试及分析

高量程压阻加速度传感器横向响应的测试及分析

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第11届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：鲍海飞李昕欣宋朝辉张鲲刘民陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

文中提出了一种高量程压阻加速度传感器的灵敏度和横向灵敏度参数在动态冲击环境下的简易测试方法。采用金属杆自由落体的比较法,即将待测试的加速度传感器和已标定过的加速度传感器以背靠背的形式固定在金属杆的尾端,金属杆从一定高度... 详细信息

文中提出了一种高量程压阻加速度传感器的灵敏度和横向灵敏度参数在动态冲击环境下的简易测试方法。采用金属杆自由落体的比较法,即将待测试的加速度传感器和已标定过的加速度传感器以背靠背的形式固定在金属杆的尾端,金属杆从一定高度自由落下与放置在地面上的金属砧发生相互碰撞,利用双通道放大器和计算机数据采集系统同时记录两路信号。实验中分别对6000g和60000g的压阻加速度传感器进行了研究,该方法具有较好的重复性和可靠性,并分析了测试偏差来源对横向响应的影响。

关键词：高量程压阻加速度传感器横向响应波形比较法自由落杆微机电系统

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共振声子太赫兹量子级联激光器研究

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中国电子科学研究院学报 2009年第3期4卷 244-248页

作者：黎华韩英军谭智勇张戎郭旭光曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹... 详细信息

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹量子级联激光器发射功率的方案。

关键词：太赫兹量子级联激光器蒙特卡洛方法功率

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低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：刘翔皋华敏李铁周萍王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院，北京，100039 传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯... 详细信息

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯片而言，没有可动部件，不需要复杂的微泵微阀结构和控制，成为当前研究的热点。本文基于静电力的驱动原理，只需单层控制电极，工艺简单，通过优化结构，采用高介电常数介质层和减少介质层厚度，大大降低了液滴驱动电压。

关键词：微全分析系统数字微流控芯片静电力驱动

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CMOS兼容的微机械热电堆红外探测器阵列研究

CMOS兼容的微机械热电堆红外探测器阵列研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐德辉熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海 200050 中国科学院研究生院北京 100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海 200050

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷，后续检测电路简单，成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。本文设计并制造了两种2.2微机械热电堆红外探测器阵列，热电堆的热电偶材料采用N型多晶硅和铝，结构支撑膜为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复... 详细信息

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷，后续检测电路简单，成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。本文设计并制造了两种2.2微机械热电堆红外探测器阵列，热电堆的热电偶材料采用N型多晶硅和铝，结构支撑膜为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合介质膜，悬浮绝热结构是通过前端XeF2干法各向同性硅腐蚀工艺而制备。阵列器件采用两维的面阵列结构，单元探测器则以串联和并联两种方式分别组成阵列，并联方式的阵列可以实现红外探测并行扫描的功能，串联的阵列则可以进一步提高红外探测器的输出电压及探测率，但不能提高器件的响应率。由于采用XeF2干法工艺对器件进行最终释放，器件的良率可以得到很大的提高;热电堆的材料及制造工艺都与标准CMOS技术完全兼容，器件的成本可以进一步的降低。

关键词：微机械热电堆红外探测器热电偶材料多晶硅结构支撑膜干法各向同性硅腐蚀工艺

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两维碰撞加速度传感器及其实用化

两维碰撞加速度传感器及其实用化

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第11届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：周伟刘民姜伟李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

基于MEMS加工和模块化封装来制作用于碰撞冲击测量的加速度传感器。该传感器采用新型三梁-质量块敏感结构,在提高灵敏度的同时拓宽了频带范围。通过压阻效应形成惠斯通电桥,在500g的量程下,灵敏度达到0.3mV/g/5V,固有频率15kHz。传感器... 详细信息

基于MEMS加工和模块化封装来制作用于碰撞冲击测量的加速度传感器。该传感器采用新型三梁-质量块敏感结构,在提高灵敏度的同时拓宽了频带范围。通过压阻效应形成惠斯通电桥,在500g的量程下,灵敏度达到0.3mV/g/5V,固有频率15kHz。传感器贴装在PCB板上,由经济实用的放大电路进行处理,可以实现两维的加速度测量,电压输出1～4V,带宽500Hz。传感器在车辆运输等实际环境下进行了试用,性能可靠稳定,具有良好的实用化前景。

关键词：加速度传感器碰撞冲击测量两维碰撞 MEMS加工模块化封装

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太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

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第十七届全国半导体物理学术会议

作者：曹俊诚李武群黎华谭智勇张戎韩英军郭旭光王长常俊钟旭信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，... 详细信息

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，THz波的频带宽、测量信噪比高、适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。本文将报告在THz量子级联激光器(QCL)和THz通信方面的研究进展。

关键词：半导体激光器太赫兹波时间分辨率信号处理

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SOI器件总剂量辐射效应研究进展

SOI器件总剂量辐射效应研究进展

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对... 详细信息

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响,并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展。

关键词：栅氧化层全耗尽晶体管部分耗尽总剂量效应总剂量辐射效应 SOI

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太赫兹量子级联激光器及其应用

太赫兹量子级联激光器及其应用

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第八届全国光学前沿问题讨论会

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

太赫兹(THz)波适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。THz辐射源与探测器是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射的产生方式中... 详细信息

太赫兹(THz)波适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。THz辐射源与探测器是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射的产生方式中,基于半导体的THz量子级联激光器(QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点之一。THz量子阱探测器

关键词：太赫兹量子级联激光器量子阱探测器 THz

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