检索结果-内蒙古大学图书馆

第十届超导学术交流会

作者：王兴尤立星杨晓燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院研究生院北京 100190 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过... 详细信息

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过准粒子电阻Rqp(T)与～V曲线得到了mesa的实际温度Tmesa,并由Tmesa与热功率耗散P的关系得到了mesa的热阻α。

关键词：本征Josephson结顶电极电流电压特性热效应热功率耗散

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注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：王茹张正选俞文杰田浩毕大炜张帅陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化... 详细信息

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷,但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱,这补偿了辐射感生正空间电荷,抑制了辐射感生的陷阱电荷,最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。

关键词： SIMOX材料总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷

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浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹中国科学院研究生院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。

关键词：控制电路存储单元总剂量辐射效应电荷损失

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注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究

注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

采用Si注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料,对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si的BOX层中形成了硅纳米晶体... 详细信息

采用Si注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料,对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇,其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力。

关键词：全耗尽 SIMOX材料总剂量效应 pseudo-MOSFET 硅纳米晶体

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二维硅柱子光子晶体中的负折射及亚波长成像

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徐州工程学院学报（自然科学版） 2009年第1期24卷 71-75页

作者：孙建沈义峰吕海萍殷春浩中国矿业大学理学院江苏徐州221008 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具... 详细信息

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具有亚波长成像的能力.

关键词：光子晶体负折射超透镜亚波长成像

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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

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氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第4期27卷 317-320页

作者：曹萌吴惠桢劳燕峰曹春芳刘成中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增... 详细信息

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小。H+注入过程中,部分隧穿H+会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H+也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化。高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H+注入能量或剂量的增大而增加。退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因。

关键词：离子注入光致发光量子阱互混

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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感器

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传感技术学报 2008年第2期21卷 230-232页

作者：徐玮鹤林友玲车录锋李玉芳熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 详细信息

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。

关键词：电容式加速度传感器硅硅键合圆片级真空封装

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基于PI衬底的柔性MEMS电容式触觉力传感器设计与制作

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传感技术学报 2008年第2期21卷 280-283页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载... 详细信息

论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载体硅片与PI衬底之间引进PDMS分离层,使得柔性器件的分离工艺大大简化。最后得到一种简单、低廉且与常规MEMS技术兼容的工艺。所制的传感器结构轻薄,可挠性好,且能贴附在任意形状的物体表面同时实现法向力和切向力的测量。

关键词：柔性MEMS 触觉传感器聚酰亚胺(PI) 聚二甲基硅氧烷(PDMS)

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MEMS悬臂梁式芯片测试探卡

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传感技术学报 2008年第3期21卷 420-423页

作者：汪飞李昕欣郭南翔封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

针对集成电路圆片级测试需要,利用MEMS技术设计制作了一种悬臂梁式芯片测试探卡。每个悬臂梁在设计时可以承受25mN的探测力,同时使探针针尖产生20μm以上的位移。通过独特的双面金属覆盖设计,电学测试信号可以成功地从位于硅悬臂梁下方... 详细信息

针对集成电路圆片级测试需要,利用MEMS技术设计制作了一种悬臂梁式芯片测试探卡。每个悬臂梁在设计时可以承受25mN的探测力,同时使探针针尖产生20μm以上的位移。通过独特的双面金属覆盖设计,电学测试信号可以成功地从位于硅悬臂梁下方的探针针尖,引到位于玻璃上层的封装焊盘,并进而与自动测试仪器连接。由于采用了二次台阶的结构设计,相邻探针之间可以实现金属自隔断。初步测试表明,探针针尖到引线的电阻值在0.8Ω以下,而相邻探针之间的绝缘电阻则高达500GΩ。硅悬臂梁的弹性系数为1126.8Nm-1,与设计值相吻合。

关键词：微机械探卡芯片测试悬臂梁接触电阻

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