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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
1139 条 记 录,以下是781-790 订阅
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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响
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Journal of Semiconductors 2008年 第4期29卷 765-769页
作者: 刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结... 详细信息
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基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究
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传感器与微系统 2008年 第12期27卷 118-120页
作者: 陆荣 陆松涛 杨恒 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝... 详细信息
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非对称DC SQUID的数值模拟研究
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稀有金属材料与工程 2008年 第A04期37卷 377-380页
作者: 王会武 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DCSQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DCSQUID器件的磁通电压转换系数的影响,比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电... 详细信息
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超导单光子探测器件直流特性研究
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低温与超导 2008年 第12期36卷 35-37页
作者: 申小芳 杨晓燕 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器(SNSPD)的计数率可达到GHz,时间抖动小于100ps,因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息
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外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性
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Journal of Semiconductors 2008年 第7期29卷 1357-1359页
作者: 王立敏 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.... 详细信息
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旋转超导体产生的微弱伦敦磁场的探测
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稀有金属材料与工程 2008年 第A04期37卷 420-423页
作者: 谢晓明 孙越 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场,称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究,使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰,采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的... 详细信息
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SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计
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稀有金属材料与工程 2008年 第A04期37卷 457-460页
作者: 王永良 王会武 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分... 详细信息
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温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装
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红外与毫米波学报 2008年 第3期27卷 176-179页
作者: 赵伟明 甘新慧 戴明 徐岭 孙萍 李卫 马懿 马忠元 吴良才 徐骏 陈坤基 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系 江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像... 详细信息
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An Electrostatic MEMS Actuator with Large Displacement Under Low Driving Voltage
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Journal of Semiconductors 2008年 第9期29卷 1703-1707页
作者: 明安杰 李铁 周萍 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室 中国科学院研究生院 北京100049
A comb-drive actuator for lateral movement of over 100μm under low driving voltage is designed. Side stability is analyzed to improve the performance of the actuator. According to the analysis,a comb-drive actuator w... 详细信息
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单壁碳纳米管拉伸试验的分子动力学模拟
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中国科学(E辑) 2008年 第3期38卷 411-420页
作者: 付称心 陈云飞 焦继伟 东南大学成贤学院机械工程系 南京210096 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海201800
采用Brenner势函数描述碳纳米管中碳原子间的相互作用,通过分子动力学方法对几种单壁碳纳米管进行轴向拉伸试验研究,得出其Young模量为4.2 TPa,强度极限为1.40~1.77 TPa.在对碳管拉伸过程中,发现只要应变不达到断裂极限,卸载时的应力-... 详细信息
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