检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2008年第1期45卷 1-5页

作者：李昕欣夏晓媛张志祥中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

回顾和概括了MEMS机电器件进入μm/nm尺度后解决的几个关键性问题。结合微机电器件发展的典型事例进行分析,对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定。分析目前机电器件走向nm尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题。对机... 详细信息

回顾和概括了MEMS机电器件进入μm/nm尺度后解决的几个关键性问题。结合微机电器件发展的典型事例进行分析,对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定。分析目前机电器件走向nm尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题。对机电器件从微到纳的发展趋势进行了展望。

关键词：微电子机械系统纳电子机械系统 nm尺度效应

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柔性衬底微电极在视网膜修复上的应用

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生物医学工程学杂志 2008年第4期25卷 938-940页

作者：惠春李博徐爱兰邢玉梅李刚赵建龙任秋实上海交通大学生命科学技术学院上海200030 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍了柔性神经微电极最新研究进展及其在视网膜修复上的应用价值。报道了目前柔性神经微电极主要采用的基底材料性能、微结构以及表征方法。

关键词：柔性神经微电极视网膜修复生物柔性材料

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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 859-863页

作者：魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。

关键词：湿法刻蚀脉冲阳极氧化斜率效率

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带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

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发光学报 2008年第6期29卷 1076-1080页

作者：甘新慧廖远宝刘东戴明徐岭吴良才马忠元徐骏南京大学固体微结构物理国家重点实验室、南京大学物理系江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对... 详细信息

CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。

关键词： CdS纳米晶薄膜化学浴淀积法紫外可见光吸收谱

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离子束辅助沉积铂碳混合膜及其抑制栅电子发射性能

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 757-762页

作者：江炳尧冯涛王曦柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学上海200062

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态... 详细信息

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。

关键词：离子束辅助沉积铂碳混合膜栅电子发射

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THz量子级联激光器用材料的生长及器件制作

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功能材料信息 2008年第1期5卷 25-26页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

采用分子束外延法,生长了GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.85)As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器,并按单面金属波导制备工艺制作了器件。材料的结构通过高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的Ⅰ—Ⅴ曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

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二〇〇八年激光探测、制导与对抗技术发展与应用研讨会

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海 200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器，其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征，结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作，且在热电制冷温度... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器，其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征，结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作，且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作，实测响应速度已达数十ps量级，可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷分子束外延激光雷达

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反向原子转移自由基法制备SiO2／PMMA复合粒子

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大连工业大学学报 2008年第1期27卷 54-57页

作者：郭爽颜培力马铁成大连工业大学化工与材料学院辽宁大连116034 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用反向原子转移自由基法,制备了SiO2/PMMA复合粒子。用硅烷偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对纳米SiO2进行表面改性,通过亲水亲油性实验,确定了硅烷偶联剂的最佳用量(质量分数为10%)。通过红外光谱和热重分析,证明聚甲基丙... 详细信息

采用反向原子转移自由基法,制备了SiO2/PMMA复合粒子。用硅烷偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对纳米SiO2进行表面改性,通过亲水亲油性实验,确定了硅烷偶联剂的最佳用量(质量分数为10%)。通过红外光谱和热重分析,证明聚甲基丙烯酸甲酯是通过化学键合接枝到纳米SiO2粒子表面。用透射电镜观察了纳米SiO2和复合粒子在乙醇中的分散情况,表明复合粒子的分散效果更好。

关键词： SiO2/PMMA复合粒子纳米SiO2 硅烷偶联剂

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波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

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2008年激光探测、制导与对抗技术研讨会

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基... 详细信息

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p-InP/n-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明,InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合

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