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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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285 篇 会议

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973 篇 工学
- 466 篇 电子科学与技术（可...
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- 213 篇 仪器科学与技术
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- 161 篇 机械工程
- 68 篇 化学工程与技术
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- 53 篇 控制科学与工程
- 25 篇 计算机科学与技术...
- 24 篇 动力工程及工程热...
- 16 篇 信息与通信工程
- 12 篇 生物医学工程（可授...
- 12 篇 生物工程
- 10 篇 航空宇航科学与技...
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- 6 篇 力学（可授工学、理...
- 5 篇 地质资源与地质工...
- 5 篇 环境科学与工程（可...
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207 篇 理学
- 138 篇 物理学
- 62 篇 化学
- 10 篇 生物学
- 5 篇 系统科学
18 篇 医学
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- 4 篇 临床医学
- 4 篇 医学技术（可授医学...
- 3 篇 基础医学(可授医学...
12 篇 农学
- 6 篇 作物学
- 5 篇 农业资源与环境
4 篇 管理学
3 篇 军事学
2 篇 经济学
2 篇 艺术学
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主题

31 篇 相变存储器
30 篇 微机电系统
22 篇 分子束外延
21 篇 mems
20 篇 ingaas
17 篇 石墨烯
17 篇 量子级联激光器
17 篇 微机械陀螺
17 篇 垂直腔面发射激光...
16 篇 光电探测器
16 篇 soi
15 篇 气态源分子束外延
15 篇 微电子机械系统
14 篇 半导体激光器
12 篇 化学机械抛光
12 篇 化合物半导体
12 篇 微流控芯片
11 篇 红外探测器
11 篇 太赫兹
10 篇 传感器

机构

373 篇 中国科学院上海微...
263 篇 中国科学院上海微...
185 篇 中国科学院大学
146 篇 中国科学院上海微...
120 篇 中国科学院上海微...
108 篇 中国科学院研究生...
44 篇 信息功能材料国家...
43 篇 上海科技大学
42 篇 中国科学院超导电...
42 篇 浙江大学
29 篇 上海大学
26 篇 中国科学院上海微...
20 篇 信息功能材料国家...
19 篇 上海交通大学
17 篇 复旦大学
17 篇 曲阜师范大学
16 篇 同济大学
16 篇 中国科学院上海微...
12 篇 中国科学院
12 篇 宁波大学

作者

130 篇 王跃林
90 篇 张永刚
82 篇 宋志棠
73 篇 李昕欣
63 篇 李爱珍
63 篇 谢晓明
55 篇 顾溢
53 篇 金庆辉
53 篇 赵建龙
51 篇 龚谦
50 篇 吴惠桢
45 篇 孔祥燕
43 篇 熊斌
42 篇 车录锋
42 篇 吴亚明
41 篇 王永良
41 篇 wang yue-lin
40 篇 劳燕锋
37 篇 尤立星
37 篇 焦继伟

语言

1,137 篇 中文

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排序：

注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响

注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响

引用

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSOI的抗辐射加固领域,采用氮离子注入、... 详细信息

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSOI的抗辐射加固领域,采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固.采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析,在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明,注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得,圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。

关键词： SOI材料注硅工艺智能剥离硅离子注入纳米晶改性处理抗辐照性能

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无屏蔽环境下基于SQUID探测的多通道极低场MRI研究

无屏蔽环境下基于SQUID探测的多通道极低场MRI研究

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第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：刘超邱隆清董慧常宝林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在无屏蔽实验室环境中，我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计探测系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量信噪比，一对软铁屏蔽的永磁体被用作预极化场，其中心磁场达0.65T;为了精... 详细信息

在无屏蔽实验室环境中，我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计探测系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量信噪比，一对软铁屏蔽的永磁体被用作预极化场，其中心磁场达0.65T;为了精确快速地在永磁体和SQUID探测器之间传输样品，我们采用了一套商用的电动执行器.在传送距离为1m时，传输时间约为350ms.采用由6组线圈组成的全张量一阶梯度补偿方法，极大地改善了测量场均匀性.采用傅里叶成像方法及多通道加权叠加重建算法，获得了果蔬样品的四通道极低场MRI二维及三维图像，三维图像空间分辨率达224mm2.

关键词： SQUID 极低场MRI 全张量梯度补偿多通道

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不同参数下SQUID直读电路传输特性研究

不同参数下SQUID直读电路传输特性研究

引用

第十二届全国超导学术研讨会

作者：徐小峰王永良张国峰邱阳张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

磁通量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum interference Device)是极其灵敏的非线性磁通-电压转换器,需要采用基于磁通锁定环路原理的读出电路实现其磁通-电压的线性转换.直读式读出电路结构简单,体积小,易于集成,广泛应用于...

磁通量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum interference Device)是极其灵敏的非线性磁通-电压转换器,需要采用基于磁通锁定环路原理的读出电路实现其磁通-电压的线性转换.直读式读出电路结构简单,体积小,易于集成,广泛应用于多通道SQUID探测系统中.

关键词：

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高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

引用

第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良徐小峰孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海 200050

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁... 详细信息

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁通达到整数个磁通量子时,通过FLL 复位实现工作点迁移重新锁定输出,记录工作点迁移的磁通量子数和FLL模拟输出,实现大量程磁通测量。磁通量子计数式读出电路的关键是要求FLL 能快速准确地完成预设工作点迁移,否则出现复位失败和磁通量子误计数。本文高性能读出电路采用无积分器的FLL 设计,缩短复位时间,提高电路响应能力。同时采用状态控制电路,确保工作点迁移到预定的工作点,避免了误计数。经实验验证上述电路工作点切换时间小于5uS,可满足200kHz 高采样率测量应用需求。

关键词：直流超导量子干涉器件读出电路磁通量子计数磁通锁定回路

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短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用

短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚顾溢李成王凯李好斯白音方祥中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。

关键词：短波红外光电探测器化合物半导体非通讯应用

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薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制

薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：王中健程新红夏超徐大伟俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好，保持在0.36 Nm附近，波动值... 详细信息

本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好，保持在0.36 Nm附近，波动值极小。较好的薄膜均匀性保证了器件耐压的均一性。

关键词：横向扩散金属氧化物半导体器件产品结构击穿电压薄膜体硅材料

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单模宽调谐量子级联激光器的研究

单模宽调谐量子级联激光器的研究

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李耀耀李爱珍张永刚顾溢徐刚毅王凯信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

为了应对复杂多变的测量环境，提高测量分辨率，要求QCLs能够具有较宽的光谱调谐范围和优良的单模特性。本文分析了实验室利用分布反馈(Distributed Feedback, DFB)光栅的DFB QCLs和利用外腔结构的EC QCLs实现单模工作的两种QCL结构的... 详细信息

为了应对复杂多变的测量环境，提高测量分辨率，要求QCLs能够具有较宽的光谱调谐范围和优良的单模特性。本文分析了实验室利用分布反馈(Distributed Feedback, DFB)光栅的DFB QCLs和利用外腔结构的EC QCLs实现单模工作的两种QCL结构的初步结果。分布反馈光栅是研制高性能分布反馈激光器的关键。本文基于2001-2002年自主知识产权创建的全息曝光系统，进一步发展了表面光栅(Top grafting)制备DFB QCL。为优化后的激光器表面光栅结构，光栅周期1.2μm。这种特殊结构能够显著降低界面处等离了模和激光模祸合而带来的波导损耗。通过调整光栅的腐蚀深度来调整光栅顶部和沟槽的折射率以及波导损耗的变化，使得激光器的耦合系数可控。为采用深腐蚀表面光栅结构的DFBQCLs的性能曲线图，激射波长为7.6μm，最高连续工作温度205K，边摸抑制比>25dB。

关键词：量子级联激光器光栅结构耦合分析

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非对称DC SQUID的数值模拟研究

非对称DC SQUID的数值模拟研究

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第九届全国超导学术研讨会

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DE SOUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上，讨论DC SOUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换非对称结构数值模拟

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无屏蔽心磁测量中的心磁信号成像研究

无屏蔽心磁测量中的心磁信号成像研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：邱阳李华曾佳张树林刘明王永良孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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无屏蔽环境下多通道SQUID极低场MRI研究

无屏蔽环境下多通道SQUID极低场MRI研究

引用

第十二届全国超导学术研讨会

作者：邱隆清刘超董慧常宝林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了...

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了精确快速地在永磁体和SQUID探测器之间传输样品,我们采用了一套电动执行器,,在传送距离为1m的情况下,传输时间可在300ms以内.

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