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中国光学学会2006年学术大会

作者：于广辉王笑龙王新中林朝通曹明霞齐鸣李爱珍信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓（GaN）基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直是人...

近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓（GaN）基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直是人们关注的问题,如何消除干法刻蚀造成的损伤有待于进一步深入的研究。我们对于干法刻蚀造成的损伤进行了分析,并采用高温退火和等离子态处理结合的方法对于刻蚀损伤的回复进行了研究。

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电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

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Journal of Semiconductors 2006年第11期27卷 1966-1969页

作者：武慧珍茹国平张永刚金成国水野文二蒋玉龙屈新萍李炳宗复旦大学微电子学系上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 Ultimate Junction Technologies Inc. 3-1-1YagumonakamachiMoriguchiOsaka 570-8501Japan

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻... 详细信息

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.

关键词：电化学电容-电压超浅结杂质浓度

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低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜

低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜

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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议

作者：江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo／Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0．2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当 Ar+离... 详细信息

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo／Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0．2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当 Ar+离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。本文采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar+离子注入Ag单晶所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar+离子入射Ag单晶(100)表面、(111)表面,Ar+离子的溅射率与入射角和方位角的关系。本文对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。

关键词：离子束辅助沉积 Cu、Ag、Pt薄膜择优取向

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真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究

真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究

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第十三届全国催化学术会议

作者：江炳尧冯涛柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

＜正＞在微波器件中铂是一种常用的栅极表面镀覆材料,用于抑制栅电子发射。模拟二极管实验表明,镀铂钼栅极的电子发射量显著少于纯钼栅极的电子发射量。在高真空的条件下,将镀铂钼栅极置于BaO气氛中进行900℃的高温处理后,采用XRD分析... 详细信息

＜正＞在微波器件中铂是一种常用的栅极表面镀覆材料,用于抑制栅电子发射。模拟二极管实验表明,镀铂钼栅极的电子发射量显著少于纯钼栅极的电子发射量。在高真空的条件下,将镀铂钼栅极置于BaO气氛中进行900℃的高温处理后,采用XRD分析发现有Ba的主峰出现,表明在铂的催化作用下镀铂栅极表面的BaO发生了分解反应。

关键词：铂氧化钡催化反应

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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林中国科学院研究生院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海

本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米... 详细信息

本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm.

关键词：微/纳机械系统纳米沟道离子束刻蚀

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太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟

太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟

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中国光学学会2006年学术大会

作者：曹俊诚吕京涛中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

太赫兹(Terahertz,THz)辐射源是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射产生方式中, 基于半导体的全固态THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点。虽然从... 详细信息

太赫兹(Terahertz,THz)辐射源是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射产生方式中, 基于半导体的全固态THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点。虽然从第一个THzQCL制备成功到现在只有四年的时间,但器件的工作温度、输出功率等性能已经得到了非常大的改进和提高。随着THzQCL性能的提高,它已经很快地被应用于THz成像等领域。与此同时,全世界的研究者也在致力于进一步降低THzQCL 的工作频率,使之能够覆盖更宽的电磁波谱的范围,同时来进一步满足应用的需求。所以,THzQCL是一个正在飞速发展的领域。

关键词：太赫兹量子级联激光器 THz

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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：赵全斌焦继伟杨恒林梓鑫李铁张颖王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原... 详细信息

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400 kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.

关键词：双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子轰击谐振特性

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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

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2006年全国功能材料学术年会

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟

新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：刘玉菲赵本刚吴亚明王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 浙江大学杭州310027

本文提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Matlab进行了解析计... 详细信息

本文提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Matlab进行了解析计算,通过ANSYS进行了模拟仿真分析.分析结果表明:通过双光纤准直器和光电探测器监测微扭转镜面的扭转,该器件可以实现60nT的磁场探测,其探测灵敏度可以达到0.6dB/μT.

关键词： MOEMS技术磁场传感器扭转微镜面双光纤准直器

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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