检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,... 详细信息

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

关键词： InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料外延生长

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MEMS微型质子交换膜燃料电池的阴极极板模型研究与优化设计

MEMS微型质子交换膜燃料电池的阴极极板模型研究与优化设计

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：董培涛李昕欣陈聪夏保佳王跃林封松林李圣怡中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073

本文针对一种基于MEMS技术制造的H2/air自呼吸式微型质子交换膜燃料电池,建立了二维等温的阴极数学模型,计算了电池的平均电流密度及功率密度.由于阴极采用空气自呼吸式,阴极流场板结构的空占比就成为影响电池性能的重要因素.通过优化,... 详细信息

本文针对一种基于MEMS技术制造的H2/air自呼吸式微型质子交换膜燃料电池,建立了二维等温的阴极数学模型,计算了电池的平均电流密度及功率密度.由于阴极采用空气自呼吸式,阴极流场板结构的空占比就成为影响电池性能的重要因素.通过优化,确定空占比为0.7左右时,燃料电池的性能最佳.制作器件的测试结果表明采用该优化设计的燃料电池的峰值功率密度高达135 mW/cm2.

关键词：微机械质子交换膜燃料电池自呼吸阴极极板模型优化设计

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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

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功能材料信息 2006年第3期3卷 7-11页

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室浙江杭州310027

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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立方相ZnMgO的电学特性研究

立方相ZnMgO的电学特性研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5... 详细信息

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1MHz到8MHz频率范围内,介电常数由10.7降到6.4.测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行讨论与分析。

关键词： ZnMgO合金薄膜立方相宽带隙半导体材料漏电性能电学性能 ZnMgO纳米薄膜 MIS结构

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Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减... 详细信息

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard's公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe合金薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681),我们还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4～9.5 μm间的折射率.

关键词： Pb1-xMnxSe外延薄膜透射光谱带隙折射率分子束外延光学特性

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应变对PbSe材料晶格振动的影响

应变对PbSe材料晶格振动的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系上海200030

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,... 详细信息

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较分析了PbSe体单晶的拉曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出拉曼活性的散射峰.

关键词： PbSe外延薄膜拉曼光谱光学声子晶格失配

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基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究

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中国机械工程 2005年第z1期16卷 184-188页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器.该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控.采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体硅... 详细信息

基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器.该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控.采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体硅片上;第二种方法是用胶粘剂将P16051膜暂时粘在载体硅片上,然后分别在两种柔性PI衬底上制作铂薄膜热敏电阻温度传感器,最后将器件从硅片载体上分离下来.采用低温(小于300℃)工艺技术减小了PI柔性衬底的热循环.实验测试结果表明,PI衬底上的铂薄膜热敏电阻具备良好的线性度,其电阻温度系数接近于0.0023/℃.

关键词：柔性 MEMS技术聚酰亚胺铂薄膜电阻温度传感器

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级联长周期光栅光谱特性

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光学学报 2005年第8期25卷 1019-1024页

作者：崔丽萍吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

利用传输矩阵法分析了级联长周期光栅的光谱特性,讨论了级联处光纤的长度、位置以及包层模损耗系数对级联长周期光栅光谱的影响,并对级联长周期光栅和相移长周期光栅的光谱进行了比较。结果表明两者光谱在级联光纤长度较小或级联位置靠... 详细信息

利用传输矩阵法分析了级联长周期光栅的光谱特性,讨论了级联处光纤的长度、位置以及包层模损耗系数对级联长周期光栅光谱的影响,并对级联长周期光栅和相移长周期光栅的光谱进行了比较。结果表明两者光谱在级联光纤长度较小或级联位置靠近光栅两端时具有较强的一致性,而在级联处光纤较长并且级联位置在中间时,两者表现出截然不同的光谱特性;在不考虑其他损耗的情况下,如果只改变级联处光纤长度,级联长周期光栅总量守恒;此外,当级联长周期光栅在级联处光纤包层模损耗系数较大时,级联长周期光栅的光谱等效于两个长周期光栅光谱的非相干叠加,从而为长周期光栅增益均衡器的优化设计和制作提供了一个简便有效的方法。

关键词：导波光学级联长周期光栅非相干叠加传输矩阵损耗系数

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纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储

纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储

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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：吴良才陈坤基宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050

利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵... 详细信息

利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵列双势垒纳米结构SiO2/nc-Si/SiO2。通过测量Raman散射谱证实了晶态的Si量子点的形成;利用C-V研究这种含有nc-Si量子点的双势垒结构中的电荷存储效应并用能带图和F-N(Fowler-Nordheim)隧穿机制分析电荷存储的机理。

关键词：纳米硅双势垒电荷存储等离子体隧穿势垒隧穿机制单晶薄膜

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一种新结构硅微机械压阻加速度计

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传感技术学报 2005年第3期18卷 500-503页

作者：陈雪萌李昕欣宋朝晖王跃林黄晖黄树森张鲲中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小... 详细信息

设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5 V条件下,灵敏度为14.80 mV/g,谐振频率为994Hz,分别是传统结构压阻加速度计的2.487倍和2.485倍。加速度计用普通的N型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。

关键词：微机械加速度计压阻深反应离子刻蚀

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