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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：董培涛李昕欣陈聪夏保佳王跃林封松林李圣怡中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073

本文针对一种基于MEMS技术制造的H2/air自呼吸式微型质子交换膜燃料电池,建立了二维等温的阴极数学模型,计算了电池的平均电流密度及功率密度.由于阴极采用空气自呼吸式,阴极流场板结构的空占比就成为影响电池性能的重要因素.通过优化,... 详细信息

本文针对一种基于MEMS技术制造的H2/air自呼吸式微型质子交换膜燃料电池,建立了二维等温的阴极数学模型,计算了电池的平均电流密度及功率密度.由于阴极采用空气自呼吸式,阴极流场板结构的空占比就成为影响电池性能的重要因素.通过优化,确定空占比为0.7左右时,燃料电池的性能最佳.制作器件的测试结果表明采用该优化设计的燃料电池的峰值功率密度高达135 mW/cm2.

关键词：微机械质子交换膜燃料电池自呼吸阴极极板模型优化设计

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一种应用于水质检测的叉指电极传感器的研究

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无线通信技术 2020年第3期29卷 56-61页

作者：王昕金庆辉邹杰简家文宁波大学信息科学与工程学院宁波315211 电子科技大学光电科学与工程学院成都611731 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

本文对叉指电极在溶液测量中的应用进行分析,通过对叉指电极在溶液环境中的电场进行仿真研究,比较了不同尺寸下的电场分布情况,并计算其在溶液中的阻抗。利用COMSOL Multiphysics仿真软件AC/DC模块下的电流接口,构建了以二氧化硅为衬底... 详细信息

本文对叉指电极在溶液测量中的应用进行分析,通过对叉指电极在溶液环境中的电场进行仿真研究,比较了不同尺寸下的电场分布情况,并计算其在溶液中的阻抗。利用COMSOL Multiphysics仿真软件AC/DC模块下的电流接口,构建了以二氧化硅为衬底,指长4mm,指宽和指间距分别为1mm,5mm,10mm,20mm,30mm的不同参数的叉指电极模型进行仿真测试,同时设计了叉指电极与二电极的对比仿真实验。仿真结果表明,叉指电极具有较高的灵敏度且改变间距、线宽、指厚均对测量有影响。以上结论,可以为用于溶液测量的叉指电极参数设计提供参考。

关键词：叉指电极溶液测量电极结构仿真测试

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ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

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微纳电子技术 2005年第7期42卷 336-339页

作者：张楷亮宋志棠封松林 Chen Bomy 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化... 详细信息

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米抛光液全局平坦化

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全光逻辑与门转换效率的研究

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通信技术 2018年第1期51卷 30-36页

作者：胡永倩王海龙张书玉密术超龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了提高全光逻辑门的转换性能,对全光逻辑与门的转换效率进行研究。采用牛顿法和四阶龙格库塔法求解量子点半导体光放大器(QD-SOA)的三能级跃迁速率方程和光场传输方程,讨论全光逻辑与门的转换效率和误码率。结果显示:增加脉冲宽度、... 详细信息

为了提高全光逻辑门的转换性能,对全光逻辑与门的转换效率进行研究。采用牛顿法和四阶龙格库塔法求解量子点半导体光放大器(QD-SOA)的三能级跃迁速率方程和光场传输方程,讨论全光逻辑与门的转换效率和误码率。结果显示:增加脉冲宽度、最大模式增益以及减小损耗系数、电子从激发态(ES)到基态(GS)的跃迁时间,都会提高全光逻辑与门的转换效率,而增大有源区长度使得转换效率先增大后减小。分别取脉冲宽度为2.0 ps,损耗系数为160/m,有源区长度为2.0 mm,电子从ES到GS的跃迁时间为0.16 ps,最大模式增益为3 000/m时,转换效率提高至7.147 5 d B。但是,选取有源区长度、脉冲宽度和电子从ES到GS的跃迁时间须适当,因为同时获得较高的转换效率与较低的误码率之间存在一定的矛盾。因此,选取参数时要兼顾转换效率和误码率,以提高全光逻辑与门的转换效率,同时减小误码率。

关键词：量子点半导体光放大器(QD-SOA) 全光逻辑与门转换效率误码率

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基于QD-SOA-XGM的全光逻辑或非门研究

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通信技术 2020年第1期53卷 9-14页

作者：王玉倩王海龙孔雪纯杨帅龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善基于交叉增益调制效应的量子点半导体光放大器全光逻辑或非门的性能,研究了QD-SOA-XGM全光逻辑门的码型效应特性,用两个连“1”脉冲和单个“1”脉冲的峰值功率来衡量,即P30/P20。研究结果表明:第一级输入电流越小,逻辑或非门的... 详细信息

为了改善基于交叉增益调制效应的量子点半导体光放大器全光逻辑或非门的性能,研究了QD-SOA-XGM全光逻辑门的码型效应特性,用两个连“1”脉冲和单个“1”脉冲的峰值功率来衡量,即P30/P20。研究结果表明:第一级输入电流越小,逻辑或非门的性能越好,而第二级输入电流对或非门性能影响很小;在一定范围内,输入连续光功率越大、有源区长度越长、有源区宽度越宽、最大模式增益越大、损耗系数越小,或非门输出效果越好。

关键词：级联量子点半导体光放大器交叉增益调制全光逻辑或非门码型效应

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合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研... 详细信息

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.

关键词： Si2Sb2Te5 phase-change material crystallization temperature structure

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基于QD-SOA级联XGM与XPM波长转换Q因子特性

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通信技术 2018年第8期51卷 1757-1764页

作者：密术超王海龙张书玉胡永倩龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的转换性能,提高输出信号的质量并降低转换出错率,对级联XGM与XPM波长转换器的Q因子和误码率进行了研究。通过研究XGM和XPM,在求解载流子跃迁速率方程和光场传输方程时使用牛顿迭代... 详细信息

为了改善量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的转换性能,提高输出信号的质量并降低转换出错率,对级联XGM与XPM波长转换器的Q因子和误码率进行了研究。通过研究XGM和XPM,在求解载流子跃迁速率方程和光场传输方程时使用牛顿迭代法和四阶龙格-库塔法,分析了损耗系数、最大模式增益、注入电流、有源区长度、探测光功率、信号光功率、电子从激发态ES到基态GS的跃迁时间对全光波长转换器Q因子和误码率的影响并与XPM波长转换对比。结果显示,增大注入电流、有源区长度和探测光功率,减小损耗系数、最大模式增益、信号光功率、电子从激发态ES到基态GS的跃迁时间能够提高波长转换器的Q因子,降低误码率。通过优化各项参数能提高输出信号的质量,降低误码率,且Q因子大于XPM波长转换,性能更优越。

关键词：量子点半导体光放大器全光波长转换 Q因子误码率

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工作气压对反应等离子体沉积ITO薄膜性能的影响

工作气压对反应等离子体沉积ITO薄膜性能的影响

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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：石建华孟凡英崔艳峰陆忠丹刘正新中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海天合光能光伏科学与技术国家重点实验室江苏常州

本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性... 详细信息

本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性的影响.研究结果发现,工作气压决定薄膜生长速率,气压越高,生长速率越慢.而且低气压条件下制备的ITO 薄膜导电性优于高压条件下制备的薄膜.所得ITO 薄膜在400nm～1100nm 波段的平均透过率超过91％,基本不受工作气压的影响.光学禁带宽度(Eg)随气压增加从3.83eV 减小为3.65eV,但折射率(n)随气压增加而增大.此外,退火处理可以有效提高ITO 薄膜的光电特性.通过优化工艺条件,可以制备出迁移率高达44 cm2/V·s,电阻率低于2ⅹ10-4Ω·cm,折射率接近1.9,平均透过率高于93％的ITO 薄膜,适合用作异质结太阳能电池的前电极和减反射膜.

关键词：薄膜 RPD ITO

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应变类型对MBE生长的GeSn合金中Sn凝入影响的研究

应变类型对MBE生长的GeSn合金中Sn凝入影响的研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：张振普宋禹忻陈其苗吴晓燕刘娟娟龚谦王庶民上海科技大学物质学院上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburg 41296Sweden 上海科技大学物质学院上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：王茹张正选俞文杰田浩毕大炜张帅陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化... 详细信息

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷,但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱,这补偿了辐射感生正空间电荷,抑制了辐射感生的陷阱电荷,最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。

关键词： SIMOX材料总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷

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