检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2016年第2期35卷 200-205页

作者：庄新港王丽丽吴雪原方家熊山东大学光学高等研究中心山东济南250100 山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 国家茶叶及农产品检测重点实验室(黄山) 安徽黄山245000

将近红外光谱分析技术用于对山东省代表性绿茶(崂山绿茶和日照绿茶)进行快速、无损伤产地溯源.对平滑处理、一阶微分和二阶微分等几种不同的光谱预处理方法进行了系统性对比和研究创新.提出移动窗口BP神经网络(MW-BP-ANN)算法用于选择... 详细信息

将近红外光谱分析技术用于对山东省代表性绿茶(崂山绿茶和日照绿茶)进行快速、无损伤产地溯源.对平滑处理、一阶微分和二阶微分等几种不同的光谱预处理方法进行了系统性对比和研究创新.提出移动窗口BP神经网络(MW-BP-ANN)算法用于选择特征光谱变量.实验发现,一阶微分和移动窗口-BP神经网络可以大幅提高支持向量机(SVM)分类模型的预测能力.经预处理后,分类模型的最优鉴别准确率可达98.33%.研究结果表明,该光谱变量选择方法对提高产地溯源模型的预测能力起到至关重要作用.

关键词：近红外光谱分析技术支持向量机绿茶产地溯源

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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术

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传感技术学报 2012年第7期25卷 885-890页

作者：王家畴刘洁丹李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海交通大学微纳科技研究院上海200240

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制... 详细信息

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制作出不同结构尺寸的腔体。同时,结合不同器件结构设计的需求,缝合微型释放窗口并进行后续工艺制作及最终可动结构释放。该技术采用微创手术式单硅片单面体硅工艺替代传统的表面微机械工艺,制作工艺简单,既具有单硅片单面加工的优势又便于与IC工艺兼容。文章详细讲述了微创手术式三维微机械结构的成型机理和工艺流程,并针对其关键技术进行了系统的分析,取得了令人满意的结果。

关键词： MEMS MISSM技术单硅片单面加工微型释放窗口

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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服务于IC产业的MEMS探卡

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 705-714页

作者：程融蒋珂玮汪飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

圆片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要,传统的组装式探卡将不能适应... 详细信息

圆片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要,传统的组装式探卡将不能适应未来的测试要求;和传统探卡的组装方法相比,MEMS技术显然更适应当今的IC技术。综述了针对MEMS探卡不同的应用前景所提出的多种技术方案,特别介绍了传感技术国家重点实验室为满足IC圆片级测试的要求,针对管脚线排布型待测器件的新型过孔互连式悬臂梁芯片和针对管脚面排布型待测器件的Ni探针阵列结构的设计和制造。

关键词：圆片级测试芯片测试探卡微机械电子系统过孔互连镍探针阵列

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应变计组合对光纤天平校准和试验的影响分析

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仪器仪表学报 2018年第9期39卷 121-127页

作者：闵夫杨彦广邱华诚钟少龙中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所绵阳621000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

三分量光纤天平常采用8支应变计组合求解天平的3个分量,光纤应变计组合仍采用类似于电阻天平的惠斯通电桥组合方式,该组合方式没有利用光纤应变计的输出可直接与天平所受气动载荷建立线性函数关系的特点,应变计数量偏多。为验证采用较... 详细信息

三分量光纤天平常采用8支应变计组合求解天平的3个分量,光纤应变计组合仍采用类似于电阻天平的惠斯通电桥组合方式,该组合方式没有利用光纤应变计的输出可直接与天平所受气动载荷建立线性函数关系的特点,应变计数量偏多。为验证采用较少光纤应变计进行光纤天平气动力测量的可行性,本文针对三分量光纤天平,设计了不同应变计数量的8种组合方式,分别进行了光纤天平的静态校准和风洞试验来验证不同应变计组合方式光纤天平的性能。结果表明：3支光纤应变计即可实现三分量天平的精确测量;不同应变计组合方式的光纤天平的性能接近,测量的HB-2模型的气动力系数偏差在2%以内,且天平的校准准度和风洞试验重复性精度都能满足低密度风洞试验要求。

关键词：组合光纤天平天平校准风洞试验

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几种微构件材料的表面能及纳观黏附行为研究

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物理学报 2009年第4期58卷 2518-2522页

作者：薛伟郑蓓蓉张淼解国新王权温州大学机电工程学院温州323035 清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异... 详细信息

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异,表面粗糙度的存在使表观表面能有所偏高.施加自组装分子膜后的表面能大为降低,粗糙度的存在可以使其表面能进一步减小.纳观黏附力和表面能之间有一定的对应关系.另外,在研究中发现表面粗糙度对纳观黏附行为的影响较小.

关键词： MEMS 表面能纳观黏附粗糙度

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微悬臂谐振传感器闭环接口和嵌入式频率电路

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微纳电子技术 2010年第6期47卷 350-356页

作者：甘小华刘民于海涛许鹏程李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计了谐振式微悬臂梁传感器闭环接口和嵌入式频率读出电路。首先,谐振式微悬臂梁传感器和接口电路组成闭环自激振荡系统。为了提高该闭环系统的频率稳定性和频率跟踪性能,引入具有无相差频率跟踪的锁相环电路,并设计放大移相电路以满... 详细信息

设计了谐振式微悬臂梁传感器闭环接口和嵌入式频率读出电路。首先,谐振式微悬臂梁传感器和接口电路组成闭环自激振荡系统。为了提高该闭环系统的频率稳定性和频率跟踪性能,引入具有无相差频率跟踪的锁相环电路,并设计放大移相电路以满足闭环自激振荡条件。该闭环系统的频率稳定性可达±0.1Hz,并且能够实时跟踪悬臂梁谐振频率的变化。此外,单独设计了嵌入式的频率读出电路,用于检测并显示悬臂梁的谐振频率。将悬臂梁传感器、接口电路和频率读出电路集成在一起,做出了小巧便携式样机,用该样机可成功探测到体积分数低至约几个10-9量级的DMMP气体。

关键词：谐振式微悬臂梁传感器接口电路锁相环嵌入式频率电路频率跟踪

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CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

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半导体技术 2008年第9期33卷 759-761,765页

作者：杨恒昭熊斌李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性... 详细信息

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件。探测器尺寸为2mm×2mm，由20对多晶硅-铝热电偶组成，串联电阻16～18kΩ。释放后的器件特性响应率13-15V／W，探测率（1．85～2．15）×10^7cmHz^1/2／W，时间常数20-25ms。

关键词：热电堆红外探测器干法刻蚀 XeF2气体

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用苯并环丁烯进行圆片级硅–硅气密性键合

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电子元件与材料 2006年第2期25卷 55-57页

作者：刘玉菲李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环可靠性测试之后仍具有很好的气密性。BCB是一种较理想的圆片级低温气密性健合封装材料。

关键词：半导体技术低温键合气密性封装苯并环丁烯(BCB) 气密性检测

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基于永磁薄膜的MEMS磁传感器设计与制作

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传感器与微系统 2014年第5期33卷 59-61,65页

作者：龙亮钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院上海200050

提出了一种基于永磁薄膜的新型MEMS磁传感器,磁传感器由MEMS扭摆、CoNiMnP永磁薄膜和差分检测电容等部分组成。分析了磁传感器的磁敏感原理和电容检测原理,提出了器件的结构参数并对器件进行了模态仿真。利用MEMS加工技术成功制作了MEM... 详细信息

提出了一种基于永磁薄膜的新型MEMS磁传感器,磁传感器由MEMS扭摆、CoNiMnP永磁薄膜和差分检测电容等部分组成。分析了磁传感器的磁敏感原理和电容检测原理,提出了器件的结构参数并对器件进行了模态仿真。利用MEMS加工技术成功制作了MEMS磁传感器样品,并进行了测试。测试结果表明:得到的MEMS磁传感器的电容灵敏度可达到27.7 fF/mT,且具有良好的线性度。根据现有的微小电容检测技术,传感器的磁场分辨率可达到36 nT。

关键词：磁传感器 CoNiMnP永磁薄膜电容检测微机电系统

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