检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 46-52页

作者：李珂冯飞熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此... 详细信息

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此外,ANSYS模拟仿真的结果验证了该设计能抑制周围环境温度波动对器件红外目标探测的影响。

关键词：光读出红外成像阵列器件热-机械灵敏度噪声等效温差温度补偿

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低热机械噪声的梳齿式加速度计

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仪表技术与传感器 2011年第10期 21-23页

作者：杨丹琼徐静钟少龙李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

文中介绍了一种基于低噪声梳齿变面积型加速度计。采用体硅加工工艺,利用SOI材料30μm顶层硅制造垂直梳齿,梳齿数目达200对,提高了初始电容,能够充分利用尺寸空间,获得具有低噪特性的加速度计。该种形式的加速度计不需要真空封装,也不... 详细信息

文中介绍了一种基于低噪声梳齿变面积型加速度计。采用体硅加工工艺,利用SOI材料30μm顶层硅制造垂直梳齿,梳齿数目达200对,提高了初始电容,能够充分利用尺寸空间,获得具有低噪特性的加速度计。该种形式的加速度计不需要真空封装,也不需要制作阻尼孔就能满足低噪声要求。器件采用三层材料,利用硅-玻璃键合和BCB键合实现,能够有效提高成品率,并给出了成功流片后得到的SEM照片。最后,对器件进行了频谱响应曲线的测试,测试得到器件在非真空封装及无阻尼孔情况下Q值高达156.95。测试结果表明该器件的设计简化了制造工艺,降低了成本,同时得到提高了Q值,能够降低热机械噪声。

关键词：低噪声加速度计体硅工艺梳齿电容滑膜阻尼

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用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

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半导体技术 2009年第12期34卷 1162-1165页

作者：李金鹏焦继伟宓彬伟张颖王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采... 详细信息

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。

关键词：低噪声微电子机械系统相关双采样电荷转移惯性器件

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反馈补偿对高Q值加速度计动态性能的影响

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半导体技术 2011年第1期36卷 26-30页

作者：戚玉婕车录锋孙腾王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

高Q值MEMS电容式加速度计因具有很小的机械噪声,满足于高精度测量的需要,但欠阻尼的传感器系统动态性能较差,因此需要在闭环检测电路中通过补偿反馈模块施加电学阻尼,以降低系统Q值,改善系统的动态响应。首先通过MATLAB/SIMULINK仿真建... 详细信息

高Q值MEMS电容式加速度计因具有很小的机械噪声,满足于高精度测量的需要,但欠阻尼的传感器系统动态性能较差,因此需要在闭环检测电路中通过补偿反馈模块施加电学阻尼,以降低系统Q值,改善系统的动态响应。首先通过MATLAB/SIMULINK仿真建立了带有延时的系统模型,进一步结合实际PCB板的测量,分析了不同反馈补偿参数下的阶跃响应和幅频响应曲线。实验结果表明,合适的反馈补偿参数能有效地降低系统Q值,改善动态响应。最后得出了该电容式加速度计在闭环系统下的较优比例微分参数的选择策略。

关键词：电容式加速度计反馈补偿参数 Q值微机械系统 MATLAB

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悬臂梁式MEMS探卡的设计和制造

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仪表技术与传感器 2006年第4期 12-14页

作者：郭南翔汪飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室上海200050

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,... 详细信息

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,难以得到正确的测试结果。结合先进的MEMS技术,提出了一种采用铝通孔导电、金属自隔离结构的MEMS探卡,探卡由台阶结构的悬臂梁探针陈列构成,探针的具体结构排列依据待测芯片(DUT)的管脚分布,同时测试探针电学导通电阻小于1Ω.详细叙述了探卡的结构设计和制造方法。

关键词：悬臂梁探卡 MEMS

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基于紫外吸收原理的硝酸盐在线监测传感器研制及应用

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环境工程学报 2016年第4期10卷 2122-2126页

作者：孙浩郭慧赵辉王勤戚海燕金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海市环境保护信息中心上海200030 上海市松江区环境保护局上海201600

基于紫外吸收原理,研制了一种新型硝酸盐在线监测传感器。通过对硝酸钾标准溶液的测试,绘制了该传感器的标准曲线,利用传感器对几种实际水体的硝酸盐含量进行了检测,并和国标法进行对比,同时通过加标回收率、稳定性、重复性及最低检出... 详细信息

基于紫外吸收原理,研制了一种新型硝酸盐在线监测传感器。通过对硝酸钾标准溶液的测试,绘制了该传感器的标准曲线,利用传感器对几种实际水体的硝酸盐含量进行了检测,并和国标法进行对比,同时通过加标回收率、稳定性、重复性及最低检出限等实验,对传感器的性能进行了评估。实验表明,传感器和国标法测量值的相对误差小于10.0%,加标回收率为91.8%～126%,传感器稳定性和重复性实验的CV值（变异系数）分别为3.364%和3.043%,最小检出限为0.074 mg/L。结果表明,该传感器基本满足水体硝酸盐在线监测的需求,并且具有无污染、工作稳定、测量快速和准确的优势。

关键词：硝酸盐水质在线监测紫外吸光度

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基于FPGA的谐振悬臂梁传感器智能接口电路

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仪表技术与传感器 2013年第3期 7-10页

作者：柴光飞刘民于海涛许鹏程徐铁刚李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计了基于FPGA的谐振式微悬臂梁传感器接口电路,将接口电路与谐振式微悬臂梁传感器组成闭环自激振荡系统。为满足接口电路智能化与输出频率稳定性的要求,设计了带有自动扫频功能的锁相环,以此锁相环为核心并结合外围放大、滤波、移相... 详细信息

设计了基于FPGA的谐振式微悬臂梁传感器接口电路,将接口电路与谐振式微悬臂梁传感器组成闭环自激振荡系统。为满足接口电路智能化与输出频率稳定性的要求,设计了带有自动扫频功能的锁相环,以此锁相环为核心并结合外围放大、滤波、移相、整形电路构成的接口电路系统,能够自动扫频寻找谐振点并锁定,扫频精度为0.012 Hz左右,谐振频率的波动范围可达0.01 Hz左右,且锁定范围极广。分别测试了谐振点在100 kHz与500 kHz附近的两组传感器,该系统均能很好地自动扫频寻找谐振点并锁定。

关键词：谐振式微悬臂梁传感器接口电路 FPGA 锁相环自动扫频频率跟踪

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三维微阵列微纳电化学传感器制备与铅离子高灵敏检测

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分析试验室 2019年第10期38卷 1147-1151页

作者：胡湘宜郭慧齐同贾春平金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 宁波大学信息科学与工程学院宁波315211

采用微纳制造技术制作出了一种具有三维微柱阵列工作电极的微纳电化学传感器,该传感器包括三维金(Au)微柱阵列工作电极、片上参比电极、片上对电极和PDMS检测池。通过实验检测条件优化后,采用差分脉冲溶出伏安法检测重金属铅离子,微传... 详细信息

采用微纳制造技术制作出了一种具有三维微柱阵列工作电极的微纳电化学传感器,该传感器包括三维金(Au)微柱阵列工作电极、片上参比电极、片上对电极和PDMS检测池。通过实验检测条件优化后,采用差分脉冲溶出伏安法检测重金属铅离子,微传感器的灵敏度达到0.0428μA/(μg/L)、检测下限达到0.2μg/L,在1~110μg/L的浓度范围内具有良好线性关系(R2=0.994)和重复性(RSD为1.4%)。该微纳传感器用于自来水和河水样品中痕量金属铅离子分析,获得了令人满意的结果。

关键词：三维微柱阵列微纳传感器铅离子自来水河水

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新型L形梁压阻微加速度传感器

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半导体技术 2009年第12期34卷 1177-1180页

作者：高廷金熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结... 详细信息

介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结构参数和灵敏度,并用ANSYS进行了有限元模拟,同时介绍了其工艺流程,以及封装后的测试结果。芯片尺寸为3.8 mm×3.8 mm×0.82 mm,其中敏感质量块尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,梁尺寸为2 200μm×100μm×40μm。经初步测试,在采用5 V电源供电时灵敏度为0.5 mV/g左右,3 dB截止频率为520 Hz左右。

关键词：微电子机械系统微加速度传感器压阻 L形梁

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基于表面微机械技术的压阻式加速度传感器

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仪表技术与传感器 2011年第11期 4-7页

作者：魏长征周伟李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

文中介绍了一种以表面微机械技术制造的带有片上静电自检测功能的压阻式加速度传感器。该芯片制造利用了表面微机械加工技术,以低应力氮化硅薄膜为结构材料,多晶硅作为压阻材料,引入了准LIGA的电镀铜工艺,实现了一款低成本、与IC制造工... 详细信息

文中介绍了一种以表面微机械技术制造的带有片上静电自检测功能的压阻式加速度传感器。该芯片制造利用了表面微机械加工技术,以低应力氮化硅薄膜为结构材料,多晶硅作为压阻材料,引入了准LIGA的电镀铜工艺,实现了一款低成本、与IC制造工艺相兼容的压阻式加速度传感器。电镀的铜质量块使压阻输出获得了足够高的灵敏度。利用金属质量块和衬底形成的一对电极,实现了可片上检测器件是否正常工作的片上静电自检测功能。传感器测试结果表明,加速度输出灵敏度为25.1μV/g,-3 dB频率带宽为1.3 kHz.

关键词：压阻式加速度传感器表面微机械技术片上静电自检测功能

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