检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2012年第9期23卷 1635-1643页

作者：翟雷应徐静吴亚明刘闯雷洪波陶大勇中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中石油吉林石化分公司化肥厂吉林132021 中石油吉林石化分公司炼油厂吉林132022

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器... 详细信息

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器,避免了拉伸光纤或改变折射率的困难,具有MEMS技术批量制造、低成本等优势。采用MEMS工艺成功制作出MEMS光纤相位调制器,并实现Michelson光纤干涉仪。利用ASE宽带光源对光纤相位调制器的静态调制特性进行测试,采用Michelson光纤干涉仪对光纤相位调制器的动态调制特性进行测试,结果表明,MEMS光纤相位调制器50V偏压实现了1 550nm光波的2π相位调制,当器件谐振频率为7.15kHz以及交、直流电压幅值分别为12.5V时,响应幅值可达6.8μm,可以实现多个2π的相位的正弦调制。

关键词：光纤相位调制器 MEMS 垂直梳齿微镜光纤传感器

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基于碳膜的柔性神经微电极阵列加工

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纳米技术与精密工程 2012年第2期10卷 184-188页

作者：朱壮晖周亮张华李刚金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,... 详细信息

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,通过光刻结合转膜、键合和牺牲层腐蚀技术,实现了具有柔性特征的碳膜神经微电极阵列.实验结果显示这种碳膜电极的电荷存储能力达到6.625 mC/cm2,是金电极的12.4倍,显示了良好的电化学稳定性和电荷注入能力,有利于其长期植入和安全有效地工作,可应用于新一代人工视网膜系统的构建.

关键词：柔性微电极碳膜电化学稳定性人工视网膜

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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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红外与激光工程 2012年第2期41卷 279-283页

作者：邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

关键词：快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs

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铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备

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化学通报 2012年第2期75卷 172-175页

作者：刘彬张缓缓金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

金属微电极表面的纳米级处理可以大大提高电极的性能。本文基于微加工及电化学技术在铂微电极位点上制备了一致性良好的氧化铝纳米结构。通过对基片铂层表面等离子体处理,使铝膜与铂层之间粘附力明显增强。利用二次阳极氧化法,在铂微电... 详细信息

金属微电极表面的纳米级处理可以大大提高电极的性能。本文基于微加工及电化学技术在铂微电极位点上制备了一致性良好的氧化铝纳米结构。通过对基片铂层表面等离子体处理,使铝膜与铂层之间粘附力明显增强。利用二次阳极氧化法,在铂微电极位点上制备出纳米孔。结果表明,30V是该条件下比较理想的氧化电压。同时,通过对氧化过程中电流的监测,发现当铝膜完全氧化后电流大幅上升,可将此现象作为终止阳极氧化的标志。这种微电极位点处的氧化铝模板可进一步用于不同材料纳米微电极的制备。

关键词：多孔氧化铝微电极铂基氧化电压生长机理

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全方位抗过载的压阻式三轴加速度计

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 87-90页

作者：王军诚吴艳红孙科杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀... 详细信息

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀硅〈110〉补偿条形成凸角实现纵向过载保护。封装后的加速度计利用激振台和落锤法进行了测试。测试结果表明:加速度计的三轴灵敏度分别为2.56,2.54,2.05 mV/gn,分辨率分别为0.53,0.87,0.77 mgn,三轴方向均具有超过3000 gn的抗过载能力。

关键词：压阻式三轴集成加速度计绝缘体上硅抗过载

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用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作

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传感器与微系统 2012年第12期31卷 107-110,113页

作者：蔡梅妮林友玲车录锋苏荣涛周晓峰黎晓林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个... 详细信息

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。

关键词：三明治电容式MEMS加速度传感器自停止腐蚀品质因数器件级真空封装双面划片

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基于体硅工艺的GLV光学调制器的研制

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光通信技术 2012年第4期36卷 22-24页

作者：刘英明徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰... 详细信息

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰峰值为50mv,响应时间为10μs的调制后波形。

关键词：体硅工艺光栅光阀光学调制器绝缘体上硅消光比

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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装

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半导体技术 2012年第10期37卷 790-794,814页

作者：蔡梅妮车录锋林友玲周晓峰黎晓林吴健中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中... 详细信息

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中常用的材料、工艺,可适用于不同尺寸或布局的MEMS芯片。利用该封装方法,对一种采用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上制作出2个对称"V"型槽的三明治式电容加速度计进行了真空封装,并对封装后的器件进行性能测试。结果表明,该加速度计在有吸气剂的情况下,品质因子(Q)可达到76,理论热机械噪声为0.026μg/槡Hz,腔体内部压强小于13 Pa,He气细漏检测漏率低于3×10-10Pa.m3/s,氟油粗漏无气泡,满足地震监测要求。

关键词：三明治式MEMS加速度计自停止腐蚀工艺吸气剂品质因子器件级真空封装

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微米尺度温差测试结构的研究

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 47-50页

作者：霍建琴冯飞王文荣戈肖鸿李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109... 详细信息

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109 K,与ANSYS仿真结果大致吻合;此外,利用该测试结构测得硅纳米线塞贝克系数为4.24×10-4V/K,与文献中硅材料一致。测试结果表明:该结构能够提供稳定的温度场并精确测量温差,满足微米尺度温差测试的基本要求。

关键词：微米尺度温差测试结构

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壳聚糖修饰氧化铁磁性纳米颗粒的制备和性能研究

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功能材料与器件学报 2012年第2期18卷 147-152页

作者：葛玉卿张宇顾宁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件实验室南京210009

通过共沉淀法制备氧化铁磁性纳米颗粒,用壳聚糖对其表面进行修饰得到样品(CS@MNPs);表征其形貌结构、尺寸、表面基团、表面电荷、磁学性质和在不同介质中的稳定性等。实验结果表明,CS@MNPs具有典型的立方反尖晶石晶体结构;粒径为16.5nm... 详细信息

通过共沉淀法制备氧化铁磁性纳米颗粒,用壳聚糖对其表面进行修饰得到样品(CS@MNPs);表征其形貌结构、尺寸、表面基团、表面电荷、磁学性质和在不同介质中的稳定性等。实验结果表明,CS@MNPs具有典型的立方反尖晶石晶体结构;粒径为16.5nm;在生理(pH值7.4)条件下拥有较高的正电荷(10mV);呈现超顺磁性,对驰豫时间T1、T2,尤其是T2*具有很强的响应;在双蒸馏水和含10%新生牛血清的RPMI 1640培养液中具有良好的稳定性,具有作为磁共振造影剂的潜力。

关键词：氧化铁磁性纳米颗粒壳聚糖表面修饰磁共振造影剂

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