检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2011年第5期48卷 326-332页

作者：黄占喜吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性... 详细信息

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。

关键词：微悬空结构释放体硅工艺三维掩膜各向异性腐蚀腐蚀模拟

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一种新型微机械陀螺的研究

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高技术通讯 2002年第9期12卷 38-41页

作者：熊斌黄小振王跃林王渭源中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计了一种检测模态和驱动模态具有相近品种因子的微机械陀螺。这种我们称之为栅型结构的陀螺由悬空弹簧将具有栅条的检测质量块与衬底相联。计算结果表明 ,这种器件在大气压条件下其驱动模态和检测模态的品质因子几乎同为 14 0。同时 ... 详细信息

设计了一种检测模态和驱动模态具有相近品种因子的微机械陀螺。这种我们称之为栅型结构的陀螺由悬空弹簧将具有栅条的检测质量块与衬底相联。计算结果表明 ,这种器件在大气压条件下其驱动模态和检测模态的品质因子几乎同为 14 0。同时 ,计算结果还表明可以获得比较平坦的较大带宽。采用硅玻璃键合和深反应离子刻蚀技术制作了这种器件。

关键词：硅微机械陀螺微机械加工技术深反应粒子刻蚀玻璃键合

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MEMS悬臂式开关的失效分析

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传感技术学报 2004年第3期17卷 492-496页

作者：徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。

关键词：寿命悬臂接触式开关驱动电压失效 ANSYS

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CMOS兼容的微机械P/N多晶硅热电堆红外探测器

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 226-232页

作者：刘义冬李铁王翊王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微... 详细信息

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微机械多晶硅热电堆红外探测器。实验得到的器件成品率达到90%以上,响应率为12.5V/W,探测率1×107cmHz1/2/W,为进一步大规模红外面阵研究奠定了基础。

关键词：红外热电堆微电子机械系统

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基于碳膜的柔性神经微电极阵列加工

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纳米技术与精密工程 2012年第2期10卷 184-188页

作者：朱壮晖周亮张华李刚金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,... 详细信息

为了实现长期安全有效的神经电刺激,避免电极腐蚀情况,提出了一种基于热解光刻胶形成碳膜作为导电材料的柔性视网膜神经微电极阵列.首先,通过高温热解图形化的光刻胶形成导电碳膜,然后利用光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)作为基底材料,通过光刻结合转膜、键合和牺牲层腐蚀技术,实现了具有柔性特征的碳膜神经微电极阵列.实验结果显示这种碳膜电极的电荷存储能力达到6.625 mC/cm2,是金电极的12.4倍,显示了良好的电化学稳定性和电荷注入能力,有利于其长期植入和安全有效地工作,可应用于新一代人工视网膜系统的构建.

关键词：柔性微电极碳膜电化学稳定性人工视网膜

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用于TEM原位拉伸实验的集成单晶硅纳米梁MEMS测试芯片研究

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中国科学（E辑） 2009年第5期39卷 948-953页

作者：金钦华王跃林李铁李昕欣许钫钫上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家实验室上海200050 中国科学院硅酸盐研究所上海200050

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结... 详细信息

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结构的驱动器、测力悬梁、单晶硅纳米梁及电子束透射窗等结构构成.利用SOI硅片和普通硅片采用体硅微加工工艺及硅键合工艺加工完成了芯片制造.通过透射电镜样品杆上的电极与微电子机械系统芯片导通,实现了对静电梳齿结构的驱动,完成了与其相连的单晶硅纳米梁的拉伸观测.对此微电子机械系统芯片的测试实验结果表明,随着驱动电压的增加,单晶硅纳米梁逐渐被拉动,原位拉伸实验得到了该纳米梁的应力-应变关系,对实验结果拟合后得到杨氏模量值为161GPa,在误差范围内与体硅一致.

关键词：微电子机械系统透射电镜单晶硅纳米梁原位拉伸实验

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基于金硅原电池保护电容加速度计的制作

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传感器与微系统 2012年第1期31卷 133-136页

作者：王辉吴燕红杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池... 详细信息

提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。

关键词：电容加速度计金硅原电池反熔丝腐蚀自停止

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梳齿的不平行对电容式微机械传感器可靠工作范围的影响

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Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 373-378页

作者：董林玺车录锋王跃林浙江大学信息学院信电系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

分析了梳齿电容式传感器梳齿极板间的不平行在三种电容驱动下 ,对传感器的可靠工作范围的影响 .结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下 ,当电容极板间的倾斜角由 0 1°变到 0 5°时 ,单边电容结构和双边电容结构的可靠工作范围... 详细信息

分析了梳齿电容式传感器梳齿极板间的不平行在三种电容驱动下 ,对传感器的可靠工作范围的影响 .结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下 ,当电容极板间的倾斜角由 0 1°变到 0 5°时 ,单边电容结构和双边电容结构的可靠工作范围变为电容极板完全平行时的 0 4 5 ,0 5 6 .对力平衡的双边梳齿电容结构 ,当倾斜角由 0 1°变到 0 15°时 ,可靠工作范围分别变为原来的 0 92 5 .并针对DRIE工艺刻蚀梳齿的原理 ,讨论了改进方法 .

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围脉冲信号

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全方位抗过载的压阻式三轴加速度计

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 87-90页

作者：王军诚吴艳红孙科杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀... 详细信息

针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀硅〈110〉补偿条形成凸角实现纵向过载保护。封装后的加速度计利用激振台和落锤法进行了测试。测试结果表明:加速度计的三轴灵敏度分别为2.56,2.54,2.05 mV/gn,分辨率分别为0.53,0.87,0.77 mgn,三轴方向均具有超过3000 gn的抗过载能力。

关键词：压阻式三轴集成加速度计绝缘体上硅抗过载

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酸性环境中基于Ta_2O_5的场效应管pH传感器的研究

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传感器与微系统 2014年第1期33卷 26-30,34页

作者：金妍陈淼金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 CSIRO Process Science and Engineering 中国科学院大学北京100049

研制了一种基于Ta2O5敏感膜的场效应式pH传感器，此传感器对pH有较好的敏感性：pH为1—7的范围内呈现出-57．4mV／pH的响应，漂移性约为3mV，迟滞效应小于5mV，且无明显酸误差。对此传感器的电化学阻抗谱进行深入研究，并采用不同的等... 详细信息

研制了一种基于Ta2O5敏感膜的场效应式pH传感器，此传感器对pH有较好的敏感性：pH为1—7的范围内呈现出-57．4mV／pH的响应，漂移性约为3mV，迟滞效应小于5mV，且无明显酸误差。对此传感器的电化学阻抗谱进行深入研究，并采用不同的等效电路来拟合此Si／SiO2／Ta2O5／电解液体系的响应机理，得出最佳的等效电路模型为RC（CR）（C（RW））。对拟合参数进行分析，此Ta2O5敏感膜与不同pH的电解液接触时，敏感膜与电解液的界面作用最终会引起半导体硅中空间电荷的变化，进而引起整个传感器结构的电容变化。制作的pH传感器稳定性好，适合于生物冶金过程（pH为1-4）的长时间连续监测。

关键词： Ta2O5 pH传感器电化学阻抗谱原子力显微镜等效电路模型

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