检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2006年第5A期19卷 1462-1465页

作者：史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林中国科学院研究生院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道... 详细信息

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.

关键词：微/纳机械系统纳米沟道离子束刻蚀

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三梁-质量块敏感结构高性能压阻式碰撞加速度计

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传感技术学报 2007年第8期20卷 1752-1756页

作者：董培涛周伟李昕欣张屯国王跃林封松林李圣怡国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

研究了一种主要应用于碰撞测试领域的硅微机械高性能压阻式加速度计，量程范围为2000gn．为满足技术性能要求，加速度计采用一种三梁-质量块结合梳齿阻尼器的新颖结构，从而可以同时具有高灵敏度及高动态特性（包括高谐振频率及精确阻... 详细信息

研究了一种主要应用于碰撞测试领域的硅微机械高性能压阻式加速度计，量程范围为2000gn．为满足技术性能要求，加速度计采用一种三梁-质量块结合梳齿阻尼器的新颖结构，从而可以同时具有高灵敏度及高动态特性（包括高谐振频率及精确阻尼控制）．这种加速度计采用n型（100）普通硅片制作，主要工艺过程包括双面ICP深刻蚀和压阻集成工艺．振动台测试结果表明，加速度计的灵敏度为0．1lmV／gn／5V，谐振频率为31kHz，灵敏度士5％变化下平坦带宽大于5kHz．采用落杆测试法测试了加速度计的冲击响应及0～2000g。满量程范围内的非线性度．封装后的加速度计承受15000g。的冲击测试后没有受到损坏．

关键词：硅微机械加工技术压阻碰撞加速度计

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基于聚苯胺的pH电极及其在CO2检测中的应用研究

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传感技术学报 2013年第10期26卷 1468-1472页

作者：金妍瞿晓虎陈淼金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 CSIRO Process Science and Engineering Box 312Clayton southVictoria 3169Australia 中国科学院大学北京100049

研制了一种基于聚苯胺（ PANI）的石墨pH电极，并将其成功地应用于CO2的检测中。在苯胺和盐酸的混合液中采用循环伏安法实现苯胺在石墨电极上的电聚合。实验表明，此基于聚苯胺的石墨pH电极在pH 1~pH 12的范围内呈现出很好的响应：-63.8... 详细信息

研制了一种基于聚苯胺（ PANI）的石墨pH电极，并将其成功地应用于CO2的检测中。在苯胺和盐酸的混合液中采用循环伏安法实现苯胺在石墨电极上的电聚合。实验表明，此基于聚苯胺的石墨pH电极在pH 1~pH 12的范围内呈现出很好的响应：-63.80 mV/pH（T=23℃），-65.81 mV/pH（T=48℃）。根据Severinghaus原理，研究了此传感器在pH 4~pH 9内的pH响应情况，证明此聚苯胺修饰的石墨pH电极可被成功地应用于CO2的检测中，此CO2传感器在CO2浓度为0~1000 mbar的范围内，呈现很好的响应特性：S=42.25 mV/pCO2（mbar）=0.61 pH/pCO2（mbar），且线性度为0.9839。因此，所研制的基于PANI的石墨pH电极可应用于生物冶金中pH和CO2的检测中。

关键词： pH电极聚苯胺循环伏安法 CO2 检测生物冶金

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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装

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半导体技术 2012年第10期37卷 790-794,814页

作者：蔡梅妮车录锋林友玲周晓峰黎晓林吴健中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中... 详细信息

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中常用的材料、工艺,可适用于不同尺寸或布局的MEMS芯片。利用该封装方法,对一种采用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上制作出2个对称"V"型槽的三明治式电容加速度计进行了真空封装,并对封装后的器件进行性能测试。结果表明,该加速度计在有吸气剂的情况下,品质因子(Q)可达到76,理论热机械噪声为0.026μg/槡Hz,腔体内部压强小于13 Pa,He气细漏检测漏率低于3×10-10Pa.m3/s,氟油粗漏无气泡,满足地震监测要求。

关键词：三明治式MEMS加速度计自停止腐蚀工艺吸气剂品质因子器件级真空封装

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传感器Q值对加速度计量化噪声的影响

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传感器与微系统 2013年第11期32卷 40-43页

作者：李刚车录锋黎晓林王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

高品质因数(Q)的加速度计因其具有较低的机械热噪声而适合高性能的振动检测,但Q值过高会带来接口电路的不稳定。为了充分利用传感器的特性优化Sigma-Delta(∑Δ)数字接口电路设计,通过分析加速度计的数字接口电路模型,验证了Q值的变化... 详细信息

高品质因数(Q)的加速度计因其具有较低的机械热噪声而适合高性能的振动检测,但Q值过高会带来接口电路的不稳定。为了充分利用传感器的特性优化Sigma-Delta(∑Δ)数字接口电路设计,通过分析加速度计的数字接口电路模型,验证了Q值的变化对数字量化噪声的影响,并且适当的Q值能降低数字接口电路基带内的量化噪声。设计和测试了基于三明治加速度计的PCB板级电路,测试结果表明:传感器的高Q特性会在基带引入一对共轭零点,抑制了基带内的量化噪声。

关键词：加速度计 Q值 ∑Δ 量化噪声

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曲面过载保护的新型高g值冲击硅微机械加速度传感器的设计

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机械强度 2003年第2期25卷 148-150,214页

作者：董健李昕欣王跃林张鲲宋朝晖浙江大学信息与电子工程系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全... 详细信息

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全相同的悬臂梁沿相反方向分布 ,四个压敏电阻构成惠斯通全桥连接 ;悬臂梁的过载保护采用上下两个曲面 ,一方面有效地提高悬臂梁的过载保护能力 ,另一方面调节加速度传感器的压膜阻尼 ,使之接近临界阻尼 ,有效抑制自由振动模态 ,提高测量精度。

关键词：曲面过载保护冲击硅微机械加速度传感器压膜阻尼

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悬臂梁式MEMS探卡的设计和制造

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仪表技术与传感器 2006年第4期 12-14页

作者：郭南翔汪飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室上海200050

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,... 详细信息

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,难以得到正确的测试结果。结合先进的MEMS技术,提出了一种采用铝通孔导电、金属自隔离结构的MEMS探卡,探卡由台阶结构的悬臂梁探针陈列构成,探针的具体结构排列依据待测芯片(DUT)的管脚分布,同时测试探针电学导通电阻小于1Ω.详细叙述了探卡的结构设计和制造方法。

关键词：悬臂梁探卡 MEMS

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微米尺度温差测试结构的研究

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传感器与微系统 2012年第11期31卷 47-50页

作者：霍建琴冯飞王文荣戈肖鸿李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109... 详细信息

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109 K,与ANSYS仿真结果大致吻合;此外,利用该测试结构测得硅纳米线塞贝克系数为4.24×10-4V/K,与文献中硅材料一致。测试结果表明:该结构能够提供稳定的温度场并精确测量温差,满足微米尺度温差测试的基本要求。

关键词：微米尺度温差测试结构

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空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)

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红外与激光工程 2009年第4期38卷 574-582页

作者：龚海梅唐恒敬李雪张可锋李永富李淘宁锦华汪洋缪国庆宋航张永刚方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 详细信息

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

关键词： InGaAs 焦平面组件红外探测器空间应用

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基于切割成型的侧壁表面压阻制作及其参数优化

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传感技术学报 2013年第2期26卷 182-186页

作者：宋芳王家畴上海工程技术大学机器人智能控制及功能设计实验室上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此... 详细信息

为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此基础上,详细分析了影响位移检测灵敏度和分辨率的各种因素,并对侧壁压阻的结构尺寸及其工艺参数进行优化。最后,给出了侧壁表面压阻在几种不同类型典型MEMS执行器件中的应用,取得了很好的应用效果。

关键词： MEMS DRIE 侧壁表面压阻位移检测参数优化

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