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  • 388 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室"
388 条 记 录,以下是51-60 订阅
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无交叠垂直梳齿平动微镜的驱动特性
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光学精密工程 2012年 第8期20卷 1772-1781页
作者: 翟雷应 徐静 钟少龙 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
为了设计用于光相位调制器平动微镜的无交叠梳齿驱动器,建立了保角变换数学模型,研究了驱动器的驱动特性。从复变函数理论出发,建立了驱动器的保角变换静电场解析模型;以动齿受力为研究对象,根据不同情形下的动齿受力特点,求解了一定区... 详细信息
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低电压驱动的MEMS F-P可调光学滤波器研究
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光电子.激光 2011年 第7期22卷 965-971页
作者: 翟雷应 徐静 李四华 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室 传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种新颖的光学腔与静电驱动器分离的Fabry-Pérot(F-P)可调谐滤波器。从光学设计、MEMS结构设计、制造工艺与器件测试等开展了F-P可调谐滤波器的研究,成功制备了工作在以1550 nm波长为中心、调谐... 详细信息
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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器
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红外与毫米波学报 2013年 第3期32卷 214-219页
作者: 魏鹏 黄松垒 李雪 邓洪海 朱耀明 张永刚 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在... 详细信息
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纳米材料在生物医学检测中的应用
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中国生物工程杂志 2011年 第9期31卷 88-95页
作者: 王萍 毛红菊 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
纳米技术的兴起,对生物医学领域的变革产生了深远的影响。纳米材料是纳米技术发展的重要基础,它具有许多传统材料所不具备的独特的理化性质,因此在生物医学、传感器等重要技术领域有着广泛的应用前景。对几类常见的纳米材料包括纳米金... 详细信息
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基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅器件的设计
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光学学报 2002年 第9期22卷 1100-1103页
作者: 李柏阳 江晓清 唐衍哲 杨建义 王明华 李铁 吴亚明 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州3100272 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
设计了一种基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅解复用器件。将一全内反射波导镜引入原弯曲的波导列阵中 ,该波导镜具有偏振补偿的功能和缩小器件尺寸的特点。在器件数值模拟的基础上 ,制作了原理性器件 。
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硅基脊型波导器件过渡区损耗及偏振效应
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光学学报 2004年 第2期24卷 203-207页
作者: 唐衍哲 王跃林 吴亚明 浙江大学信息与电子工程学系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试 ,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论 ,计算得到在所使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1dB左右的最小损耗 ,这一损耗... 详细信息
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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
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传感技术学报 2006年 第5A期19卷 1705-1708页
作者: 赵全斌 焦继伟 杨恒 林梓鑫 李铁 张颖 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原... 详细信息
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一种圆片级硅三层键合的三明治加速度传感
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传感技术学报 2008年 第2期21卷 230-232页
作者: 徐玮鹤 林友玲 车录锋 李玉芳 熊斌 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线... 详细信息
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新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟
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传感技术学报 2006年 第5B期19卷 2068-2071页
作者: 刘玉菲 赵本刚 吴亚明 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Mat-lab进行了解析计算... 详细信息
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基于PI衬底的柔性MEMS电容式触觉力传感器设计与制作
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传感技术学报 2008年 第2期21卷 280-283页
作者: 肖素艳 车录锋 李昕欣 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
论述了一种可应用于机器人或医学修补技术的触觉传感器及其在旋涂的柔性聚酰亚胺衬底的新制作方法。该传感器是由多层无机和有机薄膜组成的柔性薄膜结构。结合传感器结构特点及各结构层材料的加工性能,进行工艺优化整合。尤其首次在载... 详细信息
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