检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 7-14页

作者：明安杰李铁王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而... 详细信息

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而增加,随梳齿交叠长度的增加而减小;而驱动器的驱动电压随梳齿间隙的增加而升高。在以上研究的基础上,提出了一种采用小间隙无初始交叠、长度线性递增梳齿结构和高纵/横向刚度比的预弯曲支撑梁结构的梳齿驱动器。器件测试结果表明,驱动电压71V时,可以达到100μm的驱动位移,进一步测试表明,驱动器的基模共振频率为573Hz,Q值为35.88。

关键词： MEMS 梳齿驱动器侧向稳定性预弯曲梁

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带温度补偿结构的高灵敏度光读出红外成像阵列器件设计

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功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 46-52页

作者：李珂冯飞熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此... 详细信息

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此外,ANSYS模拟仿真的结果验证了该设计能抑制周围环境温度波动对器件红外目标探测的影响。

关键词：光读出红外成像阵列器件热-机械灵敏度噪声等效温差温度补偿

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MEMS传感器性能提高相关技术研究

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仪表技术与传感器 2003年第1期 8-9,25页

作者：黄树森李昕欣王跃林鲍敏杭中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

在分析MEMS(微电子机械系统 )传感器当前的发展现状、特点特别是在器件实用化和产品化进程中所面临的挑战后 ,提出了MEMS传感器技术实用化的关键———提高器件性能满足应用要求。根据研究经历举例说明改进传感器材料、结构。

关键词：微电子机械系统微传感器微执行器微机械技术

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矩形微流道内三维水力聚焦效应理论计算

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微电子学 2013年第5期43卷 698-703页

作者：周林峰曾静彭艳刘梅上海大学机电工程与自动化学院上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

在矩形微流道内二维水力聚焦计算的基础上,对三维对称和非对称水力聚焦进行了详细的理论计算。根据质量守恒定律和泊肃叶速度剖面等式建立数学方程组,详细推导被聚焦样品流的位置和尺寸,绘制它们与各流速比之间的关系曲线,对影响聚焦的... 详细信息

在矩形微流道内二维水力聚焦计算的基础上,对三维对称和非对称水力聚焦进行了详细的理论计算。根据质量守恒定律和泊肃叶速度剖面等式建立数学方程组,详细推导被聚焦样品流的位置和尺寸,绘制它们与各流速比之间的关系曲线,对影响聚焦的各个参数进行了深入的讨论。

关键词：微流道水力聚焦泊肃叶速度剖面等式样品流鞘流

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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

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红外与激光工程 2009年第1期38卷 14-18页

作者：龚海梅张可锋唐恒敬李雪张永刚缪国庆宋航方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。

关键词：短波近红外 InGaAs 焦平面组件读出电路

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一维纳米材料组装技术的研究进展

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材料导报 2013年第5期27卷 6-13,28页

作者：刘梅周林峰彭艳吴智政上海大学机电工程与自动化学院上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

分别分析和讨论了纳米线阵列直接有序生长法、随机组装法和不同驱动机制的组装法,展望了其下一步的研究方向。总体来说,直接有序生长法适用的材料范围受限制,对生长环境要求严格;随机组装法成功率比较低;而将纳米线合成和组装分立并加... 详细信息

分别分析和讨论了纳米线阵列直接有序生长法、随机组装法和不同驱动机制的组装法,展望了其下一步的研究方向。总体来说,直接有序生长法适用的材料范围受限制,对生长环境要求严格;随机组装法成功率比较低;而将纳米线合成和组装分立并加入驱动机制后,适用的材料范围广泛,组装效果提高。其中,液体剪切力驱动组装法、介电泳法、接触打印法和碾压法的效果最突出,都取得了很好的实验结果。未来的努力方向包括:如何更精确地控制纳米线阵列的位置、密度等参数,如何建立纳米线阵列与电路系统的电联接等。

关键词：一维纳米材料纳米线纳米管排列组装驱动机制

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一种基于表面张力的硅通孔互连快速填充技术

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半导体技术 2016年第9期41卷 700-705页

作者：刘冰杰顾杰斌杨恒上海大学机电工程与自动化学院上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

硅通孔互连(TSV)技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV... 详细信息

硅通孔互连(TSV)技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV通孔及盲孔的填充。使用扫描电子显微镜(SEM)分别对直径为120μm、深度为420μm的通孔和直径为90μm、深度为350μm的盲孔填充后的表面形貌和剖面形貌进行了观测。测得填充TSV阻值约为10mΩ。该技术避免了常用的电镀填充方法所需要的种子层沉积以及化学机械研磨等工艺,可显著降低TSV的填充制造成本。

关键词：硅通孔互连(TSV) 封装毛细现象液桥电阻

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肿瘤微血管芯片的制备及其应用

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 505-512页

作者：翟万银吴蕾贾春平邵建波徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200068 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

肿瘤血管结构不同于正常组织血管,由内皮细胞松散地围成不完整的管道,呈高通透性。为建立体外简便、有效、低廉的肿瘤血管模型,本研究采用微加工技术,制作了肿瘤血管微流控芯片。芯片包括24 mm长50μm宽40μm深的微管道和一侧的微腔体... 详细信息

肿瘤血管结构不同于正常组织血管,由内皮细胞松散地围成不完整的管道,呈高通透性。为建立体外简便、有效、低廉的肿瘤血管模型,本研究采用微加工技术,制作了肿瘤血管微流控芯片。芯片包括24 mm长50μm宽40μm深的微管道和一侧的微腔体以及两者之间的微缝。微管道中部设有膨胀区域以模拟肿瘤血管结构。在微管道内导入血管内皮细胞,培养形成细胞壁垒。通过促进细胞迁移而使得细胞壁垒出现稳定的泄漏点,使血管芯片具有通透性,并对体内调控血管通透性分子组胺和MMP2产生与体内相似的反应。在此基础上发现,原花青素对血管通透性有显著抑制作用,而抗癌药物依立替康则有促进作用,显示该肿瘤血管微流控芯片初步具备了肿瘤血管通透性调控分析的功能。

关键词：肿瘤血管微流控芯片血管内皮细胞通透性

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一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法

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功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 163-168页

作者：成海涛杨恒王跃林中国科学院研究生院北京100864 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050

常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KO... 详细信息

常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面。自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型。经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁。自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FIB技术,此工艺方法具有无晶格损伤层、工艺重复性好、加工精度高等优点。

关键词：纳米梁各向异性腐蚀 FIB

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用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制

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真空科学与技术学报 2005年第6期25卷 422-426页

作者：杨尊先于映李昕欣福州大学电子科学与应用物理系福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件.简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现器件的结构设计.并运用先进的微纳加工工艺技术制造出相应的器件,具体包括:先进的纳米硅尖制... 详细信息

本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件.简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现器件的结构设计.并运用先进的微纳加工工艺技术制造出相应的器件,具体包括:先进的纳米硅尖制造技术、高电隔离性的加热电阻制作技术及其纳机电探针上加热电阻与压阻传感器集成技术等.室温下,测得该器件加热电阻器的阻值为(500～600) Ω,压阻传感器的阻值为(6～8) KΩ,在2×10-7 N预力作用于针尖处时,悬臂梁上的压阻器件灵敏度(电阻相对变化)达到了3.12×10-4,满足纳米数据坑读出对于灵敏度要求;纳米针尖曲率半径小于40 nm,满足器件高密度存储对于硅尖要求.建立一套适用于该纳机电探针的电热理论模型,利用该模型计算的结果与器件电热测试结果相吻合.

关键词：纳米硅尖制造技术电阻加热器压阻灵敏度高密度存储技术

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