检索结果-内蒙古大学图书馆

传感器与微系统 2007年第10期26卷 38-40页

作者：王俊杰车录锋李玉芳熊斌谢铮王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了... 详细信息

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了相应的检测电路,实现了Q值为325、谐振频率为2.04 kHz微陀螺的闭环恒幅自激振动。

关键词：微机械陀螺自激振动自动增益控制

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基于塑性变形的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺

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功能材料与器件学报 2008年第3期14卷 663-668页

作者：池积光车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

研究了基于塑性变形工艺的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺,主要包括采用非SOI硅片实现可动电极和固定电极的绝缘,通过KOH各向异性腐蚀制作凸台实现可动梳齿和固定梳齿的精确自对准,利用塑性变形使可动梳齿和固定梳齿在垂直方向上产生位... 详细信息

研究了基于塑性变形工艺的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺,主要包括采用非SOI硅片实现可动电极和固定电极的绝缘,通过KOH各向异性腐蚀制作凸台实现可动梳齿和固定梳齿的精确自对准,利用塑性变形使可动梳齿和固定梳齿在垂直方向上产生位错,以及结构释放后用硅片做掩膜制作电极引线块。最后利用该工艺成功地制作出一个垂直位错梳状驱动器。

关键词：塑性变形自对准梳齿驱动非平面驱动

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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1462-1465页

作者：史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林中国科学院研究生院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道... 详细信息

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.

关键词：微/纳机械系统纳米沟道离子束刻蚀

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一种高灵敏度硅微机械陀螺的设计与制造

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传感器技术 2004年第12期23卷 82-85页

作者：陈雪萌宋朝晖李欣昕王跃林张鲲焦继伟杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁... 详细信息

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻应变计就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5V条件下,陀螺检测部分的理论灵敏度达到27.45mV/gn。压阻式四端器件用来监测驱动振幅,可以反馈补偿压阻的温度系数。检测模态的Q值达260使陀螺能在大气下工作。陀螺利用普通的n型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。

关键词：陀螺压阻深反应离子刻蚀

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隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

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光电子．激光 2010年第2期21卷 227-230页

作者：马铁英李铁李劲松中国计量学院光学与电子科技分院浙江杭州310018 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,... 详细信息

对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。

关键词：非晶硅(a-Si) 退火红外透射释H2

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基于非接触电导检测的PCR液滴检测芯片的研究

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分析测试学报 2020年第5期39卷 561-568页

作者：廖承悦彭伙高则航齐同周洪波赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学上海201210

数字PCR是继实时定量PCR之后新兴发展起来的一种绝对定量分析技术,广泛应用于疾病早期检测诊断和微生物检测分析等领域。然而,在数字PCR的微反应器检测环节,常规的光学检测方法需要复杂的光学设备,应用环境有限,成本高。因此研究了一种... 详细信息

数字PCR是继实时定量PCR之后新兴发展起来的一种绝对定量分析技术,广泛应用于疾病早期检测诊断和微生物检测分析等领域。然而,在数字PCR的微反应器检测环节,常规的光学检测方法需要复杂的光学设备,应用环境有限,成本高。因此研究了一种基于非接触电导检测的PCR液滴检测芯片,用电导检测取代传统的光学检测,有效降低了数字PCR结果读出系统的成本。通过优化电极结构与排布,采用三电极平行3D电极结构,减小了相对误差,提高了灵敏度,实现了无标记的PCR反应液滴阴性阳性比例检测。在DNA模板浓度为0.5×10^4~3×10^4 copies/μL内实现了良好的相关性(r^2=0.998),检测通量可达100个/秒。

关键词：数字PCR 液滴无标记非接触电导检测

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几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究

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传感技术学报 2007年第9期20卷 1971-1976页

作者：许科峰于海涛杨永亮杨恒李昕欣王跃林中国科学院研究生院北京100864 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050

特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,... 详细信息

特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,通过干法与湿法腐蚀相结合制成厚度在100nm以下的纳米梁.该方法不使用SOI硅片,有效控制了成本.在(100)SOI硅片上,通过氧化减薄的方法得到厚度在100nm以下的多种纳米梁,由于热氧化的精度高,一致性好,该方法重复性与一致性均较好.在(110)SOI硅片上,利用硅的各向异性腐蚀特性以及(110)硅片的晶向特点,制作宽度在100nm以下的纳米梁,梁的两个侧面是(111)面.

关键词： MEMS 纳米梁各向异性腐蚀硅纳米谐振器

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静电力驱动的液滴数字传输芯片

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功能材料与器件学报 2010年第2期16卷 131-136页

作者：皋华敏李铁许磊刘翔王翊周萍王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

设计制作了一种基于静电力驱动的数字微流芯片。通过优化芯片的结构,采用硅为衬底,TiW/Au为微电极阵列,较薄的氮化硅和碳氟聚合物为介质层和疏水膜层,驱动电压大为降低。目前已成功实现了在30V的驱动电压下,对去离子水液滴的两维驱动,... 详细信息

设计制作了一种基于静电力驱动的数字微流芯片。通过优化芯片的结构,采用硅为衬底,TiW/Au为微电极阵列,较薄的氮化硅和碳氟聚合物为介质层和疏水膜层,驱动电压大为降低。目前已成功实现了在30V的驱动电压下,对去离子水液滴的两维驱动,液滴移动速度可达96mm/s,同时也实现了对0.9%质量浓度NaCl溶液液滴的驱动。分析结果验证了液滴是在静电力的作用下实现移动。

关键词：数字微流芯片静电力液滴

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CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

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半导体技术 2008年第9期33卷 759-761,765页

作者：杨恒昭熊斌李铁王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性... 详细信息

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用xeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅／氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件。探测器尺寸为2mm×2mm，由20对多晶硅-铝热电偶组成，串联电阻16～18kΩ。释放后的器件特性响应率13-15V／W，探测率（1．85～2．15）×10^7cmHz^1/2／W，时间常数20-25ms。

关键词：热电堆红外探测器干法刻蚀 XeF2气体

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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术

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传感技术学报 2012年第7期25卷 885-890页

作者：王家畴刘洁丹李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海交通大学微纳科技研究院上海200240

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制... 详细信息

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术,该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性。通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构的轮廓及尺寸,实现在单晶硅片内部选择性可自停止腐蚀技术,制作出不同结构尺寸的腔体。同时,结合不同器件结构设计的需求,缝合微型释放窗口并进行后续工艺制作及最终可动结构释放。该技术采用微创手术式单硅片单面体硅工艺替代传统的表面微机械工艺,制作工艺简单,既具有单硅片单面加工的优势又便于与IC工艺兼容。文章详细讲述了微创手术式三维微机械结构的成型机理和工艺流程,并针对其关键技术进行了系统的分析,取得了令人满意的结果。

关键词： MEMS MISSM技术单硅片单面加工微型释放窗口

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