检索结果-内蒙古大学图书馆

化学进展 2024年第4期36卷 601-611页

作者：吴昊坪李磊曾睿祝雨晨赵斌冯飞成都中医药大学智能医学学院成都610036 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

近年来,呼出气检测在糖尿病领域的研究引起了广泛关注。糖尿病作为一种代谢性疾病,利用现代检测分析方法,如气相色谱、质谱、光谱和传感器检测等,实现了对糖尿病患者呼出气体的检测和监测。本综述概述了糖尿病患者呼出气体中一些挥发性... 详细信息

近年来,呼出气检测在糖尿病领域的研究引起了广泛关注。糖尿病作为一种代谢性疾病,利用现代检测分析方法,如气相色谱、质谱、光谱和传感器检测等,实现了对糖尿病患者呼出气体的检测和监测。本综述概述了糖尿病患者呼出气体中一些挥发性有机化合物的成分及其来源,并评估了以机器学习为基础的算法在支持糖尿病及其并发症风险预测模型方面的应用。此外,对国内外糖尿病呼出气检测的发展与应用进行了探讨,并对其局限性和未来潜在应用进行了评价。

关键词：呼出气体检测糖尿病疾病诊断无创丙酮挥发性有机化合物

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基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

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红外与毫米波学报 2012年第1期31卷 11-14,90页

作者：朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,... 详细信息

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.

关键词： ICP刻蚀 N-on-P结构线列探测器光电性能

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一种非致冷光读出红外成像阵列器件的设计

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半导体光电 2007年第3期28卷 327-330,337页

作者：杨广立冯飞熊斌王跃林中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

提出了一种具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件。该特征结构集成了红外敏感、调制和输出读出可见光信号的双重功能。通过研究相关性能,完成了像素单元尺寸的优化设计。理论计算表明,其关键性能指标的热-机械... 详细信息

提出了一种具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件。该特征结构集成了红外敏感、调制和输出读出可见光信号的双重功能。通过研究相关性能,完成了像素单元尺寸的优化设计。理论计算表明,其关键性能指标的热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.14×10-3rad/K和2.94 mK。

关键词：双材料梁-微镜一体化热-机械灵敏度热时间常数噪声等效温差光读出红外成像阵列器件

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采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱

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红外与毫米波学报 2022年第1期41卷 253-261页

作者：黄卫国顾溢金宇航刘博文龚谦黄华王庶民马英杰张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系哥德堡SE-41296

本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。

关键词：量子阱 GaP/Si 异变缓冲层中红外

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高量程加速度计横向各向异性响应的自由落杆冲击评估法（英文）

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微纳电子技术 2019年第9期56卷 734-744,753页

作者：鲍海飞宋朝辉李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

采用自由落杆冲击法对悬臂梁型高量程加速度计(50000g)的横向响应进行研究。钢杆和铝合金杆作为冲击体与地面上放置的金属钢砧碰撞产生应力波作为激励源,用于表征加速度计的性能,其中加速度计固定在金属杆的顶端。该方法不仅可以测量加... 详细信息

采用自由落杆冲击法对悬臂梁型高量程加速度计(50000g)的横向响应进行研究。钢杆和铝合金杆作为冲击体与地面上放置的金属钢砧碰撞产生应力波作为激励源,用于表征加速度计的性能,其中加速度计固定在金属杆的顶端。该方法不仅可以测量加速度计敏感轴的灵敏度,同时也可以测试其横向响应。实验表明,加速度计的各向异性响应与加速度计的固有结构和冲击体的直径紧密相关,理论计算与实验结果相一致。

关键词：横向响应高量程加速度计冲击物理效应灵敏度

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微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应

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传感技术学报 2010年第8期23卷 1070-1074页

作者：冷悦焦继伟张颖顾佳烨颜培力宓斌玮中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱... 详细信息

在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱动和检测模态有明显的失配,该失配的发生原因除了气体阻尼,更主要来源于驱动和检测结构弹性梁尺寸的工艺偏差。在分析了实验过程及结果的基础上可以认为,除了典型的DRIE滞后效应等因素外,器件结构的局域掩膜效应加剧了工艺偏差:对称弹性梁结构周边的非对称掩膜图形导致了刻蚀气体分布的局部不均匀,增加了DRIE刻蚀的侧蚀偏差。

关键词： MEMS陀螺深反应离子刻蚀非对称结构局域掩膜效应模态失配

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CMOS兼容的微机械P/N多晶硅热电堆红外探测器

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 226-232页

作者：刘义冬李铁王翊王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微... 详细信息

提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微机械多晶硅热电堆红外探测器。实验得到的器件成品率达到90%以上,响应率为12.5V/W,探测率1×107cmHz1/2/W,为进一步大规模红外面阵研究奠定了基础。

关键词：红外热电堆微电子机械系统

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基于阶跃响应的加速度计Q值测试方法研究

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传感技术学报 2009年第10期22卷 1417-1421页

作者：张灵霖车录锋李玉芳王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

随着电容式加速度传感器的广泛使用,对其品质因子、谐振频率等关键参数的器件级测试显得尤为重要。本文提出了一种简单有效的加速度计品质因子测试方法——阶跃响应测试法,详细分析了其测试原理及测试结果,并与传统的静电激励扫频测试... 详细信息

随着电容式加速度传感器的广泛使用,对其品质因子、谐振频率等关键参数的器件级测试显得尤为重要。本文提出了一种简单有效的加速度计品质因子测试方法——阶跃响应测试法,详细分析了其测试原理及测试结果,并与传统的静电激励扫频测试法进行了对比。结果表明:两种测试方法中等效电刚度的不同,造成了测试结果的差异。

关键词： Q值静电激励阶跃响应等效电刚度

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1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

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Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1798-1803页

作者：龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 详细信息

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.

关键词：阵列波导光栅硅基二氧化硅光波导光波分复用器/解复用器集成光学

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高阶谐振模态的超高质量分辨硅微悬臂梁压阻传感器

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Journal of Semiconductors 2006年第8期27卷 1496-1502页

作者：刘剑李昕欣金大重刘民王跃林左国民余海涛包菡涵中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提高传感器特异性反应吸附质量以... 详细信息

开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提高传感器特异性反应吸附质量以实现分子水平的检测分辨率,提出了一种二阶弯曲谐振模态优化驱动的方法.在悬臂梁上集成了一种回形针状的驱动电流回路,实现了与第二模态悬臂梁运动两个相反运动峰值相吻合的两处同时反方向驱动.研究中采用硅微机械技术实现了集成谐振悬臂梁的制作,并研制出了高性能的谐振传感器闭环接口电路.在空气中进行谐振实验,与传统一阶模态传感器相比,采用该优化驱动的二阶模态,谐振品质因数从195提高到857,谐振频率从49·156提高到298·132kHz,采用Allen方差的方法对谐振频率噪声进行分析,表明该优化驱动的二阶模态传感器将传统的一阶模态传感器质量分辨率从0·17改善到0·029pg,达到了4个痘病毒的质量分辨水平.

关键词：悬臂梁压阻敏感电磁激励 AGC式闭环电路谐振模态质量检测分辨率

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