检索结果-内蒙古大学图书馆

传感器与微系统 2025年第1期44卷 76-79页

作者：赵佳姜文铮周琮泉母志强中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机... 详细信息

本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机电耦合系数(k_(eff)^(2))。研究了电感耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀工艺对Mo电极斜坡角度的影响,通过调控工艺参数可以实现侧壁倾角10°~90°大范围调节。研发了Cl_(2)/BCl_(3)/Ar混合气体作为反应气体的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜ICP刻蚀工艺,刻蚀速率高达100 nm/min并获得垂直的侧壁形貌。在此基础上成功制备出Al_(0.7) Sc_(0.3) N压电薄膜HBAR谐振器,k_(eff)^(2)达到0.24%,与纯氮化铝(AlN)相比具有显著的提升效果。

关键词：掺钪氮化铝高钪掺杂压电薄膜电感耦合等离子体刻蚀高次谐波体声波谐振器

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大尺寸2M-WS_(2)柔性超导材料制备与物性研究

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功能材料与器件学报 2025年第1期31卷 42-47页

作者：方裕强涂雪洋刘以鑫彭炜牟刚黄富强上海交通大学材料科学与工程学院上海200240 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

柔性超导材料是超导量子电路和低温探测器件等应用场景中不可或缺的关键材料。本研究中,我们采用超声辅助液相剥离法制备了基于过渡金属二硫化物2M-WS_(2)的柔性超导材料,并对其超导电性以及弯曲后的超导表现进行了表征。结果表明,我们... 详细信息

柔性超导材料是超导量子电路和低温探测器件等应用场景中不可或缺的关键材料。本研究中,我们采用超声辅助液相剥离法制备了基于过渡金属二硫化物2M-WS_(2)的柔性超导材料,并对其超导电性以及弯曲后的超导表现进行了表征。结果表明,我们发展的制备方法可以制备长达30 cm以上的柔性超导窄线,其超导零电阻温度约为5.1 K,并且在弯曲情况下其超导性能基本不变。值得指出的是,这种制备方法具有工艺简单、扩展性强的显著优点。本研究为探索柔性超导材料的新型制备方法提供了有益借鉴。

关键词：柔性超导材料 2M-WS_(2) 超导临界温度

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2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器

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红外与毫米波学报 2016年第3期35卷 275-280页

作者：张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、... 详细信息

介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．

关键词：半导体激光器光电探测器磷化铟基无锑气态源分子束外延

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量子级联激光器有源核中界面声子的特性研究

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物理学报 2007年第1期56卷 500-506页

作者：徐刚毅李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势... 详细信息

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势分布于整个有源核并呈现出Bloch波的特征.表面声子的色散曲线位于各体声子子带的带隙内,其静电势局域在有源核一侧.这些结果将有助于量子级联激光器和子带跃迁激光器的优化设计.

关键词：量子级联激光器界面声子

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直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究

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物理学报 2005年第9期54卷 4334-4339页

作者：劳燕锋吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强... 详细信息

通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征这种局部的键合不连续区域,二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强度等值线图,从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性,得到了连续过渡界面且均匀键合的InPGaAs结构,利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器件例如光学微腔等.

关键词：晶片直接键合界面红外吸收光谱直接键合交界面特性研究结构不均匀分布电子显微镜观察不连续区域制备过程

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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

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稀有金属材料与工程 2007年第4期36卷 587-591页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜。

关键词：分布布拉格反射镜气态源分子束外延 X射线衍射反射谱

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低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

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金属学报 2007年第3期43卷 264-268页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VC... 详细信息

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求．对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的．这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中．

关键词：低温金属键合垂直腔面发射激光器反射谱光致荧光谱

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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

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氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第4期27卷 317-320页

作者：曹萌吴惠桢劳燕峰曹春芳刘成中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增... 详细信息

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小。H+注入过程中,部分隧穿H+会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H+也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化。高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H+注入能量或剂量的增大而增加。退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因。

关键词：离子注入光致发光量子阱互混

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FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正

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红外与毫米波学报 2016年第1期35卷 63-67页

作者：张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的... 详细信息

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.

关键词：发射光谱校正发光强度光荧光傅里叶变换

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