检索结果-内蒙古大学图书馆

激光与光电子学进展 2019年第13期56卷 172-176页

作者：汤瑜曹春芳赵旭熠杨锦李金友龚谦王海龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165

报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为... 详细信息

报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。

关键词：激光器量子阱激光器法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP 单模边模抑制比

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相变存储器预充电读出方法

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浙江大学学报（工学版） 2018年第3期52卷 531-536,568页

作者：雷宇陈后鹏王倩李喜胡佳俊宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地... 详细信息

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.

关键词：相变存储器(PCM) 预充电读出电路随机读取时间灵敏放大器(SA)

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低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究

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通信技术 2020年第6期53卷 1336-1340页

作者：李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电... 详细信息

研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8~10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10~20 mA内为0.02 nm/mA。在15~65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。

关键词：分子束外延量子阱 GaSb基电学特性功耗光谱

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基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真

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半导体技术 2019年第6期44卷 464-470,487页

作者：陈治西刘强任青华刘晨鹤赵兰天俞文杰闵嘉华上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOS... 详细信息

对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOSFET的能带结构、载流子密度等关键因素的变化。仿真结果表明:两种器件在受到较大辐射剂量时(1 Mrad (Si)),TFET受辐射引起的固定电荷影响较小,仍能保持较好的开关特性、稳定的阈值电压;而MOSFET则受固定电荷的影响较大,出现了背部导电沟道,其关态电流增加了几个数量级,开关特性发生了严重退化,阈值电压也严重地向负电压偏移。此外,TFET的开态电流会随着辐照剂量的增加而减小,这与MOSFET的表现恰好相反。因此TFET比MOSFET有更好的抗总剂量效应能力。

关键词：隧穿场效应晶体管(TFET) 总剂量(TID)效应开关特性能带结构阈值电压

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基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

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2021中国稀土学会学术年会

作者：吴秉骏张硕夏经铠刘志信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海市长宁区长宁路865号上海 200050) 中国科学院大学 (北京市石景山区玉泉路19号(甲)北京 100049 大科学中心大科学中心上海科技大学(上海市浦东新区华夏中路393号上海 201210) 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海市长宁区长宁路865号上海 200050) 大科学中心上海科技大学(上海市浦东新区华夏中路393号上海 201210)

基于超导转变边探测器(TES,Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。

关键词：超导转变边探测器 X射线荧光发射谱稀土元素化学组成分析

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基于SQUID三轴磁强计求取高精度磁总场研究

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仪表技术与传感器 2019年第2期 104-108,113页

作者：黎旭东邱隆清荣亮亮伍俊张树林王永良董丙元中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

根据航空超导全张量磁梯度系统中高精度磁总场需求,文中针对基于高灵敏低温超导量子干涉器件(LTS-SQUID)构建的三轴磁强计建立了校正模型,以校正其存在的零偏误差、比例因子误差与非正交误差。同时就SQUID重置后零偏偏大导致的算法寻优... 详细信息

根据航空超导全张量磁梯度系统中高精度磁总场需求,文中针对基于高灵敏低温超导量子干涉器件(LTS-SQUID)构建的三轴磁强计建立了校正模型,以校正其存在的零偏误差、比例因子误差与非正交误差。同时就SQUID重置后零偏偏大导致的算法寻优困难问题,提出零偏预校正方案,并在预校正基础上用自适应遗传算法对校正参数进行求解。此外,通过校正模型的正演研究了解了总场误差的分布情况,于反演仿真中,可将正演数据的总场误差校正至0.02 nT附近,其中预校正方案实现了零偏初步定位。在安静均匀地球磁场下进行了SQUID三轴求总场实验,将光泵磁力仪采集的数据视为理想总场。实验结果表明,经校正后的三轴实验数据合成的总场与光泵输出的标准差能达到0.2 nT量级以下。

关键词：磁总场获取 SQUID三轴磁强计校正模型自适应遗传算法误差校正

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微振动传感与声振特征识别的输电线路环境异变预警研究

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电力信息与通信技术 2020年第9期18卷 57-63页

作者：何冰孟夏卿顾俊杰俞杰李伟国网上海市电力公司检修公司上海200063 中光华研电子科技有限公司上海201800 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

输电线路常常遭受施工机械破坏导致停电事故,而传统的人工巡检和视频监控不具有实时性,光纤传感“后知后觉”,不能起到及时预警的作用。针对上述情况,文章通过研究声信号的特性及其在传播过程中的衰减特性,分析工程机械声信号的产生机... 详细信息

输电线路常常遭受施工机械破坏导致停电事故,而传统的人工巡检和视频监控不具有实时性,光纤传感“后知后觉”,不能起到及时预警的作用。针对上述情况,文章通过研究声信号的特性及其在传播过程中的衰减特性,分析工程机械声信号的产生机理。并基于微振动传感器开发振动采集装置,现场采集各类工程机械不同条件下的声信号数据,分析声信号的振动特征,通过预处理和梅尔频率倒谱系数(Mel Frequency Cepstrum Coefficient,MFCC)特征提取,构建模型数据库,利用对数似然比的评价指标进行被测声信号识别。实际测试结果表明,典型工程机械的识别率达到93%以上,验证了声信号振动特征的准确性和识别算法的有效性,实现了输电线路环境异变监测和预警。

关键词：微振动传感器特征识别输电线路

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用于心脏电活动成像的空间滤波器输出噪声抑制方法

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物理学报 2018年第15期67卷 360-368页

作者：周大方张树林蒋式勤同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的... 详细信息

利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的是通过构造一种新的滤波器权矩阵,约束空间滤波器的输出噪声功率增益,提高重建分布电流源偶极矩强度的分辨率,即分布电流源空间谱估计的源分辨能力,从而增强心脏电活动磁成像的分辨率.文中给出了电流源重建的理论分析和仿真结果;比较了该方法与MVB方法的差别;并给出了两个健康人36通道心脏磁场数据的电活动成像.结果表明,SONG方法分辨电流源的能力较强,能够观察到心脏电磁场信号R峰时刻健康人的心室电活动较强,心房电活动较弱等特征.

关键词：心脏电活动成像心磁图逆问题波束成形

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面向超导心磁图仪应用的环境评估方法

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现代电子技术 2019年第10期42卷 1-4页

作者：王毅陈威孔祥燕张朝祥张树林王永良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

无屏蔽低温超导心磁图仪在临床应用推进中逐渐凸显环境适应性问题,需要对安装地点进行全面的电磁环境和地坪震动评估。通过分析心磁图仪系统理论输出模型和已具备的噪声抑制手段,低频的环境磁场和震动仍是系统输出的重要干扰因素。采用... 详细信息

无屏蔽低温超导心磁图仪在临床应用推进中逐渐凸显环境适应性问题,需要对安装地点进行全面的电磁环境和地坪震动评估。通过分析心磁图仪系统理论输出模型和已具备的噪声抑制手段,低频的环境磁场和震动仍是系统输出的重要干扰因素。采用磁通门梯度计和加速度计,基于LabVIEW平台研制开发环境监测系统,实地获取应用环境的磁场、磁场梯度和地坪震动信息,通过分析采样数据的时域、频域特征和样本统计分布特征,优选出符合条件的场地,目前已完成两家医院选址评估。心磁系统环境噪声采样经多周期平均处理后优于2.5 pT,满足心磁采样要求,目前两家医院累计完成临床心磁采样700余例。结果表明,此环境评估方法将有助于加速心磁图仪应用推广和国内首个心磁数据库的筹建。

关键词：超导心磁图仪临床应用环境评估磁场梯度地坪震动心磁采样

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组分比例对Li(NixCoyMn1-x-y)O2正极材料结构及其电化学性能影响的机理研究

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核技术 2019年第11期42卷 7-17页

作者：吴颜如张念章辉柳娜徐中领李奇锋陈玉君刘啸嵩中国科学院上海微系统与信息技术研究所功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 宁德时代新能源科技股份有限公司宁德352000 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

Li(NixCoyMn1-x-y)O2(NCM)是具有能量密度大、循环稳定性高、低廉价格等良好性能的新型锂离子电池正极材料,在电动汽车等领域已开始成功应用。NCM材料中,3d过渡金属Ni、Co和Mn元素的不同配比对材料的结构和电子结构都会产生重要影响。因... 详细信息

Li(NixCoyMn1-x-y)O2(NCM)是具有能量密度大、循环稳定性高、低廉价格等良好性能的新型锂离子电池正极材料,在电动汽车等领域已开始成功应用。NCM材料中,3d过渡金属Ni、Co和Mn元素的不同配比对材料的结构和电子结构都会产生重要影响。因此,组分比例的研究有助于优化NCM材料的电化学性能,推动其在动力电池和大型储能装置中有更广泛的应用。本文选取工业常用的Li(Ni0.6Co0.2Mn0.2)O2(NCM622)、Li(Ni0.5Co0.2Mn0.3)O2(NCM523)和Li(Ni0.33Co0.33Mn0.33)O2(NCM333)三种正极材料,采用恒流充放电测试、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)、X射线衍射(X-ray Powder Diffraction,XRD)和X射线吸收谱(X-ray Absorption Spectroscopy,XAS)等表征方法,研究了不同元素配比对材料结构及电化学性能的影响,从而建立结构与电化学的对应关系。电化学测试结果表明:Ni含量越高,充放电容量越高,但倍率稳定性能越差。SEM和XRD结果表明:三种配比的颗粒尺寸和晶体结构基本保持一致。XAS测试结果表明:NCM材料中,Ni含量越高,Ni的价态越高,O在低能量处的吸收峰增强,说明Ni3d-O2p的杂化增强。Ni和O的电子结构的演变与电化学稳定性具有相关性,可能成为电化学稳定性变化的原因之一。综合三种材料研究结果,平衡容量密度和倍率性能,NCM523成为较优配比。

关键词： Li(NixCoyMn1-x-y)O2 正极材料电子结构 X射线吸收谱

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