检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 60-63页

作者：姜海波黄俊澄赵世钦马天驰李伟贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 详细信息

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。

关键词：变电站接地网宽带天线液晶聚合物

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相变存储器失效机理的研究进展

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物理 2018年第3期47卷 153-161页

作者：高丹刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 苏州科技大学化学生物与材料工程学院苏州215009

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的... 详细信息

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的提升至关重要。文章综述了相变存储器失效机理的研究进展，主要讨论和归纳了电性操作和工艺制程所导致的相变存储器失效模型和失效机理，包括电迁移、热动力学效应、相变应力和热应力、电压极性、结晶引发的偏析、浓度梯度、电极材料以及制造工艺引起的失效。

关键词：相变存储器失效机理电迁移应力制造工艺

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局域表面等离子体增强锗的光电响应特性

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上海大学学报（自然科学版） 2018年第2期24卷 207-216页

作者：齐功民狄增峰任伟上海大学理学院上海200444 上海大学量子与分子结构国际中心上海200444 中国科学院上海做系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电... 详细信息

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电响应特性.利用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)法,详细研究了1,2,3个银纳米颗粒嵌入锗中的消光光谱.结果发现,在可见光以及近红外比较宽的波长范围内,这种复合结构可以有效增强锗的光电响应特性,且多个孤立的银纳米颗粒会表现出与1个银纳米颗粒不一样的光电响应特性.同时,LSPR导致的光响应特性与光源的偏振、颗粒尺寸、颗粒个数以及颗粒之间的距离有依赖关系.这一结果不仅对锗在光电子领域的应用有重要意义,也可以拓宽局域表面等离子体在纳米光电子领域的应用范围.

关键词：光电子局域表面等离子体共振时域有限差分法银纳米颗粒消光光谱

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一种采用新型逻辑算法的SAR ADC

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微电子学与计算机 2018年第7期35卷 35-40页

作者：黄添益王本艳景蔚亮宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京100049 上海新储集成电路有限公司上海201500

基于SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器(SAR ADC).在正常工作模式的基础上,增加了当模拟输入信号变化缓慢时,锁定前4位,仅转换后8位的工作模式,降低了ADC的功耗,提高了ADC的采样率,同时分辨率保持不变.当模... 详细信息

基于SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器(SAR ADC).在正常工作模式的基础上,增加了当模拟输入信号变化缓慢时,锁定前4位,仅转换后8位的工作模式,降低了ADC的功耗,提高了ADC的采样率,同时分辨率保持不变.当模拟输入信号变化较大时,ADC又可重新回到正常工作模式.在1.1V的电源电压,3.6 MS/s的采样率下,ADC总功耗为43μW,品质因数FOM为10.1fJ/(conv.·step).

关键词：逐次逼近寄存器式模数转换器新型SAR逻辑锁定ADC前几位低功耗ADC

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X射线自由电子激光在物理学中的应用

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物理 2018年第7期47卷 418-425页

作者：泮丙营叶茂封东来鲁东大学物理与光电工程学院烟台264025 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研... 详细信息

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研究领域取得的一些突破性进展,并展望其未来在解决重大物理问题中的可能应用。

关键词：自由电子激光物理科学超快过程

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接地网缺陷诊断中电磁场检测技术的研究进展

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功能材料与器件学报 2019年第3期25卷 156-161页

作者：姜海波何思阳高浩乾左文熙靳鹏飞俞杰贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000 江苏大学机械工程学院镇江212000 中光华研电子科技有限公司上海200000

本文从接触式的电场或磁场测量法和非接触式的瞬态电磁法两个方面,总结了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的发展,从电磁场检测技术的原理出发,分别从缺陷诊断方法、试验研究等方面综述了近年来电磁场检测技术在接地网缺陷诊断领... 详细信息

本文从接触式的电场或磁场测量法和非接触式的瞬态电磁法两个方面,总结了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的发展,从电磁场检测技术的原理出发,分别从缺陷诊断方法、试验研究等方面综述了近年来电磁场检测技术在接地网缺陷诊断领域的重要研究成果;并在上述综述的基础上,展望了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的研究方向,为今后接地网诊断电磁场检测技术的发展提供参考。

关键词：接地网缺陷诊断电磁场试验研究

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二维氢原子中的基态奇异特性数值精确对角化法

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物理学报 2017年第23期66卷 9-15页

作者：刘褚航强百强季育琛李炜上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得... 详细信息

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得到的波函数数值解及其相应的本征能量均与解析结果相一致.这套新的完备的离散贝塞尔基函数,可以在研究一些波函数具有数值奇异特性的体系中发挥至关重要的作用.

关键词：二维氢原子离散贝塞尔基函数 Lanczos法

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化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼

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科学通报 2017年第20期62卷 2279-2286页

作者：杨鹏吴天如王浩敏卢光远邓联文黄生祥中南大学物理与电子学院长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm^(-1),半高峰宽为18 cm^(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.

关键词：六方氮化硼多层化学气相沉积铜镍合金刻蚀结构表征

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基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源

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固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 26-31页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩李喜雷宇苗杰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形... 详细信息

基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当编程信号频率从500kHz到10 MHz变化时,输出电流变化为4.5%;当编程电阻从200Ω到10kΩ变化时,输出电流精度误差不到3%,芯片面积为0.84mm2。在高速可编程脉冲电流源的测试平台上,对相变单元进行电流编程操作,结果显示,相变电阻能够可靠地进行晶态-非晶态的高速可逆相变。

关键词：相变单元 Set操作 Reset操作高速脉冲电流源

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氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英)

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无机材料学报 2017年第10期32卷 1109-1114页

作者：汪为磊刘卫丽白林森宋志棠霍军朝中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息材料国家重点实验室纳米技术实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出... 详细信息

为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理,即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明:N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面,导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示:改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即,改性氧化铝颗粒在p H=10时比未改性氧化铝颗粒在p H=13.00时表现出更高的材料去除率,这将为减少设备腐蚀提供新思路。

关键词：改性方法 N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷化学机械抛光 CMP 氧化铝抛光液

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