检索结果-内蒙古大学图书馆

上海交通大学学报 2021年第9期55卷 1134-1141页

作者：吴磊蔡道林陈一峰刘源广闫帅李阳余力谢礼宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲... 详细信息

为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复.

关键词：相变存储器连续性RESET操作连续性SET操作疲劳特性失效改善

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基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 601-605页

作者：蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的... 详细信息

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。

关键词：相变存储器互补型金属氧化物半导体电路疲劳特性

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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)

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无机化学学报 2011年第4期27卷 759-763页

作者：张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果... 详细信息

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。

关键词： CeOHCO3 CeO2 KH550 菱形沉淀法

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硅晶片双面超精密化学机械抛光

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 396-399页

作者：张楷亮宋志棠钟旻郑鸣捷封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器

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微电子学 2011年第4期41卷 540-544页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对... 详细信息

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。

关键词：相变存储器时钟发生器压控振荡器

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一种具有掉电数据保持功能的触发器设计

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微电子学与计算机 2012年第7期29卷 4-7页

作者：张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/... 详细信息

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.

关键词：相变存储器掉电数据保持触发器双置位

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基于相变存储器的音频存储播放系统设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 327-331页

作者：许林海陈小刚宋志棠陈一峰丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单... 详细信息

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出。板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作。由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础。

关键词：相变存储器音频存储播放系统 AD73311 FPGA Verilog硬件描述语言

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用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵

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微电子学 2011年第6期41卷 848-851页

作者：富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负... 详细信息

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。

关键词：电荷泵 DC-DC变换器相变存储器

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一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵

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电路与系统学报 2013年第1期18卷 449-452页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿... 详细信息

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。

关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器

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相变存储器中灵敏放大器的设计

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微电子学 2012年第6期42卷 762-764,769页

作者：张怡云陈后鹏龚亮王倩蔡道林陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 详细信息

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。

关键词：相变存储器灵敏放大器预充电

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