检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2007年第3期27卷 494-498页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱... 详细信息

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1．3倍。另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高。

关键词：光学材料应变多量子阱干法刻蚀损伤光致发光

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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1453-1456页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。

关键词： GaN 氢化物气相外延(HVPE) 低温AIN插入层

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

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功能材料 2007年第8期38卷 1257-1259,1264页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌谢正生吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发... 详细信息

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强。

关键词：垂直腔面发射激光器离子注入退火

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自差分交流偏置超导纳米线单光子探测器

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物理学报 2022年第15期71卷 281-287页

作者：马璐瑶张兴雨舒志运肖游张天柱李浩尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其优异的综合性能,在量子信息、激光雷达等方面有广泛的应用.通常,SNSPD工作在直流偏置下,在时域上具有自由运行探测的优点.而在卫星激光测距、单光子激光雷达等光信号到达时间有规律的应用场景中,使用... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其优异的综合性能,在量子信息、激光雷达等方面有广泛的应用.通常,SNSPD工作在直流偏置下,在时域上具有自由运行探测的优点.而在卫星激光测距、单光子激光雷达等光信号到达时间有规律的应用场景中,使用交流偏置有望提升器件运行速率、有效抑制背景暗计数,却存在信号读出困难的棘手问题.本文报道了自差分读出的交流偏置SNSPD系统,该系统包含两根并行排布纳米线构成的2-pixel SNSPD器件.给两根纳米线加载相同的100 MHz交流偏置信号,并对两路输出信号差分使噪声信号相抵消,实现光子响应信号的读出.基于该方法测得,响应信号的信噪比相比差分之前提升10倍,在交流偏置下器件的暗计数降低至直流偏置下的约1/4,计数率达到直流偏置下的约1.5倍.本文为交流偏置SNSPD测试提供了一种思路,为其应用提供参考数据.

关键词：超导纳米线单光子探测器交流偏置自差分读出

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高质量大面积石墨烯的化学气相沉积制备方法研究

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物理学报 2012年第3期61卷 510-516页

作者：王文荣。周玉修李铁王跃林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.... 详细信息

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.研究发现:高温度、稀薄的甲烷浓度、较短的生长时间以及合适的气体流速是制备高质量、大面积石墨烯的关键.Raman光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征结果表明:制备的石墨烯主要为单层,仅铜箔晶界处有少量多层石墨烯.电学测试表明CVD制备的石墨烯在低温时呈现出较明显的类半导体特性;薄膜电阻随外界磁场的增大而减小.

关键词：石墨烯化学气相沉积 Raman光谱电学性能

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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

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物理学报 2006年第9期55卷 4934-4939页

作者：余晨辉王茺龚谦张波陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 详细信息

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

关键词：压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点洛伦兹线形拟合

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单极型量子级联激光器的发明及其进展(邀请论文)

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中国激光 2010年第9期37卷 2213-2220页

作者：李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 信息功能材料国家重点实验室上海200050

1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63～360μm,室温连续功率达瓦级... 详细信息

1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63～360μm,室温连续功率达瓦级的系列中远红外波段单极型QCL。本文对QCL的发明、激射机制、材料与激光器进行了综述性介绍。讨论了QCL及其在环境与气候监测、医学成像和检查及疾病诊断、通信、国土安全等战略新兴应用领域的研究现状和未来发展趋势。

关键词：半导体激光量子级联激光器分子束外延中远红外

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InGaP/GaAs双结太阳电池的研制

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太阳能学报 2004年第5期25卷 620-623页

作者：张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%～82%之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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p型量子阱太赫兹振荡器研究

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 241-243页

作者：曹俊诚李爱珍封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

关键词： P型量子阱太赫兹振荡器负有效质量自振荡二极管

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