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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研... 详细信息

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.

关键词： Si2Sb2Te5 phase-change material crystallization temperature structure

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基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：常宝林邱隆清董慧刘超谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究信息功能材料国家重点实验室超导课题组上海200050

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际研究热点之一.采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建.本文基于加权叠加图像重建(WISR...

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际研究热点之一.采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建.本文基于加权叠加图像重建(WISR)算法,编写了多通道MRI图像重建软件,建立了多通道模型进行仿真,重建全成像视野(FOV)图像.

关键词：

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相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

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电子器件 2010年第3期33卷 271-274页

作者：李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵... 详细信息

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。

关键词：相变存储器驱动二极管串扰电流 TCAD

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SQUID器件与应用技术及其标准现状分析与建议

SQUID器件与应用技术及其标准现状分析与建议

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：孔祥燕张国峰张树林王美玲张懿王镇谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海超导中心上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需...

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需求越来越大。作者就SQUID器件的及其应用的国内外现状进行总结和分析，并就有关SQUID器件和应用方面的相关的标准提出初步观点和建议，并以低温SQUID器件以及磁探测系统的若干具体问题作为实例进行细致交流。

关键词：

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基于QD-SOA级联XGM与XPM全光逻辑或门的研究

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通信技术 2019年第11期52卷 2598-2604页

作者：密术超王海龙张书玉龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了提高全光逻辑门性能,对基于量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)提出了一种级联XGM与XPM全光逻辑或门的设计方法。在QDSOA三能级模型的基础上,将QD-SOA细化分段,使用牛顿迭代法和四阶龙格-... 详细信息

为了提高全光逻辑门性能,对基于量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)提出了一种级联XGM与XPM全光逻辑或门的设计方法。在QDSOA三能级模型的基础上,将QD-SOA细化分段,使用牛顿迭代法和四阶龙格-库塔法求解速率方程,对这种全光逻辑或门进行仿真分析。计算结果表明:增大电流强度和有源区宽度,减小最大模式增益和损耗系数,可以提高对比度、Q因子、消光比和转换效率;增大泵浦光功率可以提高消光比和对比度,但是会减小Q因子和转换效率。当泵浦光功率为10 dB、最大模式增益为2500 m^-1、电流强度为60 mA、有源区宽度为2.0μm以及损耗系数为3.2时,全光逻辑或门具有较好的性能。因此,为了提高全光逻辑门的性能,必须优化并选取合适的参数,这对全光逻辑门性能具有一定的指导意义。

关键词： QD-SOA 全光逻辑或门对比度 Q因子消光比

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超导纳米线单光子探测抖动分析

超导纳米线单光子探测抖动分析

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海超导中心上海 200050

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以...

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以及系统集成应用(量子通信、测距及成像等).重点探讨SNSPD器件和系统的抖动起源,分析了信号信噪比对系统抖动的影响.

关键词：

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

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张应变对Ge迁移率的改善

张应变对Ge迁移率的改善

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Department of Microtechnology Chalmers University of Techn

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影... 详细信息

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000℃高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

关键词：集成电路半导体技术锗材料迁移率张应变量分子束外延

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评估波长扩展InGaAs探测器技术的17规则

评估波长扩展InGaAs探测器技术的17规则

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：张永刚顾溢陈星佑马英杰李雪邵秀梅龚海梅方家熊中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海 200083

评估红外探测器和焦平面器件性能以及相关技术的07规则已提出10年.此规则基于当时最佳性能碲镉汞器件的统计数据,被用于评估其与截止波长和温度相关的暗电流特性,在长波至短波多个红外波段的碲镉汞器件上应用至今效果良好,人们也尝试用... 详细信息

评估红外探测器和焦平面器件性能以及相关技术的07规则已提出10年.此规则基于当时最佳性能碲镉汞器件的统计数据,被用于评估其与截止波长和温度相关的暗电流特性,在长波至短波多个红外波段的碲镉汞器件上应用至今效果良好,人们也尝试用此规则来评价其他材料和类型的器件.

关键词：半导体红外探测器焦平面器件波长扩展暗电流特性

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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究

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电子元件与材料 2017年第6期36卷 70-74页

作者：程实常永伟魏星费璐中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质学院上海200031 中国科学院大学北京100049

因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(... 详细信息

因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。

关键词：高阻SOI 共面波导传输线射频损耗表面寄生电导效应硅离子注入 TR-SOI

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