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第十届全国光电技术学术交流会

作者：龚海梅邵秀梅李向阳李言谨张永刚张燕刘大福王小坤李雪方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 详细信息

随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。本文从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等四个方面,介绍了我国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。

关键词：红外探测器 HgCdTe InGaAs 航天应用

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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FTIR测量宽波长范围光谱的校正

FTIR测量宽波长范围光谱的校正

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：张永刚方家熊周立顾溢马英杰陈星佑奚苏萍杜奔邵秀梅龚海梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

傅里叶变换红外光谱方法经半个多世纪的发展,在理论和技术方面都日臻成熟,并已成为鉴别固态、气态和液态物质的重要方法之一,其相关的测量仪器及其可选部件也根据这些主流应用得到了充分的发展,主要侧重于中红外波段的吸收谱类光谱测量...

傅里叶变换红外光谱方法经半个多世纪的发展,在理论和技术方面都日臻成熟,并已成为鉴别固态、气态和液态物质的重要方法之一,其相关的测量仪器及其可选部件也根据这些主流应用得到了充分的发展,主要侧重于中红外波段的吸收谱类光谱测量,并拓展进入近红外波段.在半导体特别是光电子研究领域,随着材料和器件的工作波长由近红外及可见-紫外波段向中红外波段推进,与分光光谱相比傅里叶变换红外光谱方法的高光通量、宽光谱范围、低等效噪声及快扫描速度等优点使其受到青睐,相关的光电谱类(如光电流、光电导、光电容等)和发射谱类(如光荧光、电荧光与激光等)测量方法呵技术也在原有光谱仪的吸收谱类测量基础上得到拓展,并发展出适用的用户测量系统[1-2].

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基于HHT的输电线路雷击点定位研究

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 174-178页

作者：曾宪武李生福李伟贵州电网有限责任公司遵义供电局遵义563000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏... 详细信息

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏振态信号进行希尔伯特-黄变换和处理得到其幅值、频率随时间变化的图谱,从而得到偏振态突变信号到达偏振态解调设备的时刻来进行雷击点定位。结果表明,HHT可以准确的反映OPGW雷击点处光偏振态突变信息,具有较高的定位精度和可靠性,为实现输电线路雷击点更高精度和更快速的检测定位提供了新的方法和思路。

关键词：偏振态降噪希尔伯特-黄变换雷击点定位

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X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

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中国稀土学会2021学术年会

作者：余毅章辉刘志上海科技大学大科学中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计... 详细信息

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计下一代高活性稀土能源材料具有重要的科学价值和实践意义。本报告将围绕原位X射线能谱方法展开,基于氧化铈模型电化学器件,讨论X射线能谱方法在稀土能源材料研究中的应用,并结合多种X射线原位谱学方法,探讨稀土材料设计和研究的新范式,展望X射线原位技术在稀土材料催化和电催化研究中的应用。

关键词： X射线能谱方法原位氧化铈电催化

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铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

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第十七届全国凝聚态光学性质会议

作者：朱亮宋禹忻祁镇王庶民邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所功能信息材料国家重点实验室上海 200050

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道...

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道了相近材料中的低温俄歇复合增强效应,其根源尚不清楚[2].载流子的空间局域会增加动量不确定性,导致载流子俄歇复合过程的增强.因此,S形演化与低温俄歇复合间可能正相关.

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

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第五届中国功能材料及其学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所(上海) 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所(上海)

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α=2×10~7×10,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α<,H>=2×10<'-5>~7×10<'-5>,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

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SOI在高压器件中的应用

SOI在高压器件中的应用

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究

KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：李明颖方爱华谢晓明黄富强中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 2000501 中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室上海 2000502

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对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：王海洪韬孔祥燕张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ) D-52425 Jülich Germany

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该...

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该电压信号会被变压器放大。由于电容的隔直作用,习惯上认为恒定的直流偏置电流Ib只流经SQUID,在该技术方案中SQUID工作于电流偏置模式。然而,在FMS中SQUID的工作模式既不是纯粹的电流偏置也不是电压偏置,而是混合偏置。通过分析,并定量比较了FMS与直读方案(DRS)的SQUID电流电压(I-V)特性曲线实验测量数据,我们发现：由于变压器的并联分流作用使得流经SQUID的电流Is≠Ib,且不是恒定的,,使得SQUID在FMS中的V(Φ)信号与DRS相比减小了。更重要的是,变压器的通带效应使得SQUID信号变得接近正弦波,这就降低了SQUID工作点附近的(e)V/(e)Φ。

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