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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料实验室"
789 条 记 录,以下是31-40 订阅
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采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
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红外与毫米波学报 2022年 第1期41卷 253-261页
作者: 黄卫国 顾溢 金宇航 刘博文 龚谦 黄华 王庶民 马英杰 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室 上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院大学 北京100049 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系 哥德堡SE-41296
本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X... 详细信息
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化学气相沉积合成纯单层石墨烯的技术综述
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固体电子学研究与进展 2024年 第6期44卷 568-575页
作者: 徐洋健 肖润涵 王浩敏 于广辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 集成电路材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学材料科学与光电工程研究中心 北京100049
石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景,同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此,高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种... 详细信息
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掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究
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压电与声光 2022年 第2期44卷 299-303,309页
作者: 朱宇波 母志强 陈玲丽 朱雷 李卫民 俞文杰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 上海集成电路材料研究院 上海200050
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e_(33)增加、刚度C^(D)_(33)下降,导致Al_(1-x)Sc_(x) N... 详细信息
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基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征
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半导体技术 2024年 第9期49卷 813-817页
作者: 刘玉 高定成 薛忠营 常永伟 中国科学技术大学微电子学院 合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室 上海200050
硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜... 详细信息
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基于半导体光子学器件的太赫兹成像技术研究进展
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量子电子学报 2023年 第2期40卷 181-192页
作者: 王长 宋高辉 谭智勇 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049
太赫兹(THz)成像是THz技术应用的重要方向之一。基于THz量子级联激光器(QCL)和THz量子阱探测器(QWP)等半导体光子学器件的THz成像系统具有结构紧凑、空间分辨率高、成像信噪比较高等优点,已成为当前研究的热点领域。对国内外关于THz QCL... 详细信息
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串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析
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物理学报 2021年 第17期70卷 299-304页
作者: 梁恬恬 张国峰 伍文涛 倪志 王永良 应利良 伍俊 荣亮亮 彭炜 高波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串... 详细信息
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氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展
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科学通报 2023年 第14期68卷 1741-1752页
作者: 韩根全 王轶博 徐文慧 巩贺贺 游天桂 郝景刚 欧欣 叶建东 张荣 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所测试分析平台 苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 南京大学电子科学与工程学院 南京210023 江苏第三代半导体研究院 沈阳材料科学国家研究中心苏州215123
超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的... 详细信息
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基于弗雷歇距离的光伏组件温度计算
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电源技术 2024年 第2期48卷 321-324页
作者: 洪宇平 高祺 刘正新 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海201800 集成电路材料全国重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 莱茵技术上海有限公司 上海200072
使用相似度评估方法中的弗雷歇距离(Frechet distance)评估不同条件下的光伏组件输出特性,并通过对温度和辐照度的分析建立关系方程,基于该方程计算光伏组件温度。经过仿真实验分析以及实测数据验证,并与国际电工委员会(IEC)标准中定... 详细信息
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高效、偏振不敏感超导纳米线单光子探测器
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物理学报 2021年 第18期70卷 346-352页
作者: 张文英 胡鹏 肖游 李浩 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100039 中国科学院空间主动光电技术重点实验室 上海200050
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其优异的综合性能被广泛应用于量子通信等众多领域,然而其独特的线性结构会导致SNSPD的探测效率对入射光的偏振态具有依赖性,从而限制了SNSPD在非常规光纤链路或其他非相干光探测环境中的应用.本文基于... 详细信息
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高定位精度的毫米波全息图像三维目标检测
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红外与毫米波学报 2021年 第6期40卷 870-877页
作者: 李怀乾 杨明辉 吴亮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室 上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049
投影角度不同导致目标的形状及尺寸变化限制了基于主动式毫米波(AMMW)全息图像投影视图的隐匿物品二维检测方法对小目标检测性能的提升,为此,提出了基于点云的隐匿物品三维检测方法。通过阈值化处理将AMMW全息图像转换为点云输入经空洞... 详细信息
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