检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2025年第1期31卷 11-21页

作者：张庆凌云陈意桥中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

本文在简要回顾原子吸收光谱技术发展历史的基础上,总结概括了应用于分子束外延中束流原位实时监控的原子吸收光谱系统结构,并对搭建该系统所需关键部件的选型和参数进行了综述。同时,本文还归纳了原子吸收光谱的背景参比方法、误差来... 详细信息

本文在简要回顾原子吸收光谱技术发展历史的基础上,总结概括了应用于分子束外延中束流原位实时监控的原子吸收光谱系统结构,并对搭建该系统所需关键部件的选型和参数进行了综述。同时,本文还归纳了原子吸收光谱的背景参比方法、误差来源以及漂移校正的方法,分析了原子吸收光谱技术在分子束外延系统中实时在线和多元素监测的优势,并回顾了其应用发展过程。在此基础上,本文提出了一个分子束外延中原子吸收光谱技术的改良方案,并讨论了该技术新的应用场景。

关键词：原子吸收光谱分子束外延光学束流监测原位表征实时束流监控

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

太赫兹量子器件光电测试技术与系统

引用

物理 2022年第5期51卷 328-336页

作者：谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

光电测试技术是太赫兹辐射研究的重要基础技术。文章首先介绍两种太赫兹量子器件的工作原理和最新进展,随后主要介绍太赫兹量子器件在脉冲激光功率测量技术、快速调制与直接探测技术、激光偏振转换与测量以及光纤损耗测量技术及相关测... 详细信息

光电测试技术是太赫兹辐射研究的重要基础技术。文章首先介绍两种太赫兹量子器件的工作原理和最新进展,随后主要介绍太赫兹量子器件在脉冲激光功率测量技术、快速调制与直接探测技术、激光偏振转换与测量以及光纤损耗测量技术及相关测试系统中的应用。最后总结基于太赫兹量子器件的光电测试技术的特点和优势,并对未来的发展进行展望。

关键词：太赫兹辐射光电测试技术量子级联激光器量子阱探测器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识

引用

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2157-2167页

作者：刘春媚杨旭朱慧龙胡志远毕大炜张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 华天科技(昆山)电子有限公司江苏昆山215300

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退... 详细信息

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。

关键词：热载流子效应总剂量效应辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低温互联柔性线的研制

引用

低温与超导 2022年第7期50卷 85-90,96页

作者：汪书娜余慧勤原蒲升王永良李凌云尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

为实现室温与低温系统之间的跨温区互联,自主设计并研制了一款低漏热的可适用于液氦温区及跨温区互联的柔性线。低温4.2 K时,数据传输速率≥19 Gbps,40 K至4.2 K温区内30 cm长柔性线漏热值为102μW,漏热性能优于商用同类线缆。多通道柔... 详细信息

为实现室温与低温系统之间的跨温区互联,自主设计并研制了一款低漏热的可适用于液氦温区及跨温区互联的柔性线。低温4.2 K时,数据传输速率≥19 Gbps,40 K至4.2 K温区内30 cm长柔性线漏热值为102μW,漏热性能优于商用同类线缆。多通道柔性线成功应用于32像素超导纳米线单光子探测器系统,可实现低温同轴线缆的替代。

关键词：跨温区互联柔性线数据传输速率漏热超导单光子探测器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

面向SNSPD系统的可拓展时间抖动测量模块

引用

半导体光电 2023年第3期44卷 376-381页

作者：赵明豪张兴雨张成俊吕超林陈岱万旭骁巫君杰南京信息工程大学电子与信息工程学院南京210044 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 赋同量子科技(浙江有限公司) 浙江嘉兴314100 无锡学院电子信息工程学院江苏无锡214105

针对超导纳米线单光子探测器(SNSPD)应用需求的多样化,设计了一款面向SNSPD的可拓展时间抖动测量模块。基于对SNSPD系统时间抖动测量原理的分析,设计了数字化单元、时间数字转换(TDC)单元和现场可编程门阵列(FPGA)单元,实现对SNSPD输出... 详细信息

针对超导纳米线单光子探测器(SNSPD)应用需求的多样化,设计了一款面向SNSPD的可拓展时间抖动测量模块。基于对SNSPD系统时间抖动测量原理的分析,设计了数字化单元、时间数字转换(TDC)单元和现场可编程门阵列(FPGA)单元,实现对SNSPD输出信号的数字化、时间信息测量以及数据读取。对该模块TDC单元的分辨率、线性度和时间精度分别标定,测试结果表明TDC单元的分辨率好于55 ps,测量数据呈线性,100 ns以内时间精度低于36 ps。通过结合实用化SNSPD系统,实现了100 ps左右的时间抖动表征,并与商用时间相关单光子计数(TCSPC)模块进行对比,验证了该模块对于SNSPD系统时间抖动测量的可行性。

关键词：超导纳米线单光子探测器时间抖动时间数字转换现场可编程门阵列

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铁基超导体隧道结的构筑和约瑟夫森效应研究

引用

中国科学：物理学、力学、天文学 2023年第12期53卷 201-209页

作者：王腾于奥博李春红刘以鑫彭炜姜达牟刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京100049 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190 浙江工业大学前沿交叉科学研究院杭州310014

作为超导体中最重要的物理特性之一,约瑟夫森效应不但是超导电子学应用的基础,同时也在基础研究中有着重要的价值.本文针对铁基超导的两个体系:KCa_(2)Fe_(4)As_(4)F_(2)和FeSe_(0.5)Te_(0.5),开展了约瑟夫森效应研究.利用导电层-绝缘层... 详细信息

作为超导体中最重要的物理特性之一,约瑟夫森效应不但是超导电子学应用的基础,同时也在基础研究中有着重要的价值.本文针对铁基超导的两个体系:KCa_(2)Fe_(4)As_(4)F_(2)和FeSe_(0.5)Te_(0.5),开展了约瑟夫森效应研究.利用导电层-绝缘层-导电层交替堆叠的结构特点及其导致的强各向异性,对KCa_(2)Fe_(4)As_(4)F_(2)单晶c方向的电输运行为进行了探究.通过微纳加工等手段,成功降低了样品的尺寸和临界电流,从而大大减小了热效应对测量的影响,最终通过基于超导电子隧穿的A-B方程拟合临界电流随温度的变化行为获得了超导能隙方面的信息,并且观察到了临界电流随面内磁场周期性振荡的超导量子衍射行为,证明了该体系中本征约瑟夫森效应的存在.另外,利用机械剥离的方式制备了超薄FeSe_(0.5)Te_(0.5)单晶的约瑟夫森隧道结,并获得了其临界电流随温度和磁场的变化行为.分析表明,临界电流随温度的变化数据,同样可以被A-B方程很好地描述;从中提取出来的超导能隙值,与文献报道相一致.

关键词：铁基超导约瑟夫森效应临界电流超导能隙

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究

引用

电子学报 2021年第9期49卷 1867-1872页

作者：王兵兵王晓东陈雨璐张传胜臧元章潘鸣曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国电子科技集团公司第五十研究所上海200331

太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2... 详细信息

太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7~60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK.

关键词：阻挡杂质带太赫兹探测器峰值响应率扫描成像分辨率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Sn_(15)Sb_(85)相变薄膜的厚度效应

引用

物理学报 2021年第22期70卷 225-230页

作者：黄玉凤吴卫华徐胜卿朱小芹宋三年宋志棠江苏理工学院数理学院常州213001 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用磁控溅射法制备了不同厚度的Sn_(15)Sb_(85)薄膜,使用电阻-温度-时间测试系统研究了Sn_(15)Sb_(85)薄膜在热致作用下从非晶态到晶态的相变动力学过程.应用近红外分光光度计获得了非晶Sn_(15)Sb_(85)薄膜的反射率光谱,拟合计算得到... 详细信息

采用磁控溅射法制备了不同厚度的Sn_(15)Sb_(85)薄膜,使用电阻-温度-时间测试系统研究了Sn_(15)Sb_(85)薄膜在热致作用下从非晶态到晶态的相变动力学过程.应用近红外分光光度计获得了非晶Sn_(15)Sb_(85)薄膜的反射率光谱,拟合计算得到薄膜的光学带隙.通过原子力显微镜观察了Sn_(15)Sb_(85)薄膜晶化后的表面形貌,研究了膜厚对薄膜粗糙度的影响.通过X射线衍射仪(XRD)分析了晶态Sn_(15)Sb_(85)薄膜的相结构及晶粒尺寸变化.采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制备了基于不同厚度Sn_(15)Sb_(85)薄膜的T型相变存储器单元,并通过半导体器件测试系统分析了其阈值转换能力及功耗.研究结果表明,随着薄膜厚度的减小,Sn_(15)Sb_(85)相变材料的非晶态和晶态电阻、相变温度、十年非晶态数据保持力、结晶激活能、光学带隙均显著提升.基于20 nm厚度Sn_(15)Sb_(85)薄膜相变存储单元在纳秒级电脉冲作用下能够实现可逆SET/RESET操作,且厚度较小的薄膜具有较高的SET电压和较低的RESET电压,体现了超薄Sn_(15)Sb_(85)薄膜的高热稳定性和低操作功耗特征,有利于实现相变存储器的高密度集成.

关键词： Sn_(15)Sb_(85) 薄膜厚度效应热稳定性功耗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于太赫兹时域光谱和PCA-SVM算法的甜蜜素含量分析

引用

红外 2024年第9期45卷 44-52页

作者：王睿璇谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

光谱分析是研究太赫兹(THz)辐射与物质相互作用的重要手段。采用全光纤式THz时域光谱(THz Time-Domain Spectroscopy,THz-TDS)系统测试了不同含量甜蜜素样品的透过率光谱,发现甜蜜素的特征吸收峰位置在1.4 THz和1.7 THz附近;采用主成分... 详细信息

光谱分析是研究太赫兹(THz)辐射与物质相互作用的重要手段。采用全光纤式THz时域光谱(THz Time-Domain Spectroscopy,THz-TDS)系统测试了不同含量甜蜜素样品的透过率光谱,发现甜蜜素的特征吸收峰位置在1.4 THz和1.7 THz附近;采用主成分分析结合支持向量机(PCA-SVM)的方法建立了甜蜜素含量回归模型,然后将其预测结果与遗传算法结合偏最小二乘(GA-PLS)模型进行分析比较,并引入决定系数(R 2)和预测均方根误差(RMSE)来评价建模效果,对以10%含量梯度制作的样品集进行检测。研究结果表明,采用PCA-SVM、SVM和GA-PLS方法建立的预测模型的RMSE分别为1.885%、1.926%和2.432%。因此,PCA-SVM方法的预测效果最优,且预测数据与实际数据均表现出良好的相关性,获得了效果良好的含量回归预测模型,为甜蜜素含量的检测与分析提供了一种有效手段。

关键词：太赫兹时域光谱主成分分析支持向量机含量回归预测模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自对准超导纳米线单光子探测器

引用

激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 277-283页

作者：耿荣鑫李浩黄佳胡鹏肖游余慧勤尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院空间主动光电技术重点实验室上海200050

为实现超导纳米线单光子探测器(SNSPD)快速、稳定的封装,提出将光纤和器件光敏面快速耦合的自对准封装方式。首先通过半导体微纳米加工工艺制备了基于介质反射镜结构的SNSPD器件,再利用双面套刻和深硅刻蚀技术制备出特定的SNSPD器件形... 详细信息

为实现超导纳米线单光子探测器(SNSPD)快速、稳定的封装,提出将光纤和器件光敏面快速耦合的自对准封装方式。首先通过半导体微纳米加工工艺制备了基于介质反射镜结构的SNSPD器件,再利用双面套刻和深硅刻蚀技术制备出特定的SNSPD器件形状。然后设计了以光纤套管、PCB板、陶瓷插芯等为主体的封装结构并实现了SNSPD芯片与光纤陶瓷插芯的快速对准及封装,最后在2.2 K的低温下表征了自对准SNSPD的性能。本批次器件最优的结果是在1550nm达到93.7%的探测效率。通过重复性实验验证了自对准SNSPD的稳定性。实验结果表明,在反复升降温的情况下,器件效率值波动标准差在±0.60%以内。在反复插拔光纤的情况下,波动标准差为±1.80%,最大为3.24%。说明了制备的自对准SNSPD具有良好的稳定性,该封装方式有望为未来SNSPD封装模式提供参考,并为其集成化和商业化提供前期探索可能。

关键词：成像系统单光子探测器超导自对准稳定性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：