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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料实验室"
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纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
作者: 吴良才 陈坤基 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 南京大学物理系 固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵... 详细信息
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立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能
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材料研究学报 2005年 第3期19卷 277-281页
作者: 余萍 吴惠桢 陈奶波 徐天宁 浙江大学 浙江大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石... 详细信息
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1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性
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Journal of Semiconductors 2005年 第Z1期26卷 121-125页
作者: 吴惠桢 黄占超 劳燕锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到... 详细信息
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反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究
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物理学报 2005年 第10期54卷 4938-4943页
作者: 贺莉蓉 顾春明 沈文忠 曹俊诚 小川博司 郭其新 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 佐贺大学理工学部电气与电子工程系
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面... 详细信息
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In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 192-196页
作者: 郝国强 张永刚 顾溢 刘天东 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈... 详细信息
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InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 183-186页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一... 详细信息
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气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 173-176,191页
作者: 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL... 详细信息
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相变型半导体存储器研究进展
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物理 2005年 第4期34卷 279-286页
作者: 刘波 宋志棠 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息
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YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究
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物理学报 2005年 第7期54卷 3380-3385页
作者: 张玉龙 姚忻 张宏 金燕苹 上海交通大学物理系 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室
采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但... 详细信息
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SOI在射频电路中的应用
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微电子学 2005年 第1期35卷 67-70页
作者: 骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室 上海200050
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 详细信息
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