检索结果-内蒙古大学图书馆

哈尔滨工业大学学报 2020年第10期52卷 161-166页

作者：乔冰涛吴旭凡刘海静王正董业民信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050 材料与光电研究中心(中国科学院大学) 北京100049

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,... 详细信息

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,该方法能够修正存储单元中出现的一位翻转和两位翻转.首先,对汉明码编码模块进行逻辑优化,有效减少了编码电路的延迟,再把该模块生成的校验码进行双模冗余处理,作为双模冗余汉明码编码模块的输出.之后依据汉明码解码规则分别对每份校验码与原码的组合进行处理,得到修正后的数据位与两位翻转标志位.通过分析发现当两位翻转未同时发生在原码内时,可以依据两位错误标志位的值得到正确的输出.最后,采用版图分割技术消除了两位原码同时翻转的情况,进一步提高了存储器的可靠性.在本文中,分别实现了字长为4、8和11的双模冗余汉明码,并与其它修正码的性能进行比较,结果表明:它们的电路延迟分别为8位字长汉明码的85%、89%和96%,低于两位修正能力的BCH码.

关键词：双模冗余纠错码高可靠存储器两位翻转

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基于超导纳米线单光子探测技术的成像研究进展

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激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 62-77页

作者：周慧张成俊吕超林张兴雨李浩尤立星王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息学功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距、成像雷达等。本文将对SNSPD做一个简单的介绍,并着重介绍SNSPD在成像方面的应用进展,主要包括不同成像原理的介绍以及基于这些原理的SNSPD成像技术的最新研究进展,并对基于SNSPD成像的未来发展趋势进行了展望。

关键词：成像系统雷达单光子探测器超导纳米线单光子探测器

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130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

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国防科技大学学报 2020年第3期42卷 17-21页

作者：常永伟余超刘海静王正董业民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂... 详细信息

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。

关键词：集成电路抗辐射绝缘体上硅控制芯片

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CMOS兼容的中红外多通道光子晶体传感器

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红外与毫米波学报 2020年第3期39卷 279-283页

作者：周易王磊李军杨雪雷甘峰源赵瑛璇仇超李伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室上海200050

提出了一种基于光子晶体的二维多通道光学化学传感器。该器件由中心波长为3.3μm的四个腔组成,各通道工作波长间隔为10 nm。该传感器采用800 nm厚的绝缘体上硅材料,可利用标准CMOS技术加工。通过三维时差有限差分法对微腔结构的光学特... 详细信息

提出了一种基于光子晶体的二维多通道光学化学传感器。该器件由中心波长为3.3μm的四个腔组成,各通道工作波长间隔为10 nm。该传感器采用800 nm厚的绝缘体上硅材料,可利用标准CMOS技术加工。通过三维时差有限差分法对微腔结构的光学特性进行模拟。每个通道的传输效率为39%,通道之间的传输效率不一致性小于0.25dB。该传感器的功能为检测四氯化碳和苯溶液浓度,其灵敏度为209.2 nm/RIU。

关键词：光子晶体传感器多通道中红外

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微波退火条件下镍和锗锡合金反应的形貌研究

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材料科学与工艺 2021年第6期29卷 49-53页

作者：刘伟平云霞杨俊张波上海工程技术大学数理与统计学院上海201620 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应。借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱等表征手段,分析了在微波退火条件下100~350℃所生成镍锗锡化物样... 详细信息

为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应。借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱等表征手段,分析了在微波退火条件下100~350℃所生成镍锗锡化物样品的形貌。研究结果表明:镍锗锡化物的表层电阻、表面粗糙度及薄膜质量与微波退火温度紧密相关,在250℃退火条件下得到了连续平整的镍锗锡薄膜,锡偏析在镍锗锡/锗锡的界面;在350℃退火条件下,薄膜的连续性遭到破坏,表面粗糙度变大,锡偏析在样品的表面和镍锗锡/锗锡的界面。与常规快速热退火方式相比,本文采用的微波退火方式,可在相对更低的温度得到高质量的镍锗锡薄膜,降低了镍与锗锡衬底反应所需的热预算。

关键词：表面形貌微波退火锗锡合金锡偏析镍

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中国超导电子学研究及应用进展

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物理学报 2021年第1期70卷 178-203页

作者：李春光王佳吴云王旭孙亮董慧高波李浩尤立星林志荣任洁李婧张文贺青王轶文韦联福孙汉聪王华兵李劲劲屈继峰中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京100190 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 松山湖材料实验室东莞523808 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院紫金山天文台南京210023 西南交通大学信息科学与技术学院信息量子技术实验室成都610031 西南交通大学物理科学与技术学院量子光电实验室成都610031 东华大学理学院光子学实验室上海210031 南京大学超导电子学研究所南京210093 紫金山实验室南京211111 中国计量科学研究院北京100029

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应... 详细信息

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应用.超导量子干涉器件以其磁场和电流测量的超高灵敏度,成为地质勘探、磁共振成像和生物磁成像等领域不可替代的手段.包括超导隧道结混频器、超导热电子混频器、超导转变沿探测器及超导单光子探测器等在内的超导传感器/探测器可以探测全波段的电磁波及各种宇宙辐射,具有接近量子极限的超高灵敏度,在地球物理、天体物理、量子信息技术、材料科学及生物医学等众多前沿领域发挥越来越重要的作用.超导参量放大器已经成为实现超导量子计算的关键器件.超导集成电路技术已被列入国际器件与系统技术路线图,成为后摩尔时代微电子领域的前沿阵地之一.在计量科学中,超导约瑟夫森效应及约瑟夫森结阵器件被广泛应用于量子电压基准和国际单位制基本单位的重新定义中.在当前的量子信息技术热潮中,超导电子学扮演重要角色,同时量子热潮也大力推动了超导电子学的发展.本文主要对近几年我国超导电子学研究和应用的现状与进展进行概括总结.

关键词：超导电子学高温超导微波器件超导传感器/探测器超导数字电路

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基于新材料体系的太赫兹量子级联激光器研究展望

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中国科学：物理学、力学、天文学 2021年第5期51卷 92-101页

作者：杨思嘉黎华曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

太赫兹(THz)波在生物医疗、天文、国防等领域具有潜在应用.THz辐射源是THz技术应用的关键器件.基于半导体的电泵浦THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)具有输出功率高、频率可调谐、全固态等优点,因而备受研究人员的重视.但是... 详细信息

太赫兹(THz)波在生物医疗、天文、国防等领域具有潜在应用.THz辐射源是THz技术应用的关键器件.基于半导体的电泵浦THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)具有输出功率高、频率可调谐、全固态等优点,因而备受研究人员的重视.但是,长期以来,传统基于砷化镓(GaAs)材料体系的THz QCL的较低工作温度一直制约着其广泛应用.通过研究不同材料中的纵向光学(Longitudinal Optical,LO)声子及其在THz波发射过程中的作用发现,寻找新的材料体系应用于THz QCL的制备是提高器件工作温度的一个可行方案.本文综述了氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)基THz QCL的近期研究进展.

关键词：太赫兹量子级联激光器氮化镓氧化锌

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材料基因组技术在集成电路材料研究中的应用进展

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功能材料与器件学报 2022年第4期28卷 356-370页

作者：孔维悦林紫威李鑫黄琪朱雷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院上海200050

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通... 详细信息

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通量实验、高通量计算与材料数据库三大要素的主要内容和典型研究范例。重点梳理了材料基因组技术在集成电路领域的研究进展,指出了集成电路材料研发的复杂性和广阔的可优化空间,提出了要结合材料基因组技术加速集成电路材料的创新,促进未来集成电路材料领域的发展。

关键词：材料基因组高通量实验高通量计算材料数据库集成电路材料

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中红外微环谐振器及应用的研究进展

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激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 44-57页

作者：胡玉洁王书晓汪大伟余明斌蔡艳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联... 详细信息

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联微环谐振器在中红外波段的传感和滤波领域的理论研究;并回顾了中红外克尔光学频率梳的产生原理和发展历程,在理论上证明了锗条形波导微环可以在泵浦功率低至80 mW的情况下实现带宽接近一个倍频程的宽谱光频梳,并对研究进展进行了总结和展望.

关键词：集成光学硅基光电子微环谐振器 Vernier效应光学频率梳

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大尺寸2M-WS_(2)柔性超导材料制备与物性研究

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功能材料与器件学报 2025年第1期31卷 42-47页

作者：方裕强涂雪洋刘以鑫彭炜牟刚黄富强上海交通大学材料科学与工程学院上海200240 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

柔性超导材料是超导量子电路和低温探测器件等应用场景中不可或缺的关键材料。本研究中,我们采用超声辅助液相剥离法制备了基于过渡金属二硫化物2M-WS_(2)的柔性超导材料,并对其超导电性以及弯曲后的超导表现进行了表征。结果表明,我们... 详细信息

柔性超导材料是超导量子电路和低温探测器件等应用场景中不可或缺的关键材料。本研究中,我们采用超声辅助液相剥离法制备了基于过渡金属二硫化物2M-WS_(2)的柔性超导材料,并对其超导电性以及弯曲后的超导表现进行了表征。结果表明,我们发展的制备方法可以制备长达30 cm以上的柔性超导窄线,其超导零电阻温度约为5.1 K,并且在弯曲情况下其超导性能基本不变。值得指出的是,这种制备方法具有工艺简单、扩展性强的显著优点。本研究为探索柔性超导材料的新型制备方法提供了有益借鉴。

关键词：柔性超导材料 2M-WS_(2) 超导临界温度

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