检索结果-内蒙古大学图书馆

导航与控制 2022年第3期21卷 29-39页

作者：张师斌吴进波张丽萍郑鹏程姚虎林欧欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频... 详细信息

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频前端的主流选择。近几年,随着异质集成材料制备技术的突破,基于单晶压电薄膜异质衬底(如LiTaO_(3)/SiO_(2)/Si)的声表面波、体声波与板波滤波器技术屡有突破。结合当下研究热点,依次对单晶压电薄膜异质衬底的制备、声波器件仿真、声表面波与板波滤波器技术的研究进展进行介绍与分析,并对未来声波滤波器的发展做出展望。

关键词： 5G通信射频前端声波滤波器单晶压电薄膜异质衬底

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六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展

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微纳电子技术 2021年第2期58卷 107-113+157页

作者：高渤翔方茹吴天如中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学中国电子科技集团公司第三十二研究所

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、半导体器件热管理平台以及集成电路封装材料中应用的研究进展,并简述了将h-BN应用于隧穿器件和存储阵列的研究成果。最后,对h-BN在新型微电子器件大规模应用的已有成果进行总结,并展望了该领域未来的研究与发展方向。

关键词：二维(2D)材料六方氮化硼(h-BN) 微电子器件介电衬底隧穿器件存储阵列封装材料

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利用相变存储器不对称性的写入优化方法

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计算机工程与应用 2021年第14期57卷 75-82页

作者：张格毅陈小刚郭继鹏宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京100049

相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦... 详细信息

相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦写独立的写入方法,RSIW(ResetandSetIndependentlyWrite)。该方法不同于传统的写入方案,将写和擦的操作分离,让慢速的写操作在空闲时进行,使得相变存储器的写入速度获得显著提升。同时,RSIW还能结合磨损均衡的策略,有效地均衡各个块的写入频率。对擦写独立的写入方法和实施细节进行了描述,对比了同类使用相变存储器擦写不对称性进行优化的方案,最后使用gem5仿真器进行了实验,根据实验结果,该方法对比同类的技术能将系统的运行效率提高37.1%~69.1%。

关键词：相变存储器擦写不对称性磨损均衡写入延时

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基于光伏阵列输出预测模型的故障诊断方法

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功能材料与器件学报 2024年第2期30卷 66-73页

作者：董校廷虞祥瑞李孟蕾赵东明肖平刘文柱刘正新中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室新能源技术中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司北京102209

本文提出了一种基于光伏组件阵列输出预测模型的故障诊断方法用于识别阵列直流侧的四种故障。该方法选择I-V(电流-电压)和P-V(功率-电压)曲线上的关键点作为诊断特征量,并将无故障情况下的特征量作为参考值;通过组件的双二极管模型建立... 详细信息

本文提出了一种基于光伏组件阵列输出预测模型的故障诊断方法用于识别阵列直流侧的四种故障。该方法选择I-V(电流-电压)和P-V(功率-电压)曲线上的关键点作为诊断特征量,并将无故障情况下的特征量作为参考值;通过组件的双二极管模型建立了一个光伏阵列输出预测模型来预测不同工作条件下的参考值,在MATLAB/Simulink平台搭建光伏阵列仿真无故障和不同故障实验并将对应特征量与预测参考值对比。无故障实验中,三种工作条件下预测与仿真测量参考值的误差率低于2%,表明了阵列输出预测模型对参考值预测的准确性,并将预测值作为后续故障实验的参考值;计算几种故障实验的仿真测量特征量与参考值的相对误差,分析特征量的变化,给出了不同故障类型诊断的方法。

关键词：光伏阵列故障诊断光伏系统输出预测模型

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基于新型非易失内存的远程零拷贝文件系统

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国防科技大学学报 2020年第3期42卷 9-16页

作者：韩文炳陈小刚李顺芬李大刚陈诗雁段有康宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 北京大学深圳研究生院信息工程学院广东深圳518055

为提升物联网与边缘计算应用中前端节点间的数据访问效率,提出了一种新型远程零拷贝文件系统。该文件系统无须借助特殊硬件,可直接基于通用网卡设备实现零拷贝的数据传输框架;充分利用新型非易失内存的随机访问特性,尽可能减少数据缓存... 详细信息

为提升物联网与边缘计算应用中前端节点间的数据访问效率,提出了一种新型远程零拷贝文件系统。该文件系统无须借助特殊硬件,可直接基于通用网卡设备实现零拷贝的数据传输框架;充分利用新型非易失内存的随机访问特性,尽可能减少数据缓存和拷贝,提高数据访问的吞吐量。建立缓冲区池,精简并融合传统网络栈和存储栈,从而缩短文件访问路径,减少软件冗余,降低数据访问延迟。最终提供高带宽、低延迟的远程数据访问性能。测试结果表明,远程零拷贝文件系统比传统网络文件系统减少了42.26%~99.19%的读写延迟,细粒度访问下的吞吐量最高可提升1297倍,显著降低了处理器开销和缓存失效次数。

关键词：新型非易失内存物联网边缘计算零拷贝网络文件系统

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石榴石型固态电解质表界面问题及优化的研究进展

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物理学报 2020年第22期69卷 218-227页

作者：张念任国玺章辉周櫈刘啸嵩中国科学院上海微系统与信息技术研究所功能材料国家重点实验室上海200050 天目湖先进储能技术研究院溧阳213300 上海科技大学物质学院上海201210

随着对能源存储设备输出和安全性能等方面需求的不断提升,全固态电池展示了替代传统液态锂离子电池占据新能源市场的潜力.石榴石型Li7La3Zr2O(12)固体电解质具有高离子导率且对于锂金属稳定,是最受人瞩目的固体电解质材料之一.但是,固-... 详细信息

随着对能源存储设备输出和安全性能等方面需求的不断提升,全固态电池展示了替代传统液态锂离子电池占据新能源市场的潜力.石榴石型Li7La3Zr2O(12)固体电解质具有高离子导率且对于锂金属稳定,是最受人瞩目的固体电解质材料之一.但是,固-固界面不良接触导致的巨大界面电阻以及由于锂的不均匀沉积和分解导致的锂枝晶生长等问题严重阻碍了全固态电池的发展.本综述针对石榴石型全固态电池突出的界面问题,详细论述了Li7La3Zr2O(12)表面碳酸锂问题的研究现状;讨论了锂金属负极和固态电解质的界面浸润性以及锂枝晶生长问题,给出了构建理想界面的关键因素;阐述了优化正极与石榴石型固体电解质界面的具体方法以及改善界面润湿性的思路.本文还展望了未来石榴石型全固态锂离子电池可能的发展方向,为全固态锂离子电池的发展和应用提供了借鉴.

关键词：锂镧锆氧全固态电池界面修饰表征技术

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相变存储器多值存储的微观结构研究

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功能材料与器件学报 2022年第2期28卷 115-120页

作者：刘成赵进辛天骄郑勇辉宋文雄成岩华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

相变存储器(PCRAM)由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点,成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)基PCRAM器件,通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压(R-V)测试发现... 详细信息

相变存储器(PCRAM)由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点,成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)基PCRAM器件,通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压(R-V)测试发现该器件具有多值存储特性。采用透射电子显微镜(TEM)分析了不同阻值状态的微观结构,发现伴随着PCRAM器件电阻值的降低,GST材料层由底电极处开始晶化,并最终延伸至上电极,完成非晶态(a-phase)向晶态的结构转变。结果表明,PCRAM器件的多阻态来源于晶态(非晶态)区域的体积占比不同。

关键词：相变存储器多值存储 GST 微结构演化

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TEM方法中磁场垂直分量Bz强度特征研究

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地球物理学进展 2021年第1期36卷 170-177页

作者：康慧敏荣亮亮王光杰王若李彦恒李奇霖裴易峰中国科学院地质与地球物理研究所中国科学院地球科学研究院北京100029 中国科学院大学北京100049 中国科学院页岩气与地质工程重点实验室北京100029 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 火箭军工程设计研究院北京100011

瞬变电磁法由于其高效、轻便等诸多优点成为现今应用较为广泛的地球物理勘探手段.但由于二次场随时间衰减较快,TEM方法在勘探深度上受到一定的限制.近几年,低温SQUID(Superconducting Quantum Interference Device)磁传感器硬件已经研... 详细信息

瞬变电磁法由于其高效、轻便等诸多优点成为现今应用较为广泛的地球物理勘探手段.但由于二次场随时间衰减较快,TEM方法在勘探深度上受到一定的限制.近几年,低温SQUID(Superconducting Quantum Interference Device)磁传感器硬件已经研发成熟,可以应用到TEM方法中,用于磁场强度探测.本文提出了均匀半空间TEM磁场分量Bz的显式表达式,并借助正弦数值滤波变换,得到了层状介质的磁场时间域计算公式.针对均匀半空间地层,分别进行了不同收发距、不同电阻率条件下的Bz响应特征计算.此外,对于层状介质模型,针对不同层厚的两层介质、低阻薄层和高阻薄层的三层介质,均进行了Bz正演结果.最后,对1 km长偶极的TEM磁场响应在地表空间分布情况进行讨论.结果表明,Bz作为TEM测量手段,对深部低阻薄层的探测灵敏度优于高阻薄层;且相对于传统TEM方法中测量磁场变化量,直接测量磁场Bz可以明显地提高探测方法的优势,增大勘探深度,并且电偶极其测量空间范围更大,效率更高.

关键词：瞬变电磁法 SQUID 磁场强度正演

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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

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发光学报 2020年第8期41卷 971-976页

作者：李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠于文富龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ... 详细信息

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。

关键词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温温度电压特性

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二氧化钒材料相变的太赫兹光谱与阵列成像

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太赫兹科学与电子信息学报 2022年第12期20卷 1225-1230页

作者：谭智勇万文坚曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

二氧化钒是一种具有绝缘态到金属态可逆相变特性的材料,在光器件及信息技术中有非常广泛的应用。分别采用太赫兹频段的光谱测量技术和阵列成像技术研究分析了硅基二氧化钒材料的相变过程。采用傅里叶变换光谱测量系统,获得了整个样品在2... 详细信息

二氧化钒是一种具有绝缘态到金属态可逆相变特性的材料,在光器件及信息技术中有非常广泛的应用。分别采用太赫兹频段的光谱测量技术和阵列成像技术研究分析了硅基二氧化钒材料的相变过程。采用傅里叶变换光谱测量系统,获得了整个样品在2.5~20.0 THz频段透射谱和反射谱随温度的变化,分析得到了硅基二氧化钒材料相变的温度范围为334~341 K,对应温差为7 K;得到了相变前后样品对4.3 THz辐射的透过率变化达40%以上,反射率变化接近30%。随后采用一套4.3 THz的阵列成像系统,测量了整个样品在相变前后的太赫兹图像,获得了该材料由金属态转变为绝缘态时,其对4.3 THz激光信号的透过率由6.7%升至50.7%,透过率变化达44%,与傅里叶变换光谱在4.3 THz处的测量结果相当。上述研究结果为硅基二氧化钒材料用于2.5 THz以上电磁辐射的透射调制和反射调制提供了很好的实验数据支撑。

关键词：太赫兹硅基二氧化钒相变材料傅里叶变换光谱阵列成像技术

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