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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室"
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高掺钪AlN压电薄膜HBAR器件及工艺研究
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传感器与微系统 2025年 第1期44卷 76-79页
作者: 赵佳 姜文铮 周琮泉 母志强 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机... 详细信息
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高速超导纳米线单光子探测器研究进展
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功能材料与器件学报 2025年 第1期31卷 1-10页
作者: 陈敬学 李浩 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 集成电路材料全国重点实验室上海200050
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型单光子探测器,相较于传统的单光子探测器,其具有高探测效率、低暗计数、高计数率、低时间抖动等优势,近年来在量子信息、激光雷达等领域大放异彩。随着技术的发展,量子通信、深空通信等应用对SN... 详细信息
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原子吸收光谱在线束流监控技术在分子束外延中的应用及研究进展
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功能材料与器件学报 2025年 第1期31卷 11-21页
作者: 张庆凌云 陈意桥 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学 北京100049
本文在简要回顾原子吸收光谱技术发展历史的基础上,总结概括了应用于分子束外延中束流原位实时监控的原子吸收光谱系统结构,并对搭建该系统需关键部件的选型和参数进行了综述。同时,本文还归纳了原子吸收光谱的背景参比方法、误差来... 详细信息
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泛函选择对钇钡铜氧超导体能带与电子性质的影响
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物理化学进展 2025年 第1期14卷 9-17页
作者: 赵猛 朱智 李浩 上海理工大学光电信息与计算机工程学院 上海 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 集成电路材料重点实验室上海
高温超导体因其独特的电子性质和非常规超导行为而备受关注。尤其是高能离子注入、压力、电磁场等外部场引起的高温超导材料相变,已成为研究的热点。然而,相关的内在机理仍未完全被揭示。第一性原理计算被广泛认为是一种有效的方法,用... 详细信息
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大尺寸2M-WS_(2)柔性超导材料制备与物性研究
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功能材料与器件学报 2025年 第1期31卷 42-47页
作者: 方裕强 涂雪洋 刘以鑫 彭炜 牟刚 黄富强 上海交通大学材料科学与工程学院 上海200240 中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 集成电路材料全国重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049
柔性超导材料是超导量子电路和低温探测器件等应用场景中不可或缺的关键材料。本研究中,我们采用超声辅助液相剥离法制备了基于过渡金属二硫化物2M-WS_(2)的柔性超导材料,并对其超导电性以及弯曲后的超导表现进行了表征。结果表明,我们... 详细信息
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氧化镓异质衬底集成技术研究进展
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人工晶体学报 2025年 第3期54卷 470-490页
作者: 瞿振宇 徐文慧 江昊东 梁恒硕 赵天成 谢银飞 孙华锐 邹新波 游天桂 齐红基 韩根全 欧欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 集成电路材料全国重点实验室上海200050 上海科技大学信息科学与技术学院 上海201210 哈尔滨工业大学(深圳) 微纳光电信息系统理论与技术工业和信息化部重点实验室深圳518055 中国科学院上海光学精密机械研究所 强激光材料重点实验室上海201800 杭州光学精密机械研究所 杭州311421 西安电子科技大学微电子学院 西安710071
超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离... 详细信息
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2~3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
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红外与毫米波学报 2016年 第3期35卷 275-280页
作者: 张永刚 顾溢 陈星佑 马英杰 曹远迎 周立 奚苏萍 杜奔 李爱珍 李好斯白音 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、... 详细信息
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量子级联激光器有源核中界面声子的特性研究
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物理学报 2007年 第1期56卷 500-506页
作者: 徐刚毅 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势... 详细信息
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直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究
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物理学报 2005年 第9期54卷 4334-4339页
作者: 劳燕锋 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强... 详细信息
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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征
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稀有金属材料与工程 2007年 第4期36卷 587-591页
作者: 谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ... 详细信息
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