检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：常宝林邱隆清董慧刘超谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际上SQUID应用领域的研究热点之一。采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建。本文基于... 详细信息

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际上SQUID应用领域的研究热点之一。采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建。本文基于加权叠加图像重建(WISR)算法,采用Matlab编写了多通道MRI图像重建软件,建立了多通道模型进行仿真,重建全成像视野(FOV)图像。在此基础上分析了探测器半径和样品到探测器间距等因素对图像重建的影响。最后采用果蔬样品进行了四通道极低场MRI测量,对测量数据进行图像重建软件处理,得到样品的全FOV图像,二维图像空间分辨率达2×2mm2,验证了该方法的可行性。

关键词： SQUID 极低场磁共振成像图像重建多通道

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高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

高性能磁通量子计数式SQUID读出电路

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第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良徐小峰孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海 200050

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁... 详细信息

直流超导量子干涉器件(SQUID：Superconducting QUantum Interference Device)的磁通电压传输特性曲线是周期性的。利用该特性可实现磁通量子计数式大量程SQUID 磁传感器。其原理是当SQUID 磁通锁定环路(FLL：Flux-Locked Loop)反馈磁通达到整数个磁通量子时,通过FLL 复位实现工作点迁移重新锁定输出,记录工作点迁移的磁通量子数和FLL模拟输出,实现大量程磁通测量。磁通量子计数式读出电路的关键是要求FLL 能快速准确地完成预设工作点迁移,否则出现复位失败和磁通量子误计数。本文高性能读出电路采用无积分器的FLL 设计,缩短复位时间,提高电路响应能力。同时采用状态控制电路,确保工作点迁移到预定的工作点,避免了误计数。经实验验证上述电路工作点切换时间小于5uS,可满足200kHz 高采样率测量应用需求。

关键词：直流超导量子干涉器件读出电路磁通量子计数磁通锁定回路

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50μm InP背孔技术的DHBT器件

50μm InP背孔技术的DHBT器件

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：张毕禅苏永波艾立鹍徐安怀金智中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料实验室上海200050

InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,为器件和电路提供...

InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,为器件和电路提供良好的散热通路.

关键词：

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大电流负载的片上LDO系统设计

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电子学报 2013年第7期41卷 1431-1435页

作者：胡佳俊陈后鹏宋志棠王倩宏潇李喜许伟义中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统... 详细信息

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度快速响应低压差大电流负载

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新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究

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无机材料学报 2013年第12期28卷 1364-1368页

作者：张徐刘波宋三年姚栋宁朱敏饶峰吴良才宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100083

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀... 详细信息

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。

关键词：新型相变材料干法刻蚀 CF4+Ar气体刻蚀速度

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总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

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物理学报 2013年第7期62卷 311-316页

作者：宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.

关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET

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组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第6期32卷 481-485,490页

作者：方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面... 详细信息

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.

关键词： InAlAs 缓冲层 X射线衍射光致发光

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铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

铟镓砷单量子阱低温俄歇复合增强机制的光谱分析

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第十七届全国凝聚态光学性质会议

作者：朱亮宋禹忻祁镇王庶民邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所功能信息材料国家重点实验室上海 200050

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道...

铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道了相近材料中的低温俄歇复合增强效应,其根源尚不清楚[2].载流子的空间局域会增加动量不确定性,导致载流子俄歇复合过程的增强.因此,S形演化与低温俄歇复合间可能正相关.

关键词：

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超导纳米线单光子探测器的光耦合结构

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光学精密工程 2013年第6期21卷 1496-1502页

作者：刘登宽陈思井尤立星何宇昊张玲中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

为了提高超导纳米线单光子探测系统(SNSPD)的探测效率,搭建了超导纳米线单光子探测系统,研究了该系统的光耦合结构及该结构随温度降低而发生的变化。首先,测量了SNSPD在不同电流下的量子效率,确定了器件的性能。然后,提出了两种不同的... 详细信息

为了提高超导纳米线单光子探测系统(SNSPD)的探测效率,搭建了超导纳米线单光子探测系统,研究了该系统的光耦合结构及该结构随温度降低而发生的变化。首先,测量了SNSPD在不同电流下的量子效率,确定了器件的性能。然后,提出了两种不同的光纤直接对准的器件封装方法,这些方法可以在室温下自主控制光纤端面与器件表面的距离(gap)。考虑封装材料的热胀冷缩,gap在温度变化时有很明显的变化,研究了温度变化对gap的影响。最后,提出通过改变入射光的波长来观察器件表面反射光光强的周期性波动,从而精确测量不同温度下gap的大小。实验结果表明,对于两种不同的光耦合结构,gap在温度降低270K以后分别减小了4.1μm和17μm。理论计算和实验数据基本吻合,可为未来器件封装和新型封装结构的设计提供参考依据。

关键词：超导单光子探测量子效率光耦合降温形变

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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

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红外与毫米波学报 2013年第3期32卷 214-219页

作者：魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在... 详细信息

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10 fF左右.

关键词： InGaAs 暗电流 R0A 寄生电容

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