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作者

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约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用

约瑟夫森结中Nb膜表面阳极氧化层的研究及应用

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：应利良亢心洁张国锋王会武彭炜孔祥燕王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

用阳极氧化工艺在Nb/Al-A1Ox/Nb约瑟夫森结四周形成氧化绝缘层是减小结的漏电流的有效手段.本文采用程控恒流阳极氧化法在Nb膜表面形成氧化层,应用阳极氧化电压谱图来分析和监控氧化条件及界面情况.X射线反射(XRR)和透射电子显微镜(TEM...

用阳极氧化工艺在Nb/Al-A1Ox/Nb约瑟夫森结四周形成氧化绝缘层是减小结的漏电流的有效手段.本文采用程控恒流阳极氧化法在Nb膜表面形成氧化层,应用阳极氧化电压谱图来分析和监控氧化条件及界面情况.X射线反射(XRR)和透射电子显微镜(TEM)测试结果表明Nb阳极氧化形成的氧化层Nb2O5与Nb间有一层约2nm的NbOx,总的氧化层厚度与施加电压呈现良好的线性关系.

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SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究

SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘正太李明颖姚岐樊聪聪沈大伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为.SrIrO3单晶呈现关联金属态...

在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为.SrIrO3单晶呈现关联金属态,而不同衬底上外延生长的钙钛矿型SrIrO3薄膜则具有更加独特的物理特性.

关键词：

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失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响

失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：方祥顾溢陈星佑周立曹远迎李好斯白音张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样，且采... 详细信息

本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样，且采用较低的失配递变速率的缓冲层样品表面均方根粗糙度略有增加。室温光致发光谱测试发现，低失配递变速率缓冲层上生长的高失配材料具有更窄的半峰宽和更强的发光信号，这表明材料的光学性质有了提高。X射线衍射倒易空间扫描证实，组分线性变化的缓冲层的晶格弛豫过程是分两步进行的:在缓冲层开始生长阶段，材料是完全晶格弛豫的;缓冲层到了一定厚度后，顶部形成了一个完全应变层。这一实验结果与Tersoff模型基本吻合射线衍射测试结果也表明低的失配递变速率更有利于缓冲层晶格的弛豫和应力释放。要进一步提高缓冲层晶格的弛豫度，本文建议进一步降低失配速率或在缓冲层中采用组分过冲。

关键词：红外探测器砷镓铟材料线性异变缓冲层失配递变速率

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有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究

有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李耀耀李爱珍顾溢张永刚李好斯白音信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、红外光谱成像、医学诊断、工业控制、保密通信等领域有重要的... 详细信息

中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、红外光谱成像、医学诊断、工业控制、保密通信等领域有重要的应用并正在形成战略性新兴产业.为了应用的便携性和提高气体检测的灵敏度,要求QCLs工作在室温连续的模式下并具有较高的激射功率.QCLs是基于子带间跃迁和级联机制的中红外光源，其有源区通常由数个至数十个有源核组成，有源区的级数对激光器的阑值电流、温度特性、光电转换效率都有重要的影响。本文基于InP基InGaAs/InAIAs QCL晶格匹配体系，研制了在7.6微米波长下，具有相同源区结构，有源区级数为30,35,40级的QCLs材料和器件，比较了具有不同有源区级数的QCLs的相关性能，分析了有源区级数对QCLs相关性能参数的影响。

关键词：中红外量子级联激光器性能参数源区结构关联分析

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NbN薄膜厚度对超导纳米线单光子探测器性能的影响

NbN薄膜厚度对超导纳米线单光子探测器性能的影响

引用

第十二届全国超导学术研讨会

作者：杨晓燕张伟君张露刘晓宇尤立星信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是用在超导单光子探测系统中的核心器件.我们成功制各了基于NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件.器件核心结构为70 nm宽的纳米曲折线结构，有效面积为15 μm× 15 μ***薄膜是用磁控溅射方法制备在MgO衬底...

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是用在超导单光子探测系统中的核心器件.我们成功制各了基于NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件.器件核心结构为70 nm宽的纳米曲折线结构，有效面积为15 μm× 15 μ***薄膜是用磁控溅射方法制备在MgO衬底上的，薄膜厚度约10nm.当利用反应离子刻蚀(RIE)法将SNSPD器件的NbN薄膜厚度依次减薄时，发现器件的临界温度和临界电流逐渐减小，而量子效率呈现先增大后减小的趋势.

关键词：

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心磁测量系统中三轴磁强计的优化研究

心磁测量系统中三轴磁强计的优化研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：邱阳张树林李华王永良徐小峰张朝祥孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的心磁测量系统中,通常使用三轴磁强计补偿梯度计的不平衡输出以抑制环境噪声.但如果三轴磁强计与心脏距离过近,其输出中含有心磁信号,则补偿后心磁信号将产生畸变;反之,则环境磁场得不到有效抑制.为...

在基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的心磁测量系统中,通常使用三轴磁强计补偿梯度计的不平衡输出以抑制环境噪声.但如果三轴磁强计与心脏距离过近,其输出中含有心磁信号,则补偿后心磁信号将产生畸变;反之,则环境磁场得不到有效抑制.为此,我们建立电流偶极子模型并利用磁通门计测量了磁屏蔽室内的环境磁场分布,模拟仿真心磁信号及环境磁场与探测距离的关系.

关键词：

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气态源分子束外延制备GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构材料

气态源分子束外延制备GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构材料

引用

第十届全国分子束外延学术会议

作者：陈星佑张永刚顾溢周立方祥曹远迎李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与InP衬底上材料相... 详细信息

本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与InP衬底上材料相比，GaAs衬底上的材料具有同样高的弛豫度和小的剩余应力，但是其材料结晶质量较差并且表面粗糙度较高，与此同时，GaAs衬底上的***材料室温下的光致荧光谱较之InP衬底上的弱了一个数量级。

关键词：红外探测器砷化镓结构材料制造工艺分子束外延

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超薄NbN薄膜的制备与性能研究

超薄NbN薄膜的制备与性能研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：张露孙锐尤立星彭炜王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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胎儿心磁信号测量中的环境噪声抑制方法研究

胎儿心磁信号测量中的环境噪声抑制方法研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：李华张树林张永升张朝祥邱阳王永良张国峰孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

高性能的环境噪声抑制方法是顺利开展胎儿心磁测量的关键.本文研究了磁屏蔽室内,基于高灵敏度的SQUID磁强计合成补偿的噪声抑制方法.SQUID磁强计芯片尺寸为10 mm×10 mm,磁通磁场转换系数(e)B/(e)Φ为0.57 nT/Φ0,磁场灵敏度为7 fT/...

高性能的环境噪声抑制方法是顺利开展胎儿心磁测量的关键.本文研究了磁屏蔽室内,基于高灵敏度的SQUID磁强计合成补偿的噪声抑制方法.SQUID磁强计芯片尺寸为10 mm×10 mm,磁通磁场转换系数(e)B/(e)Φ为0.57 nT/Φ0,磁场灵敏度为7 fT/√Hz@10 Hz.考虑到磁屏蔽室内环境磁场分布的复杂性,整个磁强计结构自杜瓦底部向上共包括三层,第1层为7个z方向信号磁强计,第2和3层为参考,各放置1个三轴矢量磁强计.

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SQUID动态电阻对磁通调制电路中匹配变压器放大性能影响研究

SQUID动态电阻对磁通调制电路中匹配变压器放大性能影响研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：王永良徐小峰张国峰邱阳张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

直流超导量子干涉器件(SQUID∶ Superconducting QUantum Interference Device)读出电路使用最广泛的是磁通调制式电路.其采用匹配变压器放大SQUID信号,抑制室温前置放大器电压噪声,实现低噪声读出.匹配变压器放大性能决定了磁通调制电...

直流超导量子干涉器件(SQUID∶ Superconducting QUantum Interference Device)读出电路使用最广泛的是磁通调制式电路.其采用匹配变压器放大SQUID信号,抑制室温前置放大器电压噪声,实现低噪声读出.匹配变压器放大性能决定了磁通调制电路的噪声性能.磁通调制式读出电路工作时,SQUID偏置到工作点上,其小信号模型等效为一个磁通转换电压源串联一个动态电阻,匹配变压器耦合SQUID的调制小信号并进行放大.

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