检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2011年第10期40卷 1846-1850页

作者：张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 详细信息

中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。

关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延

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低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

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第七届中国科学院“百人学者论坛”学术年会

作者：孔祥燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市长宁区长宁路865号200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Shanghai 200050 China

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号...

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号探测中唯一的选择.除了高灵敏度的磁传感器,环境噪声抑制是生物磁信号提权和探测的关键.国际上大多采用梯度计技术和磁屏蔽技术.另外,还需要结合先进的信号处理算法,提取生物磁探测中的有效参数,为临床应用提供有价值的医学信息.

关键词：

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基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 601-605页

作者：蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的... 详细信息

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。

关键词：相变存储器互补型金属氧化物半导体电路疲劳特性

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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)

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无机化学学报 2011年第4期27卷 759-763页

作者：张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果... 详细信息

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。

关键词： CeOHCO3 CeO2 KH550 菱形沉淀法

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侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 305-309页

作者：刘成曹春芳劳燕锋吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了... 详细信息

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。

关键词：侧向腐蚀电流限制孔径垂直腔面发射激光器

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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Ga1Sb6Se3纳米薄膜的飞秒激光感应晶化与相干声子谱表征

Ga1Sb6Se3纳米薄膜的飞秒激光感应晶化与相干声子谱表征

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第16届全国凝聚态光学性质学术会议

作者：朱伟玲吕业刚李思勉宋志棠赖天树广东石油化工学院理学院广东茂名525000 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275

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高迁移率透明导电膜IWO 在染料电池中的应用

高迁移率透明导电膜IWO 在染料电池中的应用

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：陈东坡张晓丹任世荣刘彩池赵颖王文静南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130 中国科学院电工研究所中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室北京 100190

本文采用反应电子束蒸发法,在普通玻璃衬底上生长了高迁移率透明导电IWO薄膜,并将这种薄膜用于染料电池.以导电膜FTO为对比组,采用原子力显微镜测试了IWO和FTO在电解质处理前后的形貌,用霍尔测试仪测试了这两种导电膜的方块电阻和热稳定... 详细信息

本文采用反应电子束蒸发法,在普通玻璃衬底上生长了高迁移率透明导电IWO薄膜,并将这种薄膜用于染料电池.以导电膜FTO为对比组,采用原子力显微镜测试了IWO和FTO在电解质处理前后的形貌,用霍尔测试仪测试了这两种导电膜的方块电阻和热稳定性,采用紫外可见分光光度计测试了它们的透过率,最后在AM1.5的条件下测试了电池的光电性能,测试结果表明:导电膜IWO表面比FTO表面平滑,并且电解质不会对导电膜的形貌产生影响;IWO薄膜的方块电阻会随温度的升高而增大,而FTO则不会;在整个可见光范围内,FTO对光的透过率要略高于IWO;用IWO薄膜组装的染料电池的光电转化效率为2.77％,这一结果说明,染料电池中,高迁移率透明导电膜IWO具有替代目前通用的导电膜FTO的潜力.

关键词：染料电池 IWO导电膜 FTO导电膜二氧化钛薄膜

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硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固

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功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 223-226页

作者：王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,... 详细信息

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。

关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶

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应用于无屏蔽心磁测量中的平面三轴磁强计

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低温物理学报 2011年第5期33卷 364-368页

作者：刘扬波张树林曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院

目前,无屏蔽心磁测量中主要的噪声抑制技术是梯度计.通常,由于制作工艺不完美和结构不对称等原因,梯度计具有一定的不平衡性.为了提高梯度计的噪声抑制能力,需要采用磁强计进行补偿.本文基于低温超导量子干涉仪(SQUID)设计并制作了平面... 详细信息

目前,无屏蔽心磁测量中主要的噪声抑制技术是梯度计.通常,由于制作工艺不完美和结构不对称等原因,梯度计具有一定的不平衡性.为了提高梯度计的噪声抑制能力,需要采用磁强计进行补偿.本文基于低温超导量子干涉仪(SQUID)设计并制作了平面三轴磁强计.设计思想是通过增加磁通反馈线圈与SQUID间的互感系数,减小了三轴磁强计间的相互串扰,增加了磁强计的动态响应范围,满足城市无屏蔽环境中长时间稳定工作的要求.该平面三轴磁强计成功地应用于无屏蔽心磁图仪中,得到了高信噪比的心磁信号.

关键词：磁强计心磁图仪超导量子干涉仪

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