检索结果-内蒙古大学图书馆

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9×1013～8×1014cm-2)增加会引起触发电压减小，维持电压升高：Trench长度(0.8～1.1μm)增加，器件触发电压几乎不变，维持电压降低;场氧化层长度(2～4.5μm )增加，触发电压和维持电压均增加。

关键词：集成电路抗静电特性体硅技术性能仿真

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用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)

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电子器件 2011年第1期34卷 12-16页

作者：孙浩齐鸣艾立鹍徐安怀滕腾朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率... 详细信息

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。

关键词：镓砷锑湿法腐蚀磷化铟双异质结晶体管

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超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响

超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈达刘林杰薛忠营魏星狄增峰张苗信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层... 详细信息

研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层对H离子具有吸附的作用;2)随着退火温度升高，锗硅薄膜应力释放增大;3)在H离子4×1016/CM2注入剂量下，经过退火发现薄膜表面产生气泡，并且随着温度的升高，气泡逐渐增大。经分析，超薄SiGe层(UT-SiGe)引起了薄膜中点缺陷与H离子的互扩散，并在该层处聚集形成络合物或气泡，促进了顶层锗硅薄膜中的应力释放。

关键词：硅锗异质材料半导体薄膜超薄插入层减压化学气相沉积工艺参数

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KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究

KxSr1-xCu4S3和K(CuxFe1-x)4S3的物性研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：李明颖方爱华谢晓明黄富强中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 2000501 中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室上海 2000502

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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：余涛陈静罗杰馨柴展伍青青吴雪梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12nm、平带电压～30mV和低的漏电流密度.

关键词：金属-氧化物-半导体器件高k栅介质薄膜微结构电学性质

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相变存储器单元总剂量辐射效应的研究

相变存储器单元总剂量辐射效应的研究

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：周东郭旗宋志棠吴良才李豫东席善斌中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200090 新疆功能材料与电子信息器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京 1 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆功能材料与电子信息器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200090 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆功能材料与电子信息器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京 100190

通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示，辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化，相变特... 详细信息

通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示，辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化，相变特性稳定，相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明，基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力。

关键词：航天器相变存储器总剂量辐照抗辐照能力

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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈达贾晓云高晓强刘肃张苗兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究... 详细信息

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。结果表明，1)SiGe薄膜中Ge浓度随着HCl流量的增加而增加;2)薄膜生长速率和Ge浓度随着锗烷流量的增大而增大;3)随着温度升高，薄膜生长速率显著提高，Ge浓度减小;4)生长的20％硅锗薄膜内部晶格质量良好，没有产生明显缺陷，并且得到了均匀掺杂的外延薄膜。

关键词：硅锗异质材料半导体薄膜减压化学气相沉积工艺参数

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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：范峰鲁玉明刘志勇应利良蔡传兵上海大学超导及应用技术研究中心上海大学上海200444中国信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050中国

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