检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2009年第10期58卷 7083-7087页

作者：常俊黎华韩英军谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延 X射线衍射

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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

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物理学报 2009年第3期58卷 1954-1958页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/A... 详细信息

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合应变补偿多量子阱

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异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善

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红外与毫米波学报 2009年第6期28卷 405-409页

作者：王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.

关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 InxGa1-xAs 位错

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超导纳米线单光子探测器件的单光子响应

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科学通报 2009年第16期54卷 2416-2420页

作者：尤立星申小芳杨晓燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳... 详细信息

单光子探测技术是量子通信系统中量子密钥分发实现的关键技术之一.超导纳米线单光子探测技术是一种新型的单光子探测技术,相对于传统的半导体单光子探测器件具有高计数率、低暗计数等明显的优势.介绍了基于低温超导NbN超薄薄膜的超导纳米线单光子探测器件以及实验室超导单光子探测系统.对超导纳米线单光子探测器件的单光子响应脉冲特性进行了细致的分析和研究,讨论了测试系统带宽等参数与脉冲波形的关系.并利用电路模拟对超导单光子探测电信号波形进行了分析,模拟结果和实验结果具有很好的一致性.通过这些工作进一步理解超导单光子探测机理,为未来建立量子通信用超导纳米线单光子探测系统打下良好的基础.

关键词：量子通信单光子探测超导纳米线单光子探测器件动态电感

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AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用

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半导体光电 2009年第5期30卷 691-695,699页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海空间电源研究所上海200233

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异... 详细信息

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.cm2的AlInAs/InP异质隧道结结构,并应用于制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),器件在室温下脉冲激射。

关键词：异质隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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基于半导体激光器的光声光谱气体检测及其进展

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半导体光电 2009年第3期30卷 326-332页

作者：张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了半导体光声光谱气体检测的基本工作原理和相关技术,阐述了半导体激光光源特别是中红外半导体激光器的研究进展及其与光声光谱方法结合的应用现状,讨论了声信号的常用检测方法与改进方案,并展望了发展和应用的新方向。

关键词：半导体激光器光声光谱中红外量子级联激光器谐振

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腔面镀膜分布反馈量子级联激光器

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功能材料与器件学报 2009年第3期15卷 233-237页

作者：魏林李耀耀李爱珍徐刚毅张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比... 详细信息

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比镀膜和未镀膜器件的阈值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1。

关键词：分布反馈量子级联激光器高反射率腔面镀膜

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湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

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半导体技术 2009年第12期34卷 1205-1208页

作者：曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合... 详细信息

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。

关键词： GaN 湿法化学腐蚀熔融NaOH 熔融KOH

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双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究

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半导体光电 2009年第6期30卷 807-810,822页

作者：李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生... 详细信息

模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。

关键词：探测器暗电流数字递变超晶格 InGaAs

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空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)

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红外与激光工程 2009年第4期38卷 574-582页

作者：龚海梅唐恒敬李雪张可锋李永富李淘宁锦华汪洋缪国庆宋航张永刚方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 详细信息

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

关键词： InGaAs 焦平面组件红外探测器空间应用

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