咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 524 篇 期刊文献
  • 244 篇 会议

馆藏范围

  • 768 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 634 篇 工学
    • 393 篇 电子科学与技术（可...
    • 286 篇 材料科学与工程（可...
    • 178 篇 光学工程
    • 132 篇 仪器科学与技术
    • 34 篇 电气工程
    • 32 篇 化学工程与技术
    • 23 篇 动力工程及工程热...
    • 22 篇 机械工程
    • 18 篇 计算机科学与技术...
    • 9 篇 控制科学与工程
    • 7 篇 信息与通信工程
    • 5 篇 生物医学工程（可授...
    • 4 篇 地质资源与地质工...
    • 3 篇 航空宇航科学与技...
    • 3 篇 生物工程
    • 2 篇 环境科学与工程（可...
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 土木工程
    • 1 篇 水利工程
    • 1 篇 石油与天然气工程
  • 140 篇 理学
    • 115 篇 物理学
    • 31 篇 化学
    • 1 篇 数学
    • 1 篇 地球物理学
    • 1 篇 地质学
    • 1 篇 生物学
    • 1 篇 生态学
  • 4 篇 医学
    • 3 篇 公共卫生与预防医...
  • 2 篇 经济学
    • 1 篇 理论经济学
    • 1 篇 应用经济学
  • 2 篇 农学
  • 2 篇 管理学
  • 1 篇 文学
  • 1 篇 军事学

主题

  • 32 篇 相变存储器
  • 25 篇 分子束外延
  • 23 篇 量子级联激光器
  • 22 篇 squid
  • 21 篇 ingaas
  • 20 篇 太赫兹
  • 18 篇 soi
  • 17 篇 垂直腔面发射激光...
  • 16 篇 光电探测器
  • 16 篇 半导体激光器
  • 15 篇 石墨烯
  • 15 篇 气态源分子束外延
  • 12 篇 化合物半导体
  • 11 篇 化学机械抛光
  • 11 篇 氮化镓
  • 10 篇 超导纳米线单光子...
  • 10 篇 总剂量效应
  • 10 篇 读出电路
  • 8 篇 超导量子干涉器件
  • 8 篇 化学气相沉积

机构

  • 374 篇 中国科学院上海微...
  • 232 篇 中国科学院上海微...
  • 151 篇 中国科学院大学
  • 45 篇 信息功能材料国家...
  • 45 篇 上海科技大学
  • 42 篇 中国科学院超导电...
  • 40 篇 中国科学院研究生...
  • 20 篇 信息功能材料国家...
  • 19 篇 曲阜师范大学
  • 18 篇 浙江大学
  • 16 篇 中国科学院上海微...
  • 14 篇 上海大学
  • 12 篇 中光华研电子科技...
  • 9 篇 中国科学院
  • 9 篇 复旦大学
  • 9 篇 同济大学
  • 9 篇 中国科学技术大学
  • 8 篇 中国科学院上海微...
  • 8 篇 吉林大学
  • 8 篇 上海新安纳电子科...

作者

  • 93 篇 张永刚
  • 84 篇 宋志棠
  • 65 篇 谢晓明
  • 64 篇 李爱珍
  • 55 篇 顾溢
  • 54 篇 龚谦
  • 49 篇 吴惠桢
  • 45 篇 孔祥燕
  • 42 篇 曹俊诚
  • 41 篇 尤立星
  • 41 篇 王永良
  • 40 篇 劳燕锋
  • 35 篇 曹春芳
  • 35 篇 齐鸣
  • 31 篇 王海龙
  • 29 篇 刘成
  • 28 篇 张树林
  • 27 篇 陈后鹏
  • 27 篇 陈星佑
  • 27 篇 曹萌

语言

  • 768 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室"
共 768 条 记 录，以下是551-560 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
分布反馈量子级联激光器的光栅制备
收藏
分享
引用
功能材料与器件学报 2009年 第5期15卷 471-476页
作者： 李耀耀 徐刚毅 张永刚 李爱珍 魏林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院
利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息
来源： 评论
1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究
收藏
分享
引用
半导体技术 2009年 第6期34卷 543-545页
作者： 唐道远 李晓良 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息
来源： 评论
共振声子太赫兹量子级联激光器研究
收藏
分享
引用
中国电子科学研究院学报 2009年 第3期4卷 244-248页
作者： 黎华 韩英军 谭智勇 张戎 郭旭光 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹... 详细信息
来源： 评论
太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信
太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信
收藏
分享
引用
第十七届全国半导体物理学术会议
作者： 曹俊诚 李武群 黎华 谭智勇 张戎 韩英军 郭旭光 王长 常俊 钟旭 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 200050
太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，... 详细信息
来源： 评论
SOI器件总剂量辐射效应研究进展
SOI器件总剂量辐射效应研究进展
收藏
分享
引用
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 俞文杰 张正选 田浩 王茹 毕大伟 陈明 张帅 刘张李 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对... 详细信息
来源： 评论
太赫兹量子级联激光器及其应用
太赫兹量子级联激光器及其应用
收藏
分享
引用
第八届全国光学前沿问题讨论会
作者： 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
太赫兹(THz)波适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。THz辐射源与探测器是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射的产生方式中... 详细信息
来源： 评论
不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性
不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性
收藏
分享
引用
第十届超导学术交流会
作者： 王兴 尤立星 杨晓燕 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院研究生院北京 100190 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过... 详细信息
来源： 评论
注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究
注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究
收藏
分享
引用
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 张帅 张正选 毕大炜 陈明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院研究生院
采用Si注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料,对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si的BOX层中形成了硅纳米晶体... 详细信息
来源： 评论
注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响
注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响
收藏
分享
引用
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 王茹 张正选 俞文杰 田浩 毕大炜 张帅 陈明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院研究生院
采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化... 详细信息
来源： 评论
浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
收藏
分享
引用
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 刘张李 张正选 毕大炜 张帅 田浩 俞文杰 陈明 王茹 中国科学院研究生院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共77页 <<  < 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 >  >>
回到顶部
执行限定条件