检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 757-762页

作者：江炳尧冯涛王曦柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学上海200062

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态... 详细信息

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。

关键词：离子束辅助沉积铂碳混合膜栅电子发射

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THz量子级联激光器用材料的生长及器件制作

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功能材料信息 2008年第1期5卷 25-26页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

采用分子束外延法,生长了GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.85)As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器,并按单面金属波导制备工艺制作了器件。材料的结构通过高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的Ⅰ—Ⅴ曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 859-863页

作者：魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。

关键词：湿法刻蚀脉冲阳极氧化斜率效率

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波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

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二〇〇八年激光探测、制导与对抗技术发展与应用研讨会

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海 200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器，其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征，结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作，且在热电制冷温度... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器，其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征，结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作，且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作，实测响应速度已达数十ps量级，可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷分子束外延激光雷达

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波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

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2008年激光探测、制导与对抗技术研讨会

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基... 详细信息

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p-InP/n-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明,InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合

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超导单光子探测器件直流特性研究

超导单光子探测器件直流特性研究

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第十届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：申小芳杨晓燕尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器的计数率可达到GHz，时间抖动小于100ps，因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。本文介绍了NbN超导单光子探测器件的... 详细信息

超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器的计数率可达到GHz，时间抖动小于100ps，因而在未来量子通信系统中有着广阔的应用前景。本文介绍了NbN超导单光子探测器件的工作原理和器件超导性能测试系统;测试了超导单光子探测器件的电阻-温度、电流-电压等特性。并对测试结果进行了分析和讨论。

关键词：超导单光子探测器电流-电压特性电阻-温度特性测试系统

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP... 详细信息

本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发法沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合 InAsP InGaAsP 布拉格反射镜有源谐振腔

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波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用

波长扩展(λ>1.7μm)InGaAs光电探测器及其应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电... 详细信息

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延晶格匹配

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1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究

1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的... 详细信息

实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的侧向腐蚀隧道结结构。VCSEL结构由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜分布布拉格反射镜(DBR)以及通过晶片直接键合方法制作的GaAs/Al(Ga)As半导体DBR构成。分别制作了器件I和II,器件I在室温脉冲电流注入下激射,阈值电流为13.5mA;器件II在室温连续电流注入下激射,阈值电流为0.51mA。两者在性能上的差异与不同的腔模一增益谱峰值波长差值△λCavity-Gain有关。

关键词：垂直腔面发射激光器选择性湿法腐蚀隧道结结构 InAlAs材料增益谱峰值孔径工艺

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